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MOSFET单晶体管
Vishay
Datasheets - MOSFET单晶体管 Vishay
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MOSFET单晶体管
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MOSFET单晶体管
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Vishay
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SiHF530
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IRFZ24PbF-BE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFZ24
IRFZ24PbF-BE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFZ24
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
SiHFU9310 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFU9310
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFU9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
IRFU9310PbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFU9310
IRFU9310PbF
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFU9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
IRFR9310TRLPbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFR9310
IRFR9310TRLPbF
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
Si2334DS — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
Si2334DS
N 沟道 30 V (DS) MOSFET
IRFP240PbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFP240
IRFP240PbF
功率MOSFET
TN0200K — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
TN0200K
N 沟道 20V (DS) MOSFET
SiHLU024 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHLU024
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本(IRLU、SiHLU 系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功耗水平可能高达 1.5 W。
SiHLR024 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHLR024
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本(IRLU、SiHLU 系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功耗水平可能高达 1.5 W。
IRLU024PbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRLU024
IRLU024PbF
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本(IRLU、SiHLU 系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功耗水平可能高达 1.5 W。
IRLR024PbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRLR024
IRLR024PbF
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本(IRLU、SiHLU 系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功耗水平可能高达 1.5 W。
SiHF840L-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHF840L
SiHF840L-GE3
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
IRF840LPbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRF840L
IRF840LPbF
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
IRFP9140PbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFP9140
IRFP9140PbF
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
IRFP140PbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFP140
IRFP140PbF
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
IRF510PbF-BE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRF510
IRF510PbF-BE3
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
Si3457CDV-T1-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
Si3457CDV
Si3457CDV-T1-GE3
P通道30 V(DS)MOSFET TrenchFET 功率 MOSFET
SiHF640 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHF640
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
IRF640PbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRF640
IRF640PbF
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
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