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  1. Datasheet STMicroelectronics STX817A-AP
    PNP Medium power transistor in TO-92 package Specifications: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 V Collector Emitter Voltage Vces: 250 mV Continuous Collector Current Ic Max: 1 A Current Ic Continuous a Max: 1 A DC Collector Current: 1 A DC ...
  2. PNP Medium power transistor in TO-92 package Specifications: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 V Collector Emitter Voltage Vces: 250 mV Continuous Collector Current Ic Max: 1 A Current Ic Continuous a Max: 1 A DC Collector Current: 1 A DC ...
  3. Datasheet STMicroelectronics STX817A
    PNP Medium power transistor in TO-92 package Specifications: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 V Collector Emitter Voltage Vces: 250 mV Continuous Collector Current Ic Max: 1 A Current Ic Continuous a Max: 1 A DC Collector Current: 1 A DC ...
  4. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  1. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  2. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  3. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  4. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  5. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  6. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  7. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  8. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  9. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  10. 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入,具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源,4A灌驱动器,具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配,因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
  11. 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入,具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源,4A灌驱动器,具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配,因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
  12. 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入,具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源,4A灌驱动器,具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配,因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
  13. 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入,具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源,4A灌驱动器,具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配,因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
  14. 具有高级高压功能的可配置混合信号矩阵 HV PAK可编程混合信号矩阵,具有四个输出,工作电压高达13.2V,每个输出电流高达2A
  15. 具有高级高压功能的可配置混合信号矩阵 HV PAK可编程混合信号矩阵,具有四个输出,工作电压高达13.2V,每个输出电流高达2A
  16. 具有高级高压功能的可配置混合信号矩阵 HV PAK可编程混合信号矩阵,具有四个输出,工作电压高达13.2V,每个输出电流高达2A