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数据表MOSFET单晶体管
Microchip

Datasheets - MOSFET单晶体管 Microchip

小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "Microchip"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed
系列
2N6660 2N7000 2N7002 DN1509 DN2450 DN2470 DN2530 DN2535 DN2540 DN2625 DN3135 DN3145 DN3525 DN3535 DN3545 DN3765 HT0440 LND01 LND150 LND250 MCP87018 MCP87022 MCP87030 MCP87050 MCP87055 MCP87090 MCP87130 MIC2025 MIC2026 MIC2026A MIC2027 MIC2033 MIC2039 MIC2040 MIC2041 MIC2042 MIC2043 MIC2044 MIC2045 MIC2075 MIC2076 MIC2076A MIC2077 MIC2090 MIC2091 MIC2514 MIC4609 TC4423A TC4424A TC4425A VP0550
搜索结果: 51 输出量: 1-20

视图: 清单 / 图片

  1. VP0550N3-G — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip VP0550 VP0550N3-G
    这种增强模式（常关）晶体管利用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅制造工艺
  2. LND250K1-G — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip LND250 LND250K1-G
    N沟道耗尽型DMOS FET
  1. LND150K1-G — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip LND150 LND150K1-G
    N沟道耗尽型DMOS FET
  2. LND01K1-G — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip LND01 LND01K1-G
    MOSFET，横向N沟道耗尽模式
  3. DN3765K4-G — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip DN3765 DN3765K4-G
    650V，8 Ohm，N沟道，耗尽模式，垂直DMOS FET
  4. DN3545 — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip DN3545
    450V，20Ω，N沟道，耗尽模式，垂直DMOS FET
  5. DN3535 — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip DN3535
    350V，10 Ohm，N沟道，耗尽模式，垂直DMOS FET
  6. DN3525N8-G — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip DN3525 DN3525N8-G
    250V，6Ω，N沟道，耗尽型，垂直DMOS FET
  7. DN3145N8-G — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip DN3145 DN3145N8-G
    450V，60Ω，N沟道，耗尽型，垂直DMOS FET
  8. DN3135K1-G — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip DN3135 DN3135K1-G
    350V，35Ω，N沟道，耗尽型，垂直DMOS FET
  9. DN2625DK6-G — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip DN2625 DN2625DK6-G
    250V，3.5Ω，N沟道，耗尽型，垂直DMOS FET
  10. DN2540N3-G — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip DN2540 DN2540N3-G
    400V，25Ω，N沟道，耗尽模式，垂直DMOS FET
  11. DN2535N3-G — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip DN2535 DN2535N3-G
    350V，25Ω，N沟道，耗尽型，垂直DMOS FET
  12. DN2530N3-G — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip DN2530 DN2530N3-G
    300V，12Ω，N沟道，耗尽型，垂直DMOS FET
  13. DN2450 — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip DN2450
    500V，10Ω，N沟道，耗尽模式，垂直DMOS FET
  14. DN2470K4-G — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip DN2470 DN2470K4-G
    700V，42Ω，N沟道，耗尽型，垂直DMOS FET
  15. DN1509 — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip DN1509
    90V，6Ω，N沟道，耗尽模式，垂直DMOS FET
  16. MIC4609YWM-TR — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip MIC4609 MIC4609YWM-TR
    600V三相MOSFET或IGBT驱动器。 MIC4609具有300ns的典型输入滤波时间，可防止不必要的脉冲和550ns的传播延迟。 MIC4609具有TTL输入阈值。 MIC4609的稳健运行可确保输出不受电源故障，HS接地振铃或高速电压转换引起的HS摆幅的影响。低端和高端驱动器均提供欠压保护。 MIC4609采用28引脚宽SOIC封装。 MIC4609的工作结温范围为–40°C至+ 125°C。
  17. 2N6660 — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip 2N6660
    60V，3Ω，N通道，增强模式，垂直DMOS FET
  18. MIC2514YM5-TR — Datasheet Microchip
    MOSFET单晶体管 Microchip MIC2514 MIC2514YM5-TR
    MIC2514是集成的高端电源开关，由TTL兼容输入和受保护的P沟道MOSFET组成

排序方式: 关联 / 日期