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PNP Medium power transistor in TO-92 package Specifications: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 V Collector Emitter Voltage Vces: 250 mV Continuous Collector Current Ic Max: 1 A Current Ic Continuous a Max: 1 A DC Collector Current: 1 A DC ...- PNP Medium power transistor in TO-92 package Specifications: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 V Collector Emitter Voltage Vces: 250 mV Continuous Collector Current Ic Max: 1 A Current Ic Continuous a Max: 1 A DC Collector Current: 1 A DC ...
- PNP Medium power transistor in TO-92 package Specifications: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 V Collector Emitter Voltage Vces: 250 mV Continuous Collector Current Ic Max: 1 A Current Ic Continuous a Max: 1 A DC Collector Current: 1 A DC ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入，具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源，4A灌驱动器，具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配，因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
- 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入，具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源，4A灌驱动器，具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配，因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
- 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入，具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源，4A灌驱动器，具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配，因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
- 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入，具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源，4A灌驱动器，具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配，因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
- 具有高级高压功能的可配置混合信号矩阵 HV PAK可编程混合信号矩阵，具有四个输出，工作电压高达13.2V，每个输出电流高达2A
- 具有高级高压功能的可配置混合信号矩阵 HV PAK可编程混合信号矩阵，具有四个输出，工作电压高达13.2V，每个输出电流高达2A
- 具有高级高压功能的可配置混合信号矩阵 HV PAK可编程混合信号矩阵，具有四个输出，工作电压高达13.2V，每个输出电流高达2A