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  1. 三路视频输出放大器 TDA6107AJF 包含三个视频输出放大器,用于驱动彩色 CRT 的三个阴极。该设备采用塑料 DIL-bent-SIL 9 针中等功率 (DBS9MPF) 封装,并使用高压 DMOS 技术。为了获得最佳性能,放大器应与黑电流控制一起使用。
  2. 集成 PAL 和 PAL/NTSC 电视处理器 TDA8360、TDA8361 和 TDA8362 是单芯片电视处理器,几乎包含彩色电视接收器所需的所有小信号功能。要实现完整的接收器,需要添加以下电路:基带延迟线 (TDA4661)、调谐器以及音频、视频和水平和垂直偏转的输出级。
  1. 集成 PAL 和 PAL/NTSC 电视处理器 TDA8360、TDA8361 和 TDA8362 是单芯片电视处理器,几乎包含彩色电视接收器所需的所有小信号功能。要实现完整的接收器,需要添加以下电路:基带延迟线 (TDA4661)、调谐器以及音频、视频和水平和垂直偏转的输出级。
  2. 集成 PAL 和 PAL/NTSC 电视处理器 TDA8360、TDA8361 和 TDA8362 是单芯片电视处理器,几乎包含彩色电视接收器所需的所有小信号功能。要实现完整的接收器,需要添加以下电路:基带延迟线 (TDA4661)、调谐器以及音频、视频和水平和垂直偏转的输出级。
  3. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
  4. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
  5. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
  6. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
  7. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
  8. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
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  10. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
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  13. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
  14. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
  15. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
  16. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
  17. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
  18. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。