N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管20V，1.3A，0.21Ω 这些 N 沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用 ON Semiconductor 专有的高单元密度 DMOS 技术生产。这种非常高密度的工艺是专门为最大限度地降低导通电阻而定制的。这些器件特别适合笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡和其他电池供电电路中的低压应用，这些应用需要在外形非常小的表面贴装封装中实现快速开关和低串联功率损耗。
N 通道数字 FET 25V、0.68A、0.45Ω 这些 N 沟道增强模式场效应晶体管是使用专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种非常高密度的工艺专为在低栅极驱动条件下最小化导通电阻而设计。该器件专为使用一节锂电池或三节镉或 NMH 电池的电池电路而设计。它可用作逆变器或用于蜂窝电话和寻呼机等紧凑型便携式电子设备中的高效微型离散 DC/DC 转换。即使在低至 2.5 伏的栅极驱动电压下，该器件也具有出色的导通电阻。