Datasheets - MOSFET单晶体管
小节: "MOSFET单晶体管"
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- TXZ4
- 硅 N 沟道 MOSFET
- 功率MOS V 400V 93A 0.035Ω Power MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术最大限度地减少了 JFET 效应，提高了封装密度并降低了导通电阻。功率 MOS V 还通过优化栅极布局实现更快的开关速度。
- 具有扩频功能的低 IQ 同步升压控制器 HL8021 是一款高性能升压控制器，可驱动 N 沟道 MOSFET 同步升压功率级，可在 4.5V 至 40V 的宽输入电源范围内工作。当控制器受到输出电压的偏置时，控制器在启动后可以使用低至 1V 的输入电源运行。
- 具有扩频功能的低 IQ 同步升压控制器 HL8021 是一款高性能升压控制器，可驱动 N 沟道 MOSFET 同步升压功率级，可在 4.5V 至 40V 的宽输入电源范围内工作。当控制器受到输出电压的偏置时，控制器在启动后可以使用低至 1V 的输入电源运行。
采用 TO-220 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET IR MOSFET 系列功率 MOSFET 采用经过验证的硅工艺，为设计人员提供了广泛的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些器件可用于各种应用表面贴装和通孔封装具有行业标准尺寸，易于设计。- 采用 TO-220 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET IR MOSFET 系列功率 MOSFET 采用经过验证的硅工艺，为设计人员提供了广泛的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些器件可用于各种应用表面贴装和通孔封装具有行业标准尺寸，易于设计。
- 双 P 沟道匹配对 MOSFET 阵列 ALD1107/ALD1117 是单片四/双 P 沟道增强模式匹配 MOSFET 晶体管阵列，适用于各种精密模拟应用。 ALD1107/ALD1117 提供高输入阻抗和负电流温度系数。这些晶体管对可实现最小失调电压和差分热响应，专为 -2V 至 -10V 系统中需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度的精密模拟开关和放大应用而设计。 这些 MOSFET 器件在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无限）的电流增益。 ALD1107/ ...
- 四路 P 沟道匹配对 MOSFET 阵列 ALD1107/ALD1117 是单片四/双 P 沟道增强模式匹配 MOSFET 晶体管阵列，适用于各种精密模拟应用。 ALD1107/ALD1117 提供高输入阻抗和负电流温度系数。这些晶体管对可实现最小失调电压和差分热响应，专为 -2V 至 -10V 系统中需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度的精密模拟开关和放大应用而设计。 这些 MOSFET 器件在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无限）的电流增益。 ALD1107/ ...
- 四/双 N 沟道匹配对 Mosfet 阵列 ALD1106/ALD1116 是单片四/双 N 沟道增强模式匹配 MOSFET 晶体管阵列，适用于各种精密模拟应用。 ALD1106/ALD1116 提供高输入阻抗和负电流温度系数。 这些晶体管对可实现最小失调电压和差分热响应，专为需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度的+2V至+10V系统中的精密模拟开关和放大应用而设计。这些 MOSFET 器件在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无限）的电流增益。 ALD1106/ ...
- 四/双 N 沟道匹配对 Mosfet 阵列 ALD1106/ALD1116 是单片四/双 N 沟道增强模式匹配 MOSFET 晶体管阵列，适用于各种精密模拟应用。 ALD1106/ALD1116 提供高输入阻抗和负电流温度系数。 这些晶体管对可实现最小失调电压和差分热响应，专为需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度的+2V至+10V系统中的精密模拟开关和放大应用而设计。这些 MOSFET 器件在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无限）的电流增益。 ALD1106/ ...
功率MOSFET- 功率MOSFET
- N 沟道 20V (DS) MOSFET
- N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管20V，1.3A，0.21Ω 这些 N 沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用 ON Semiconductor 专有的高单元密度 DMOS 技术生产。这种非常高密度的工艺是专门为最大限度地降低导通电阻而定制的。这些器件特别适合笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡和其他电池供电电路中的低压应用，这些应用需要在外形非常小的表面贴装封装中实现快速开关和低串联功率损耗。
- 单 P 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET -20V、-2A、70mΩ 该 P 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 Power Trench 工艺生产，该工艺经过专门定制，可最大程度地降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路以及 DC/DC 转换。
- 这种增强模式（常关）晶体管利用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅制造工艺
- 这种增强模式（常关）晶体管利用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅制造工艺
- 这种增强模式（常关）晶体管利用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅制造工艺
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本（IRLU、SiHLU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功耗水平可能高达 1.5 W。