Datasheets - MOSFET单晶体管

小节: "MOSFET单晶体管"
搜索结果: 7,907 输出量: 1-20

视图: 清单 / 图片

  1. 1.2V驱动Pch MOSFET 通过适用于移动设备的微处理技术,MOSFET具有极低的导通电阻,从而降低了电流消耗。满足市场需求的紧凑型,大功率型和复杂型的广泛产品阵容。
  2. Datasheet Rohm RZM001P02T2L
    1.2V驱动Pch MOSFET 通过适用于移动设备的微处理技术,MOSFET具有极低的导通电阻,从而降低了电流消耗。满足市场需求的紧凑型,大功率型和复杂型的广泛产品阵容。
  3. Datasheet Nexperia BUK9V13-40HX
    LFPAK56D中的双N通道40 V,13 mOhm逻辑电平MOSFET(半桥配置) 采用Trench 9 TrenchMOS技术,采用LFPAK56D封装(半桥配置)的双逻辑电平N沟道MOSFET。本产品已经过设计并符合AEC-Q101的要求。
  4. LFPAK56D中的双N通道40 V,13 mOhm逻辑电平MOSFET(半桥配置) 采用Trench 9 TrenchMOS技术,采用LFPAK56D封装(半桥配置)的双逻辑电平N沟道MOSFET。本产品已经过设计并符合AEC-Q101的要求。
  1. LFPAK56D中的双N通道40 V,4.2 mOhm标准电平MOSFET(半桥配置) 采用Trench 9 TrenchMOS技术,采用LFPAK56D封装(半桥配置)的双路标准级N沟道MOSFET。本产品已经过设计并符合AEC-Q101的要求。
  2. Datasheet Nexperia BUK7V4R2-40HX
    LFPAK56D中的双N通道40 V,4.2 mOhm标准电平MOSFET(半桥配置) 采用Trench 9 TrenchMOS技术,采用LFPAK56D封装(半桥配置)的双路标准级N沟道MOSFET。本产品已经过设计并符合AEC-Q101的要求。
  3. N沟道650V,15.6mΩ,TO247-4L碳化硅MOSFET 碳化硅(SiC)MOSFET使用了一种全新的技术,与硅相比,它提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的好处包括最高的效率,更快的工作频率,增加的功率密度,减少的EMI和减小的系统尺寸。
  4. N沟道650V,12mΩ,TO247-4L碳化硅MOSFET 碳化硅(SiC)MOSFET使用了一种全新的技术,与硅相比,它提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的好处包括最高的效率,更快的工作频率,增加的功率密度,减少的EMI和减小的系统尺寸。
  5. N沟道650V,15.3mΩ,D2PAK-7L碳化硅MOSFET 碳化硅(SiC)MOSFET使用了一种全新的技术,与硅相比,它提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的好处包括最高的效率,更快的工作频率,增加的功率密度,减少的EMI和减小的系统尺寸。
  6. N沟道650V,12mΩ,D2PAK-7L碳化硅MOSFET 碳化硅(SiC)MOSFET使用了一种全新的技术,与硅相比,它提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的好处包括最高的效率,更快的工作频率,增加的功率密度,减少的EMI和减小的系统尺寸。
  7. 功率MOSFET -500V -2A 6欧姆单P通道TO-220 这种高压MOSFET使用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力,而不会随着时间的推移而降低性能。此外,该功率MOSFET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极至源极二极管。这些器件专为电源,转换器和PWM电机控制中的高压,高速开关应用而设计,特别适合于二极管速度和整流安全工作区域至关重要的桥接电路,并提供了防止意外电压瞬变的额外安全裕度。
  8. 功率MOSFET -500V -2A 6欧姆单P通道TO-220 这种高压MOSFET使用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力,而不会随着时间的推移而降低性能。此外,该功率MOSFET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极至源极二极管。这些器件专为电源,转换器和PWM电机控制中的高压,高速开关应用而设计,特别适合于二极管速度和整流安全工作区域至关重要的桥接电路,并提供了防止意外电压瞬变的额外安全裕度。
  9. 功率MOSFET -500V -2A 6欧姆单P通道TO-220 这种高压MOSFET使用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力,而不会随着时间的推移而降低性能。此外,该功率MOSFET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极至源极二极管。这些器件专为电源,转换器和PWM电机控制中的高压,高速开关应用而设计,特别适合于二极管速度和整流安全工作区域至关重要的桥接电路,并提供了防止意外电压瞬变的额外安全裕度。
  10. TMOS E-FET功率场效应晶体管-N沟道增强模式硅栅极-TMOS功率FET 2.0安培500伏RDS(on)= 3.6欧姆-案例221A–06,类型5,TO–220AB 这款高压MOSFET使用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力,而不会随时间降低性能。此外,这种先进的TMOS E-FET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。
  11. P通道30V-0.025欧姆-24A STripFET II功率MOSFET 该功率MOSFET是意法半导体(STMicroelectronics)独特的“单特征尺寸”带状工艺的最新开发。所得的晶体管显示出极高的堆积密度,从而实现了低导通电阻和低栅极电荷。 特征: 低栅极电荷 低阈值设备 标准轮廓,易于自动化表面安装
  12. P通道30V-0.025欧姆-24A STripFET II功率MOSFET 该功率MOSFET是意法半导体(STMicroelectronics)独特的“单特征尺寸”带状工艺的最新开发。所得的晶体管显示出极高的堆积密度,从而实现了低导通电阻和低栅极电荷。 特征: 低栅极电荷 低阈值设备 标准轮廓,易于自动化表面安装
  13. P通道30V-0.025欧姆-24A STripFET II功率MOSFET 该功率MOSFET是意法半导体(STMicroelectronics)独特的“单特征尺寸”带状工艺的最新开发。所得的晶体管显示出极高的堆积密度,从而实现了低导通电阻和低栅极电荷。 特征: 低栅极电荷 低阈值设备 标准轮廓,易于自动化表面安装
  14. Datasheet Infineon IRF7389TRPBF
    30V 单个 N 通道和 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
  15. 30V 单个 N 通道和 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
  16. Datasheet Infineon IRF7389PBF
    30V 单个 N 通道和 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装