Datasheets - MOSFET单晶体管 Vishay

小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "Vishay"
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  1. N 沟道 30 V (DS) MOSFET
  2. Datasheet Vishay IRFP240PbF
    功率MOSFET
  1. N 沟道 20V (DS) MOSFET
  2. 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本(IRLU、SiHLU 系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功耗水平可能高达 1.5 W。
  3. 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本(IRLU、SiHLU 系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功耗水平可能高达 1.5 W。
  4. 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本(IRLU、SiHLU 系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功耗水平可能高达 1.5 W。
  5. 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本(IRLU、SiHLU 系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功耗水平可能高达 1.5 W。
  6. Datasheet Vishay SiHF840L-GE3
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
  7. Datasheet Vishay IRF840LPbF
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
  8. Datasheet Vishay IRFP9140PbF
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
  9. Datasheet Vishay IRFP140PbF
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
  10. Datasheet Vishay IRF510PbF
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  11. Datasheet Vishay Si3457CDV-T1-GE3
    P通道30 V(DS)MOSFET TrenchFET 功率 MOSFET
  12. Datasheet Vishay SiHF640
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  13. 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  14. 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 4 引脚 DIP 封装是一种低成本的机器可插入外壳样式,可以在标准 0.1 引脚中心以多种组合堆叠。双漏极用作安装表面的热连接,功耗水平高达 1 W。
  15. N 沟道 30 V (DS) MOSFET
  16. N 沟道 30 V (DS) MOSFET
  17. N 沟道 150V (DS) 175°C MOSFET
  18. N 沟道 200 V (DS) 175 °C MOSFET

排序方式: 关联 / 日期