Datasheets - MOSFET单晶体管

小节: "MOSFET单晶体管"
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  1. 30V N沟道MOSFET
  2. 30V N沟道MOSFET
  3. 30V P 沟道 MOSFET
  4. 采用 PowerFLAT 5x6 封装的 N 沟道 45 V、1.4 mOhm 典型值、120 A STripFET F7 功率 MOSFET 所有功能 市场上最低的 R DS(on) 优秀的 FoM(品质因数) EMI 抗扰度的低 C rss /C iss 比 高雪崩坚固性
  1. 采用TO-220AB封装的-100V单P沟道HEXFET功率MOSFET
  2. 采用TO-220AB封装的-100V单P沟道HEXFET功率MOSFET
  3. N沟道增强型晶体管
  4. P 沟道增强模式垂直 Dmos FET
  5. 30V N 沟道 PowerTrench MOSFET
  6. 采用 TO-220 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试
  7. 采用 TO-220FP 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试
  8. 采用 D2PAK 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试
  9. 采用 TO-247 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试
  10. 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.55 mOhm、500 Amps 连续标准电平 MOSFET 500 安培连续电流、标准电平栅极驱动、采用 LFPAK88 封装的 N 沟道增强型 MOSFET。 NextPowerS3 系列采用 Nexperia 独特的“SchottkyPlus”技术,可提供通常与具有集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关的高效率和低尖峰性能,但不会出现高漏电流问题。 NextPowerS3 ...
  11. Datasheet Nexperia PSMNR55-40SSHJ
    采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.55 mOhm、500 Amps 连续标准电平 MOSFET 500 安培连续电流、标准电平栅极驱动、采用 LFPAK88 封装的 N 沟道增强型 MOSFET。 NextPowerS3 系列采用 Nexperia 独特的“SchottkyPlus”技术,可提供通常与具有集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关的高效率和低尖峰性能,但不会出现高漏电流问题。 NextPowerS3 ...
  12. Datasheet Nexperia BUK7S0R5-40HJ
    LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.5 mOhm 标准电平 MOSFET 采用最新的Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET,采用铜夹LFPAK88封装。该产品经过全面设计,符合 AEC-Q101 以外的要求,可提供高性能和可靠性。
  13. LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.5 mOhm 标准电平 MOSFET 采用最新的Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET,采用铜夹LFPAK88封装。该产品经过全面设计,符合 AEC-Q101 以外的要求,可提供高性能和可靠性。
  14. P通道8V(DS)175C MOSFET
  15. P通道8V(DS)175C MOSFET
  16. Datasheet NXP PMN50XP,165
    P沟道TrenchMOS极低级FET