Datasheets - 单FET、MOSFET
小节: "单FET、MOSFET"
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- P沟道功率MOSFET
- N沟道功率MOSFET
采用 SOT23 封装的 N 沟道 TrenchMOS 超低电平 FET 采用 TrenchMOS 技术的超低电平 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，封装于塑料中。本产品专为计算机、通信、消费电子和工业应用而设计和认证。
55V 单N沟道IR MOSFET，SOT-223封装- 55V 单N沟道IR MOSFET，SOT-223封装
- 采用 SOT-23 (TO-236) 封装的 P 沟道 12V (DS) MOSFET
- 60V N沟道 MOSFET，SOT-23 封装
采用 TO-220F 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管
采用 E-Line 封装的 N 沟道增强型垂直 DMOS FET- 30V P沟道增强型MOSFET，SOT23封装
- PowerTrench 单 P 沟道 MOSFET，SOT-23 封装 这款 P 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过专门优化，可最大限度地降低导通电阻，同时保持低栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合需要低线路损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
采用 TO-247 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管- 采用 TO-247 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管
100V，231A增强型氮化镓功率晶体管- N沟道小信号MOSFET，30V，SOT-23封装
P-channel power MOSFET in PG-TDSON-8 package- 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS in PG-TDSON-8 package Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).
- 240V N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOSFET in E-Line package
N-Channel Power MOSFET 500V, 5.5A, 2Ω in ATPAK package 过时的