Datasheets - MOSFET单晶体管
小节: "MOSFET单晶体管"
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功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
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- 单 P 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET -30V、-11A、14mΩ 该 P 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺经过专门定制，可最大程度地降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合笔记本电脑应用：负载开关和电源管理、电池充电电路以及 DC/DC 转换。
EPC2361：100 V、101 A 增强型 GaN 功率晶体管 氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数，可实现极低的 RDS(on)，而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的 QG 和零 QRR。最终结果是一种器件可以处理需要极高开关频率和低导通时间的任务，以及那些导通损耗占主导地位的任务