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晶体管,晶体管阵列和模块
Datasheets - 晶体管,晶体管阵列和模块
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晶体管,晶体管阵列和模块
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Infineon
ON Semiconductor
STMicroelectronics
Vishay
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IRFP22N60KPBF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFP22N60K
IRFP22N60KPBF
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFP22N60K
采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET 特征 低栅极电荷 Qg 导致驱动要求简单 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性 完全表征电容和雪崩电压和电流
IRFP22N60K — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFP22N60K
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFP22N60K
采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET 特征 低栅极电荷 Qg 导致驱动要求简单 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性 完全表征电容和雪崩电压和电流
MTP33N10E — Datasheet ON Semiconductor
MOSFET单晶体管
ON Semiconductor
MTP33N10E
晶体管,晶体管阵列和模块
ON Semiconductor
MTP33N10E
功率 MOSFET 33 安培,100 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计,特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路,并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
MTP20N20E — Datasheet ON Semiconductor
MOSFET单晶体管
ON Semiconductor
MTP20N20E
晶体管,晶体管阵列和模块
ON Semiconductor
MTP20N20E
功率 MOSFET 20 安培,200 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计,特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路,并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
CPH3362 — Datasheet ON Semiconductor
MOSFET单晶体管
ON Semiconductor
CPH3362
晶体管,晶体管阵列和模块
ON Semiconductor
CPH3362
功率 MOSFET 100V、1.7Ω、0.7A、单 P 通道
CPH3362-TL-W — Datasheet ON Semiconductor
MOSFET单晶体管
ON Semiconductor
CPH3362
CPH3362-TL-W
晶体管,晶体管阵列和模块
ON Semiconductor
CPH3362
功率 MOSFET 100V、1.7Ω、0.7A、单 P 通道
IRFF330 — Datasheet Infineon
MOSFET单晶体管
Infineon
IRFF330
晶体管,晶体管阵列和模块
Infineon
IRFF330
400V N 沟道 HEXFET 晶体管 HEXFET 技术是 International Rectifier 的 HiRel 先进功率 MOSFET 晶体管系列的关键。这一最新“先进”设计采用高效的几何形状和独特的工艺,实现了:极低的导通电阻和高跨导。
STF19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STF19NF20
晶体管,晶体管阵列和模块
STMicroelectronics
STF19NF20
N 沟道 200 V、0.11 欧姆(典型值)、11 A 网格覆盖功率 MOSFET,采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
STD19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STD19NF20
晶体管,晶体管阵列和模块
STMicroelectronics
STD19NF20
N 沟道 200 V、0.11 欧姆(典型值)、11 A 网格覆盖功率 MOSFET,采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
STB19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STB19NF20
晶体管,晶体管阵列和模块
STMicroelectronics
STB19NF20
N 沟道 200 V、0.11 欧姆(典型值)、11 A 网格覆盖功率 MOSFET,采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
STP19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
MOSFET单晶体管
STMicroelectronics
STP19NF20
晶体管,晶体管阵列和模块
STMicroelectronics
STP19NF20
N 沟道 200 V、0.11 欧姆(典型值)、11 A 网格覆盖功率 MOSFET,采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
IRFZ24PbF-BE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFZ24
IRFZ24PbF-BE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFZ24
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
IRFZ24 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFZ24
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFZ24
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
IRFZ24PbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFZ24
IRFZ24PbF
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFZ24
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
SiHFU9310-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFU9310
SiHFU9310-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFU9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFU9310 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFU9310
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFU9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310TRL-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310TRL-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310TR-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310TR-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310TRR-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310TRR-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
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