Datasheets - MOSFET单晶体管

小节: "MOSFET单晶体管"
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  1. P通道30 V(DS)MOSFET TrenchFET 功率 MOSFET
  2. Datasheet Vishay Si3457CDV-T1-E3
    P通道30 V(DS)MOSFET TrenchFET 功率 MOSFET
  1. Datasheet Vishay Si3457CDV-T1-GE3
    P通道30 V(DS)MOSFET TrenchFET 功率 MOSFET
  2. N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in TO-220 package This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is ...
  1. N 沟道 75 V、0.0095 Ohm(典型值)、80 A STripFET II 功率 MOSFET,采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现,专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此,它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
  2. N 沟道 75 V、0.0095 Ohm(典型值)、80 A STripFET II 功率 MOSFET,采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现,专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此,它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
  3. N 沟道 75 V、0.0095 Ohm(典型值)、80 A STripFET II 功率 MOSFET,采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现,专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此,它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
  4. Datasheet Vishay SiHF640
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  5. Datasheet Vishay SiHF640-E3
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  6. 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  7. 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  8. Datasheet Vishay IRF640PbF
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  9. Datasheet Vishay IRF640
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  10. 150 V、329 A 增强型 GaN 功率晶体管
  11. 200 V、260 A 增强型 GaN 功率晶体管
  12. 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 4 引脚 DIP 封装是一种低成本的机器可插入外壳样式,可以在标准 0.1 引脚中心以多种组合堆叠。双漏极用作安装表面的热连接,功耗水平高达 1 W。
  13. 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 4 引脚 DIP 封装是一种低成本的机器可插入外壳样式,可以在标准 0.1 引脚中心以多种组合堆叠。双漏极用作安装表面的热连接,功耗水平高达 1 W。
  14. 通孔MOSFET N沟道增强模式大电流
  15. Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650
    10A,650V 通孔MOSFET N沟道增强型大电流
  16. Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650 SL
    10A,650V 通孔MOSFET N沟道增强型大电流