Datasheets - 单FET、MOSFET
小节: "单FET、MOSFET"
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采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-247AC封装是商业和工业应用中的首选，因为在这些应用中，较高的功率水平限制了TO-220AB器件的使用。 TO-247AC封装与早期的TO-218封装类似，但因其独立的安装孔而更胜一筹。此外，它还提供了更大的引脚间爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。
40V N沟道 MOSFET，TO252封装 AOD240采用沟槽式MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。极低的导通电阻RDS(ON)和短路电流Crss组合最大限度地降低了功率损耗。此外，采用“肖特基型”软恢复体，可有效控制开关特性。 二极管。
采用 SOP8 封装的 P 沟道 30V (DS) MOSFET 它具有高载流能力和低导通电阻，特别适用于功率开关和电路控制。- 采用 SOP8 封装的高性能 P 沟道 MOSFET 这款 MOSFET 的漏源耐压为 -30V，漏极电流处理能力高达 -9A。其低导通电阻和良好的电流处理能力使其非常适合用于各种开关和电源管理应用。IRF4435TR-VB 尤其适用于需要低导通电阻和高效率的负载开关和电源转换应用。
采用 TO-220 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管- 采用 TO-220 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管
- 采用 4 引脚 DIP（类似于 TO-250）封装的 N 沟道增强型晶体管
- 采用 4 引脚 DIP（类似于 TO-250）封装的 N 沟道增强型晶体管
- 采用 TO-247 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管 特征 漏极电流：ID= 26A@ TC=25℃ 漏源电压：VDSS= 500V（最小值） 静态漏源导通电阻：RDS(on) = 0.2Ω（最大值）@ VGS = 10V 100% 雪崩测试 最小批次间差异，确保设备性能稳定可靠
- TO-247封装的功率MOSFET 特征 动态 dV/dt 额定值 重复雪崩评级 隔离式中央安装孔
- TO-220封装的功率MOSFET 动态 dV/dt 额定值 P通道 快速切换
N沟道耗尽型MOSFET 250V 10欧姆 SOT-89封装 | 系列：N沟道耗尽型MOSFET 我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。该第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了世界一流的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺可制造出适用于高功率应用且具有高输入阻抗的坚固耐用的器件。这些高可靠性的FET器件已广泛应用于我们面向工业和电信应用的固态继电器中。- 采用 DPAK/TO-252 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管
N沟道MOSFET，650V，12A，0.65Ω，TO-220F封装- N沟道900V、1.1Ω、8A、TO-220、TO-220FP、D2PAK、TO-247封装的齐纳保护SuperMESH功率MOSFET
采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET 特征 低栅极电荷 Qg 导致驱动要求简单 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性 完全表征电容和雪崩电压和电流- 汽车级 N 沟道 80 V (DS) 175 °C MOSFET
P沟道100V（DS）MOSFET 无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET
单 N 沟道 2.5V 指定 PowerTrench MOSFET 30V、5.0A、40mΩ 该单 N 沟道 MOSFET 采用先进的 Power Trench 工艺设计，以优化特殊 MicroFET 引线框架上的 RDS(on) @VGS=2.5V。
20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。