Datasheets - MOSFET单晶体管

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1. IRF2804L — Datasheet International Rectifier
   MOSFET单晶体管 International Rectifier IRF2804L
   HEXFET功率MOSFET 这款 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新加工技术，实现了单位硅片面积的极低导通电阻。此设计的其他特点包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特点结合起来使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
2. IRF2804S — Datasheet International Rectifier
   MOSFET单晶体管 International Rectifier IRF2804S
   HEXFET功率MOSFET 这款 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新加工技术，实现了单位硅片面积的极低导通电阻。此设计的其他特点包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特点结合起来使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。

3. IRF2804 — Datasheet International Rectifier
   MOSFET单晶体管 International Rectifier IRF2804
   HEXFET功率MOSFET 这款 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新加工技术，实现了单位硅片面积的极低导通电阻。此设计的其他特点包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特点结合起来使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
4. STF19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STF19NF20
   晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STF19NF20
   N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
5. STD19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STD19NF20
   晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STD19NF20
   N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
6. STB19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STB19NF20
   晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STB19NF20
   N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
7. STP19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STP19NF20
   晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STP19NF20
   N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
8. 2N7077 — Datasheet Inchange Semiconductor
   MOSFET单晶体管 Inchange Semiconductor 2N7077
   N 沟道 MOSFET 晶体管 电机驱动、DC-DC转换器、电源开关和电磁阀驱动
9. FHX35LG — Datasheet Eudyna Devices
   MOSFET单晶体管 Eudyna Devices FHX35LG
   超低噪声HEMT FHX35LG 是一款高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于 2-18GHz 频率范围内的通用低噪声高增益放大器。该器件采用经济高效、低寄生、密封 (LG) 或环氧密封 (LP) 金属陶瓷封装，适用于大容量电信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪声应用。
10. MTP50P03HDLG — Datasheet ON Semiconductor
    MOSFET单晶体管 ON Semiconductor MTP50P03HDL MTP50P03HDLG
    功率 MOSFET -30V -50A 25 毫欧姆单 P 通道 TO-220 逻辑电平 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
11. MTP50P03HDL — Datasheet ON Semiconductor
    MOSFET单晶体管 ON Semiconductor MTP50P03HDL
    功率 MOSFET -30V -50A 25 毫欧姆单 P 通道 TO-220 逻辑电平 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
12. MTP50P03HDL — Datasheet ON Semiconductor
    MOSFET单晶体管 ON Semiconductor MTP50P03HDL
    功率 MOSFET -30V -50A 25 毫欧姆单 P 通道 TO-220 逻辑电平 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
13. IRL3502 — Datasheet International Rectifier
    MOSFET单晶体管 International Rectifier IRL3502
    HEXFET功率MOSFET
14. 2SK1056-E — Datasheet Renesas
    MOSFET单晶体管 Renesas 2SK1056 2SK1056-E
    硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
15. 2SK1056 — Datasheet Renesas
    MOSFET单晶体管 Renesas 2SK1056
    硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
16. 2SK1057-E — Datasheet Renesas
    MOSFET单晶体管 Renesas 2SK1057 2SK1057-E
    硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
17. 2SK1057 — Datasheet Renesas
    MOSFET单晶体管 Renesas 2SK1057
    硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
18. 2SK1058-E — Datasheet Renesas
    MOSFET单晶体管 Renesas 2SK1058 2SK1058-E
    硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
19. 2SK1058 — Datasheet Renesas
    MOSFET单晶体管 Renesas 2SK1058
    硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
20. 2SJ160-E — Datasheet Renesas
    MOSFET单晶体管 Renesas 2SJ160 2SJ160-E
    硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计