Datasheets - MOSFET单晶体管

小节: "MOSFET单晶体管"
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  1. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2207
    200 V,54 A增强模式GaN功率晶体管 VDS,200伏 RDS(on),22兆欧 ID 14 A 脉冲ID,54 A
  2. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2215
    200 V,162 A增强型GaN功率晶体管 VDS,200伏 RDS(on),8兆欧 内径32 A 脉冲ID,162 A
  3. 30V N沟道MOSFET
  4. Datasheet Toshiba XPN7R104NC
    功率MOSFET(N沟道30V VDSS≤60V)
  1. Datasheet Toshiba XPN6R706NC
    功率MOSFET(N沟道30V VDSS≤60V)
  2. Datasheet Toshiba XPN3R804NC
    功率MOSFET(N沟道30V VDSS≤60V)
  3. Datasheet Toshiba XPN12006NC
    功率MOSFET(N沟道30V VDSS≤60V)
  4. Datasheet Vishay SiRA99DP-T1-GE3
    P通道30 V(DS)MOSFET
  5. P通道30 V(DS)MOSFET
  6. Datasheet International Rectifier IRL540NPBF
    MOSFET,N,100 V,36 A,TO-220 规格: 连续漏极电流Id:30 A 电流ID最大值:36 A 当前温度:25°C 漏源电压Vds:100 V 满功率额定温度:25°C 结至外壳热阻A:1.1°C / W 引线间距:2.54 mm 安装类型:通孔 针数:3 晶体管数量:1 导通电阻:44 MOhm 包装/箱:TO-220AB 功耗Pd:94 W 脉冲电流Idm:120 A Rds(on)测试电压Vgs:10 V SVHC:否SVHC(2010年12月15日) ...
  7. P通道1.8V额定PowerTrench MOSFET -20V,-2.4A,52mΩ
  8. P通道1.8V额定PowerTrench MOSFET -20V,-2.4A,52mΩ
  9. Datasheet Vishay SiZF300DT-T1-GE3
    具有肖特基二极管的双N沟道30 V(DS)MOSFET
  10. 具有肖特基二极管的双N沟道30 V(DS)MOSFET
  11. HF / VHF功率LDMOS晶体管 一种1200 W LDMOS功率晶体管,用于HF至700 MHz频段的广播应用和工业应用。
  12. Datasheet Ampleon BLF978PU
    HF / VHF功率LDMOS晶体管 一种1200 W LDMOS功率晶体管,用于HF至700 MHz频段的广播应用和工业应用。
  13. HF / VHF功率LDMOS晶体管 一种500 W LDMOS功率晶体管,用于HF至700 MHz频段的广播应用和工业应用。
  14. Datasheet Ampleon BLF974PU
    HF / VHF功率LDMOS晶体管 一种500 W LDMOS功率晶体管,用于HF至700 MHz频段的广播应用和工业应用。
  15. 30V同步N沟道增强模式MOSFET 新一代MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻(RDS(ON)),并保持出色的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
  16. 30V同步N沟道增强模式MOSFET 新一代MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻(RDS(ON)),并保持出色的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。