Datasheets - MOSFET单晶体管

小节: "MOSFET单晶体管"
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  1. 30V同步N沟道增强模式MOSFET 新一代MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻(RDS(ON)),并保持出色的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
  2. 30V同步N沟道增强模式MOSFET 新一代MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻(RDS(ON)),并保持出色的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
  3. HEXFET功率MOSFET,V DSS = 55 V,R DS(on) = 16.5mΩ,I D = 30 A,TO-220AB
  4. HEXFET功率MOSFET,V DSS = 55 V,RDS (on) = 0.035Ω,I D = 30 A,TO-220AB
  1. MOSFET,55 V,12 A,TO-220 规格: 连续漏极电流Id:12 A 电流ID最大值:-12 A 当前温度:25°C 漏源电压Vds:55 V 满功率额定温度:25°C 结至外壳热阻A:3.3°C / W 引线间距:2.54 mm 安装类型:通孔 针数:3 晶体管数量:1 抵抗阻力Rds(on):172 MOhm 包装/箱:TO-220AB 引脚配置:A 引脚格式:1克 功耗Pd:45 W 脉冲电流Idm:48 A Rds(on)测试电压Vgs:-10 V ...
  2. Datasheet International Rectifier IRF9Z24NPBF
    MOSFET,55 V,12 A,TO-220 规格: 连续漏极电流Id:12 A 电流ID最大值:-12 A 当前温度:25°C 漏源电压Vds:55 V 满功率额定温度:25°C 结至外壳热阻A:3.3°C / W 引线间距:2.54 mm 安装类型:通孔 针数:3 晶体管数量:1 抵抗阻力Rds(on):172 MOhm 包装/箱:TO-220AB 引脚配置:A 引脚格式:1克 功耗Pd:45 W 脉冲电流Idm:48 A Rds(on)测试电压Vgs:-10 V ...
  3. 碳化硅MOSFET,增强模式
  4. 采用D2PAK封装的N沟道600 V,0.4 Ohm典型值,11 A MDmesh功率MOSFET 这些器件是使用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局联系在一起,产生了世界上最低的导通电阻和栅极电荷之一。因此,它们适用于要求最苛刻的高效转换器。 特征: 经过100%雪崩测试 低栅极输入电阻 低输入电容和栅极电荷
  5. N沟道600 V,0.4 Ohm典型值,11 A MDmesh功率MOSFET,采用TO-220封装 这些器件是使用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局联系在一起,产生了世界上最低的导通电阻和栅极电荷之一。因此,它们适用于要求最苛刻的高效转换器。 特征: 经过100%雪崩测试 低栅极输入电阻 低输入电容和栅极电荷
  6. Datasheet IXYS IXTP02N50D
    高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此,它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态,但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换,固态继电器,电流调节器和有功负载。 包装类型:TO-220
  7. Datasheet Littelfuse IXTP02N50D
    高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此,它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态,但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换,固态继电器,电流调节器和有功负载。 包装类型:TO-220
  8. Datasheet Littelfuse IXTU02N50D
    高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此,它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态,但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换,固态继电器,电流调节器和有功负载。 包装类型:TO-251
  9. Datasheet IXYS IXTU02N50D
    高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此,它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态,但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换,固态继电器,电流调节器和有功负载。 包装类型:TO-251
  10. Datasheet IXYS IXTY02N50D
    高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此,它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态,但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换,固态继电器,电流调节器和有功负载。 包装类型:TO-252
  11. Datasheet Littelfuse IXTY02N50D
    高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此,它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态,但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换,固态继电器,电流调节器和有功负载。 包装类型:TO-252
  12. N沟道耗尽型DMOS FET
  13. N沟道耗尽型DMOS FET
  14. N沟道耗尽型DMOS FET
  15. N沟道耗尽型DMOS FET
  16. N沟道耗尽型DMOS FET