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MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
Datasheets - MOSFET单晶体管 STMicroelectronics
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MOSFET单晶体管
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MOSFET单晶体管
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STMicroelectronics
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STD4NK50Z — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STD4NK50Z
N 沟道 500V - 2.4Ω - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK 齐纳保护 SuperMESH 功率 MOSFET
STP4NK50ZFP — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STP4NK50ZFP
N 沟道 500V - 2.4Ω - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK 齐纳保护 SuperMESH 功率 MOSFET
STP4NK50Z — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STP4NK50Z
N 沟道 500V - 2.4Ω - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK 齐纳保护 SuperMESH 功率 MOSFET
STD4NK50ZT4 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STD4NK50ZT4
采用 IPAK 和 DPAK 封装的 N 沟道 500 V、2.2 Ω(典型值)、3 A SuperMESH 功率 MOSFET 这些高压器件是齐纳保护的 N 沟道功率 MOSFET,采用 STMicroelectronics 的 SuperMESH 技术开发,是对成熟的 PowerMESH 的优化。除了显着降低导通电阻外,这些器件还旨在确保为最苛刻的应用提供高水平的 dv/dt 能力。
STD4NK50Z-1 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STD4NK50Z-1
采用 IPAK 和 DPAK 封装的 N 沟道 500 V、2.2 Ω(典型值)、3 A SuperMESH 功率 MOSFET 这些高压器件是齐纳保护的 N 沟道功率 MOSFET,采用 STMicroelectronics 的 SuperMESH 技术开发,是对成熟的 PowerMESH 的优化。除了显着降低导通电阻外,这些器件还旨在确保为最苛刻的应用提供高水平的 dv/dt 能力。
STP75NF75 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STP75NF75
N 沟道 75 V、0.0095 Ohm(典型值)、80 A STripFET II 功率 MOSFET,采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现,专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此,它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
STP75NF75FP — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STP75NF75FP
N 沟道 75 V、0.0095 Ohm(典型值)、80 A STripFET II 功率 MOSFET,采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现,专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此,它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
STB75NF75 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STB75NF75
N 沟道 75 V、0.0095 Ohm(典型值)、80 A STripFET II 功率 MOSFET,采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现,专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此,它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
BUZ171 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
BUZ171
SIPMOS功率晶体管
BUZ71 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
BUZ71
N 沟道 50V -0.085Ω -17A TO-220 STripFET 功率 MOSFET
STL200N45LF7 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STL200N45LF7
采用 PowerFLAT 5x6 封装的 N 沟道 45 V、1.4 mOhm 典型值、120 A STripFET F7 功率 MOSFET 所有功能 市场上最低的 R DS(on) 优秀的 FoM(品质因数) EMI 抗扰度的低 C rss /C iss 比 高雪崩坚固性
STP9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STP9NK90Z
采用 TO-220 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试
STF9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STF9NK90Z
采用 TO-220FP 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试
STB9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STB9NK90Z
采用 D2PAK 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试
STW9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STW9NK90Z
采用 TO-247 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试
STP4N150 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STP4N150
采用TO-220封装的N沟道1500 V,5 Ohm典型值,4 A PowerMESH功率MOSFET 所有功能 经过100%雪崩测试 高速切换 固有电容和Qg最小 TO-3PF的爬电距离路径为5.4毫米(典型值) 完全隔离的TO-3PF塑料包装
STFW4N150 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STFW4N150
TO-3PF中的N沟道1500 V,5 Ohm,4 A PowerMESH(TM)功率MOSFET 所有功能 经过100%雪崩测试 高速切换 固有电容和Qg最小 TO-3PF的爬电距离路径为5.4毫米(典型值) 完全隔离的TO-3PF塑料包装
STW4N150 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
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STW4N150
TO-247中的N通道1500 V,5 Ohm,4 A PowerMESH(TM)功率MOSFET 所有功能 经过100%雪崩测试 高速切换 固有电容和Qg最小 TO-3PF的爬电距离路径为5.4毫米(典型值) 完全隔离的TO-3PF塑料包装
STD30NF06 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STD30NF06
N通道60V-0.020欧姆-28A-DPAK StripFET(TM)II功率MOSFET 所有功能 典型R DS (on)=0.020Ω 100%雪崩测试 出色的dv / dt功能 磁带和卷轴上的表面安装DPAK(TO-252)电源包装(后缀“ T4”) 贯穿孔的IPAK(TO-251)管内电源包(后缀“ -1”)
STD30NF06L — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STD30NF06L
N通道60V-0.022Ω-35A DPAK / IPAK STripFET功率MOSFET
排序方式:
关联 /
日期
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2
3
4
5
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