Datasheets - 单FET、MOSFET
小节: "单FET、MOSFET"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse Magnachip MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed搜索结果: 8,218 输出量: 1-20
视图: 清单 / 图片
- TO-247封装的功率MOSFET 特征 动态 dV/dt 额定值 重复雪崩评级 隔离式中央安装孔
TO-247封装的功率MOSFET 特征 动态 dV/dt 额定值 重复雪崩评级 隔离式中央安装孔
TO-220封装的功率MOSFET 动态 dV/dt 额定值 P通道 快速切换- TO-220封装的功率MOSFET 动态 dV/dt 额定值 P通道 快速切换
- TO-220封装的功率MOSFET 动态 dV/dt 额定值 P通道 快速切换
N沟道耗尽型MOSFET 250V 10欧姆 SOT-89封装 | 系列：N沟道耗尽型MOSFET 我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。该第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了世界一流的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺可制造出适用于高功率应用且具有高输入阻抗的坚固耐用的器件。这些高可靠性的FET器件已广泛应用于我们面向工业和电信应用的固态继电器中。- N沟道耗尽型MOSFET 250V 10欧姆 SOT-89封装 | 系列：N沟道耗尽型MOSFET 我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。该第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了世界一流的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺可制造出适用于高功率应用且具有高输入阻抗的坚固耐用的器件。这些高可靠性的FET器件已广泛应用于我们面向工业和电信应用的固态继电器中。
- N沟道耗尽型MOSFET 250V 10欧姆 SOT-89封装 | 系列：N沟道耗尽型MOSFET 我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。该第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了世界一流的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺可制造出适用于高功率应用且具有高输入阻抗的坚固耐用的器件。这些高可靠性的FET器件已广泛应用于我们面向工业和电信应用的固态继电器中。
采用 DPAK/TO-252 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管
N沟道MOSFET，650V，12A，0.65Ω，TO-220F封装- N沟道MOSFET，650V，12A，0.65Ω，TO-220F封装
- N沟道MOSFET，650V，12A，0.65Ω，TO-220F封装
- N沟道900V、1.1Ω、8A、TO-220、TO-220FP、D2PAK、TO-247封装的齐纳保护SuperMESH功率MOSFET
采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET 特征 低栅极电荷 Qg 导致驱动要求简单 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性 完全表征电容和雪崩电压和电流- 采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET 特征 低栅极电荷 Qg 导致驱动要求简单 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性 完全表征电容和雪崩电压和电流
汽车级 N 沟道 80 V (DS) 175 °C MOSFET- 汽车级 N 沟道 80 V (DS) 175 °C MOSFET
- 汽车级 N 沟道 80 V (DS) 175 °C MOSFET
P沟道100V（DS）MOSFET 无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET- P沟道100V（DS）MOSFET 无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET