Datasheets - MOSFET单晶体管

小节: "MOSFET单晶体管"
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  1. 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.55 mOhm、500 Amps 连续标准电平 MOSFET 500 安培连续电流、标准电平栅极驱动、采用 LFPAK88 封装的 N 沟道增强型 MOSFET。 NextPowerS3 系列采用 Nexperia 独特的“SchottkyPlus”技术,可提供通常与具有集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关的高效率和低尖峰性能,但不会出现高漏电流问题。 NextPowerS3 ...
  2. Datasheet Nexperia PSMNR55-40SSHJ
    采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.55 mOhm、500 Amps 连续标准电平 MOSFET 500 安培连续电流、标准电平栅极驱动、采用 LFPAK88 封装的 N 沟道增强型 MOSFET。 NextPowerS3 系列采用 Nexperia 独特的“SchottkyPlus”技术,可提供通常与具有集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关的高效率和低尖峰性能,但不会出现高漏电流问题。 NextPowerS3 ...
  3. Datasheet Nexperia BUK7S0R5-40HJ
    LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.5 mOhm 标准电平 MOSFET 采用最新的Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET,采用铜夹LFPAK88封装。该产品经过全面设计,符合 AEC-Q101 以外的要求,可提供高性能和可靠性。
  4. LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.5 mOhm 标准电平 MOSFET 采用最新的Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET,采用铜夹LFPAK88封装。该产品经过全面设计,符合 AEC-Q101 以外的要求,可提供高性能和可靠性。
  1. P通道8V(DS)175C MOSFET
  2. P通道8V(DS)175C MOSFET
  3. Datasheet NXP PMN50XP,165
    P沟道TrenchMOS极低级FET
  4. 带振荡器的14级二进制纹波计数器 74HC4060; 74HCT4060是高速Si-gate CMOS器件,与HEF4060引脚兼容。
  5. P沟道TrenchMOS极低级FET
  6. Datasheet Nexperia PMN50XP,165
    P沟道TrenchMOS极低级FET
  7. 所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用(2N7002 除外)。
  8. Datasheet Infineon BSP89H6327XTSA1
    所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用(2N7002 除外)。
  9. Datasheet Vishay SQJA81EP-T1_GE3
    汽车P通道80 V(DS)175°C MOSFET
  10. 汽车P通道80 V(DS)175°C MOSFET
  11. 采用TO-220封装的N沟道1500 V,5 Ohm典型值,4 A PowerMESH功率MOSFET 所有功能 经过100%雪崩测试 高速切换 固有电容和Qg最小 TO-3PF的爬电距离路径为5.4毫米(典型值) 完全隔离的TO-3PF塑料包装
  12. TO-3PF中的N沟道1500 V,5 Ohm,4 A PowerMESH(TM)功率MOSFET 所有功能 经过100%雪崩测试 高速切换 固有电容和Qg最小 TO-3PF的爬电距离路径为5.4毫米(典型值) 完全隔离的TO-3PF塑料包装
  13. Nch单电源Mosfet 1500V 2A Mohm To-3Pfm 不建议用于新设计 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET。低导通电阻,高速开关和高稳健性。
  14. Nch单电源Mosfet 1500V 2A Mohm To-3Pfm 不建议用于新设计 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET。低导通电阻,高速开关和高稳健性。
  15. TO-247中的N通道1500 V,5 Ohm,4 A PowerMESH(TM)功率MOSFET 所有功能 经过100%雪崩测试 高速切换 固有电容和Qg最小 TO-3PF的爬电距离路径为5.4毫米(典型值) 完全隔离的TO-3PF塑料包装
  16. 1700V碳化硅MOSFET Wolfspeed 1700V SiC MOSFET可实现更小,更高效的功率转换系统。与基于硅的解决方案相比,Wolfspeed碳化硅技术可实现更高的系统功率密度,更高的开关频率,更小的设计,更凉爽的组件,更小的组件(如电感器,电容器,滤波器和变压器),以及总体成本优势。