Datasheet STMicroelectronics STP11NM60 — 数据表

制造商STMicroelectronics
系列STP11NM60
零件号STP11NM60

N沟道600 V,0.4 Ohm典型值,11 A MDmesh功率MOSFET,采用TO-220封装

数据表

Datasheet STB11NM60T4, STP11NM60
PDF, 639 Kb, 语言: en, 文件上传: May 15, 2020, 页数: 21
N-channel 600 V, 0.4 Ω typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D²PAK and TO-220
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Datasheet
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价格

详细说明

这些器件是使用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局联系在一起,产生了世界上最低的导通电阻和栅极电荷之一。因此,它们适用于要求最苛刻的高效转换器。

特征:

  • 经过100%雪崩测试
  • 低栅极输入电阻
  • 低输入电容和栅极电荷

状态

Lifecycle StatusNRND (Not recommended for new designs)

打包

PackageTO-220AB

其他选择

STB11NM60T4

制造商分类

  • Power Transistors > Power MOSFETs > STPOWER N-channel MOSFETs > 350 V to 700 V