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低功耗、25Mbps 中速、双通道数字隔离器，采用 SOIC8-N 封装 东芝CMOS技术和磁耦合结构赋予了产品卓越的性能。此外，它们符合UL 1577标准，并具有3000Vrms的耐压隔离电压。这些产品可在-40至125℃的温度范围内工作，并可在2.25至5.5V的宽电源电压范围内工作。- 低功耗、25Mbps 中速、双通道数字隔离器，采用 SOIC8-N 封装 东芝CMOS技术和磁耦合结构赋予了产品卓越的性能。此外，它们符合UL 1577标准，并具有3000Vrms的耐压隔离电压。这些产品可在-40至125℃的温度范围内工作，并可在2.25至5.5V的宽电源电压范围内工作。
- 低功耗、25Mbps 中速、双通道数字隔离器，采用 SOIC8-N 封装 东芝CMOS技术和磁耦合结构赋予了产品卓越的性能。此外，它们符合UL 1577标准，并具有3000Vrms的耐压隔离电压。这些产品可在-40至125℃的温度范围内工作，并可在2.25至5.5V的宽电源电压范围内工作。
- 低功耗、25Mbps 中速、双通道数字隔离器，采用 SOIC8-N 封装 东芝CMOS技术和磁耦合结构赋予了产品卓越的性能。此外，它们符合UL 1577标准，并具有3000Vrms的耐压隔离电压。这些产品可在-40至125℃的温度范围内工作，并可在2.25至5.5V的宽电源电压范围内工作。
- 单线性光耦合器 Littelfuse线性光耦合器采用红外LED与两个光电二极管进行光学耦合。其中一个反馈（输入）光电二极管用于产生控制信号，该控制信号为LED驱动电流提供伺服机制，从而补偿LED的非线性时间和温度特性。另一个（输出）光电二极管提供与伺服LED电流呈线性关系的输出信号。该器件具有宽带宽、高输入输出隔离度和出色的伺服线性度。
1200V N沟道SiC MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。- 1200V N沟道 MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。
7.9-12 GHz X波段双接收单发射波束形成器，采用FC-CSP封装 QPX0252 是 Qorvo 最新推出的 CMOS X 波束成形 IC，专为工作频率范围为 7.9 至 12 GHz 的先进相控阵雷达系统而优化。该 IC 支持 4 个天线单元，具有双波束接收功能，并可通过 SPI 接口选择多种收发模式。该器件与 Qorvo 的 FEM 和偏置控制 IC 集成，在紧凑的 FC-CSP 封装中提供完整的偏置控制、时序控制和遥测功能。 QPX0252 ...- IGBT，TO-247-3L封装，N-Fast型，1350V，30A
- 带反向二极管的快速开关IGBT
驻极体电容式麦克风 三线式，高信噪比，支持高输入声压级/通用型- 1200V N沟道SiC MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。
- 1200V、40Ω、碳化硅 MOSFET，采用 TO-247-3L 封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1200V、100A、16Ω、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
16毫米增量式编码器- USB+Type-C PD MCU CH32X035是一款基于青科RISC-V内核的工业级微控制器。CH32X035内置USB和PD PHY，支持USB主机和USB设备功能、USB PD和Type-C快充功能，内置可编程协议I/O控制器，并提供OPA、CMP、USART、I2C、SPI、定时器、12位ADC、触摸按键等丰富的外部资源。
- USB+Type-C PD MCU CH32X035是一款基于青科RISC-V内核的工业级微控制器。CH32X035内置USB和PD PHY，支持USB主机和USB设备功能、USB PD和Type-C快充功能，内置可编程协议I/O控制器，并提供OPA、CMP、USART、I2C、SPI、定时器、12位ADC、触摸按键等丰富的外部资源。
- 30V，100mA 低功耗 LDO HT75xx-1系列是一款采用CMOS工艺实现的三端低功耗高压晶体管。该系列晶体管可提供100mA的输出电流，并支持高达30V的输入电压。其输出电压范围为2.1V至12.0V，并提供多种固定输出电压选择。CMOS工艺确保了低压降和低静态电流。 虽然这些设备主要设计为固定电压调节器，但也可以与外部元件一起使用以获得可变电压和电流。
- 30V，100mA 低功耗 LDO HT75xx-1系列是一款采用CMOS工艺实现的三端低功耗高压晶体管。该系列晶体管可提供100mA的输出电流，并支持高达30V的输入电压。其输出电压范围为2.1V至12.0V，并提供多种固定输出电压选择。CMOS工艺确保了低压降和低静态电流。 虽然这些设备主要设计为固定电压调节器，但也可以与外部元件一起使用以获得可变电压和电流。
- 30V，100mA 低功耗 LDO HT75xx-1系列是一款采用CMOS工艺实现的三端低功耗高压晶体管。该系列晶体管可提供100mA的输出电流，并支持高达30V的输入电压。其输出电压范围为2.1V至12.0V，并提供多种固定输出电压选择。CMOS工艺确保了低压降和低静态电流。 虽然这些设备主要设计为固定电压调节器，但也可以与外部元件一起使用以获得可变电压和电流。