Datasheets - 单FET、MOSFET
小节: "单FET、MOSFET"
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- 40V +175°C N沟道增强型MOSFET 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC-Q101 标准，并有 PPAP 支持，非常适合用于：电源管理功能、DC-DC 转换器和背光。
- 40V +175°C N沟道增强型MOSFET 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC-Q101 标准，并有 PPAP 支持，非常适合用于：电源管理功能、DC-DC 转换器和背光。
- 40V +175°C N沟道增强型MOSFET 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC-Q101 标准，并有 PPAP 支持，非常适合用于：电源管理功能、DC-DC 转换器和背光。
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- 40V +175°C N沟道增强型MOSFET 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC-Q101 标准，并有 PPAP 支持，非常适合用于：电源管理功能、DC-DC 转换器和背光。
- 40V +175°C N沟道增强型MOSFET 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC-Q101 标准，并有 PPAP 支持，非常适合用于：电源管理功能、DC-DC 转换器和背光。
- 40V +175°C N沟道增强型MOSFET 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC-Q101 标准，并有 PPAP 支持，非常适合用于：电源管理功能、DC-DC 转换器和背光。
40V 互补增强型 MOSFET H 桥 新一代互补 MOSFET H 桥采用 SOIC 封装，具有 2 个 N 通道和 2 个 P 通道。- 40V 互补增强型 MOSFET H 桥 新一代互补 MOSFET H 桥采用 SOIC 封装，具有 2 个 N 通道和 2 个 P 通道。
N沟道30 V 8 mΩ逻辑电平MOSFET，LFPAK封装 采用TrenchMOS技术的塑料封装逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品专为工业和通信应用而设计，并符合相关标准。- N沟道30 V 8 mΩ逻辑电平MOSFET，LFPAK封装 采用TrenchMOS技术的塑料封装逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品专为工业和通信应用而设计，并符合相关标准。
- N沟道30 V 8 mΩ逻辑电平MOSFET，LFPAK封装 采用TrenchMOS技术的塑料封装逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品专为工业和通信应用而设计，并符合相关标准。
小信号 MOSFET，30V，0.35A，3.7Ω，-30V，-0.2A，10.4Ω，互补 MCPH6 过时的 MCH6613 是一款小信号 MOSFET，30V、0.35A、3.7Ω、-30V、-0.2A、10.4Ω，与 MCPH6 互补，适用于通用开关设备应用。- 小信号 MOSFET，30V，0.35A，3.7Ω，-30V，-0.2A，10.4Ω，互补 MCPH6 过时的 MCH6613 是一款小信号 MOSFET，30V、0.35A、3.7Ω、-30V、-0.2A、10.4Ω，与 MCPH6 互补，适用于通用开关设备应用。
P 沟道增强型 MOSFET 这款新一代 100V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 (RDS (on)) ，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合 DC/DC 电源管理和主板/服务器应用。- P 沟道增强型 MOSFET 这款新一代 100V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 (RDS (on)) ，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合 DC/DC 电源管理和主板/服务器应用。
射频功率GaN-SiC HEMT 30 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLP24H4S30P 设计用于驱动高功率 CW 晶体管，并采用高性能 DFN 封装。- 射频功率GaN-SiC HEMT 30 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLP24H4S30P 设计用于驱动高功率 CW 晶体管，并采用高性能 DFN 封装。
- 射频功率GaN-SiC HEMT 30 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLP24H4S30P 设计用于驱动高功率 CW 晶体管，并采用高性能 DFN 封装。
射频功率GaN-SiC HEMT 300 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLF24H4LS300P 专为高功率 CW 应用而设计，采用高性能陶瓷封装。