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  1. 全功能 28/40 引脚微控制器 PIC16F17576 微控制器系列在低功耗和稳健的模拟应用方面均表现出色。得益于其全新的低功耗参考电压 (VREF) 和比较器,该系列能够执行模拟阈值控制,同时功耗低于 3uA。PIC16F17576 微控制器系列配备 4 个运算放大器 (OP-AMP)、2 个 8 位 DAC、12 位差分 ADC 和模拟外设管理器,使其成为迄今为止最稳健、功耗最敏感的 PIC16 模拟产品组合。
  2. 全功能 28/40 引脚微控制器 PIC16F17576 微控制器系列在低功耗和稳健的模拟应用方面均表现出色。得益于其全新的低功耗参考电压 (VREF) 和比较器,该系列能够执行模拟阈值控制,同时功耗低于 3uA。PIC16F17576 微控制器系列配备 4 个运算放大器 (OP-AMP)、2 个 8 位 DAC、12 位差分 ADC 和模拟外设管理器,使其成为迄今为止最稳健、功耗最敏感的 PIC16 模拟产品组合。
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  2. 全功能 28/40 引脚微控制器 PIC16F17576 微控制器系列在低功耗和稳健的模拟应用方面均表现出色。得益于其全新的低功耗参考电压 (VREF) 和比较器,该系列能够执行模拟阈值控制,同时功耗低于 3uA。PIC16F17576 微控制器系列配备 4 个运算放大器 (OP-AMP)、2 个 8 位 DAC、12 位差分 ADC 和模拟外设管理器,使其成为迄今为止最稳健、功耗最敏感的 PIC16 模拟产品组合。
  3. 全功能 28/40 引脚微控制器 PIC16F17576 微控制器系列在低功耗和稳健的模拟应用方面均表现出色。得益于其全新的低功耗参考电压 (VREF) 和比较器,该系列能够执行模拟阈值控制,同时功耗低于 3uA。PIC16F17576 微控制器系列配备 4 个运算放大器 (OP-AMP)、2 个 8 位 DAC、12 位差分 ADC 和模拟外设管理器,使其成为迄今为止最稳健、功耗最敏感的 PIC16 模拟产品组合。
  4. 全功能 28/40 引脚微控制器 PIC16F17576 微控制器系列在低功耗和稳健的模拟应用方面均表现出色。得益于其全新的低功耗参考电压 (VREF) 和比较器,该系列能够执行模拟阈值控制,同时功耗低于 3uA。PIC16F17576 微控制器系列配备 4 个运算放大器 (OP-AMP)、2 个 8 位 DAC、12 位差分 ADC 和模拟外设管理器,使其成为迄今为止最稳健、功耗最敏感的 PIC16 模拟产品组合。
  5. 全功能 28/40 引脚微控制器 PIC16F17576 微控制器系列在低功耗和稳健的模拟应用方面均表现出色。得益于其全新的低功耗参考电压 (VREF) 和比较器,该系列能够执行模拟阈值控制,同时功耗低于 3uA。PIC16F17576 微控制器系列配备 4 个运算放大器 (OP-AMP)、2 个 8 位 DAC、12 位差分 ADC 和模拟外设管理器,使其成为迄今为止最稳健、功耗最敏感的 PIC16 模拟产品组合。
  6. 全功能 28/40 引脚微控制器 PIC16F17576 微控制器系列在低功耗和稳健的模拟应用方面均表现出色。得益于其全新的低功耗参考电压 (VREF) 和比较器,该系列能够执行模拟阈值控制,同时功耗低于 3uA。PIC16F17576 微控制器系列配备 4 个运算放大器 (OP-AMP)、2 个 8 位 DAC、12 位差分 ADC 和模拟外设管理器,使其成为迄今为止最稳健、功耗最敏感的 PIC16 模拟产品组合。
  7. 全功能 28/40 引脚微控制器 PIC16F17576 微控制器系列在低功耗和稳健的模拟应用方面均表现出色。得益于其全新的低功耗参考电压 (VREF) 和比较器,该系列能够执行模拟阈值控制,同时功耗低于 3uA。PIC16F17576 微控制器系列配备 4 个运算放大器 (OP-AMP)、2 个 8 位 DAC、12 位差分 ADC 和模拟外设管理器,使其成为迄今为止最稳健、功耗最敏感的 PIC16 模拟产品组合。
  8. Datasheet Mornsun TDA51S-41HC
    SOIC封装集成隔离DC-DC转换器
  9. NPN外延硅晶体管
  10. The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
  11. The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
  12. IGC033S101 是一款 100 V 常关型增强模式功率晶体管,采用小型 PQFN 3x5 封装,可实现高功率密度设计。凭借其低导通电阻,它是高要求高压大电流应用中可靠性能的理想选择。
  13. IGC033S101 是一款 100 V 常关型增强模式功率晶体管,采用小型 PQFN 3x5 封装,可实现高功率密度设计。凭借其低导通电阻,它是高要求高压大电流应用中可靠性能的理想选择。
  14. 硅N沟道JFET CENTRAL SEMICONDUCTOR PN4391 系列器件是专为模拟开关和斩波应用而设计的 N 通道硅 JFET。
  15. 穿通JFET N通道
  16. 硅N沟道JFET CENTRAL SEMICONDUCTOR PN4391 系列器件是专为模拟开关和斩波应用而设计的 N 通道硅 JFET。
  17. 硅NPN光电晶体管
  18. 硅NPN光电晶体管