Datasheets - MOSFET单晶体管 Advanced Linear Devices

小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "Advanced Linear Devices"
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  1. 双 P 沟道匹配对 MOSFET 阵列 ALD1107/ALD1117 是单片四/双 P 沟道增强模式匹配 MOSFET 晶体管阵列,适用于各种精密模拟应用。 ALD1107/ALD1117 提供高输入阻抗和负电流温度系数。这些晶体管对可实现最小失调电压和差分热响应,专为 -2V 至 -10V 系统中需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度的精密模拟开关和放大应用而设计。 这些 MOSFET 器件在低频或接近直流的工作环境中具有非常大(几乎无限)的电流增益。 ALD1107/ ...
  2. 四路 P 沟道匹配对 MOSFET 阵列 ALD1107/ALD1117 是单片四/双 P 沟道增强模式匹配 MOSFET 晶体管阵列,适用于各种精密模拟应用。 ALD1107/ALD1117 提供高输入阻抗和负电流温度系数。这些晶体管对可实现最小失调电压和差分热响应,专为 -2V 至 -10V 系统中需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度的精密模拟开关和放大应用而设计。 这些 MOSFET 器件在低频或接近直流的工作环境中具有非常大(几乎无限)的电流增益。 ALD1107/ ...
  1. 四/双 N 沟道匹配对 Mosfet 阵列 ALD1106/ALD1116 是单片四/双 N 沟道增强模式匹配 MOSFET 晶体管阵列,适用于各种精密模拟应用。 ALD1106/ALD1116 提供高输入阻抗和负电流温度系数。 这些晶体管对可实现最小失调电压和差分热响应,专为需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度的+2V至+10V系统中的精密模拟开关和放大应用而设计。这些 MOSFET 器件在低频或接近直流的工作环境中具有非常大(几乎无限)的电流增益。 ALD1106/ ...
  2. 四/双 N 沟道匹配对 Mosfet 阵列 ALD1106/ALD1116 是单片四/双 N 沟道增强模式匹配 MOSFET 晶体管阵列,适用于各种精密模拟应用。 ALD1106/ALD1116 提供高输入阻抗和负电流温度系数。 这些晶体管对可实现最小失调电压和差分热响应,专为需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度的+2V至+10V系统中的精密模拟开关和放大应用而设计。这些 MOSFET 器件在低频或接近直流的工作环境中具有非常大(几乎无限)的电流增益。 ALD1106/ ...

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