Datasheets - MOSFET单晶体管

小节: "MOSFET单晶体管"
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  1. 采用 TO-220AB 封装的 30V 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET International Rectifier 的先进 HEXFETÆ 功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现每硅片区域的极低导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效和可靠的器件,可用于各种应用。
  2. 1.0 A、20 V、肖特基功率整流器,表面贴装 肖特基 Powermite 采用肖特基势垒原理,采用势垒金属和外延结构,可产生最佳的正向压降-反向电流折衷。先进的封装技术提供了一种高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热器设计,Powermite 具有与 SMA 相同的热性能,同时占用面积减少 50%,并提供业界最低的高度轮廓之一, 1.1 mm。由于其体积小,它非常适合用于便携式和电池供电的产品,例如蜂窝和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA ...
  1. TMOS E−FET 高能功率 FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate 这种先进的高压 TMOS E-FET 旨在承受雪崩模式下的高能量并高效切换。这种新的高能器件还提供具有快速恢复时间的漏源二极管。专为电源、PWM 电机控制和其他感应负载等高压、高速开关应用而设计,雪崩能量功能旨在消除感应负载开关设计中的猜测,并针对意外电压瞬变提供额外的安全裕度。
  2. Datasheet Vishay SI1308EDL-T1-BE3
    N 沟道 30 V (DS) MOSFET
  1. Datasheet Vishay SI1308EDL-T1-GE3
    N 沟道 30 V (DS) MOSFET
  2. N 沟道 30 V (DS) MOSFET
  3. Datasheet Texas Instruments CSD17303Q5
    30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 8-VSON-CLIP -55 至 150
  4. 30V 单个 N 通道 Power MOSFET, 采用 I-PAK 封装 The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive ...
  5. 30V 单个 N 通道 Power MOSFET, 采用 I-PAK 封装 The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive ...
  6. 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
  7. 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
  8. 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
  9. 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
  10. P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸,可实现硅的最佳利用,从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
  11. P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸,可实现硅的最佳利用,从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
  12. P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸,可实现硅的最佳利用,从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
  13. P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸,可实现硅的最佳利用,从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
  14. P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸,可实现硅的最佳利用,从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
  15. N 沟道 150V (DS) 175°C MOSFET
  16. N 沟道 200 V (DS) 175 °C MOSFET