Datasheets - MOSFET单晶体管 Motorola
小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "Motorola"
制造商
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- TMOS E-FET功率场效应晶体管-N沟道增强模式硅栅极-TMOS功率FET 2.0安培500伏RDS（on）= 3.6欧姆-案例221A–06，类型5，TO–220AB 这款高压MOSFET使用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力，而不会随时间降低性能。此外，这种先进的TMOS E-FET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。
- N通道增强模式硅栅，已淘汰-无替换部件 这种高压MOSFET使用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力，而不会随着时间的推移而降低性能。此外，这种先进的TMOS E-FET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极至源极二极管。这些器件专为电源，转换器和PWM电动机控制中的高压，高速开关应用而设计，特别适合于二极管速度和换向安全工作区域至关重要的桥接电路，并为意外的电压瞬变提供了额外的安全裕度。 特征 稳固的高压端接 指定雪崩能量 ...
P通道增强模式硅栅极 TMOS功率FET逻辑电平 15安培 60伏 RDS（on）= 175MΩ 这种先进的高单元密度HDTMOS E-FET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。新的节能设计还提供了一种漏源二极管，恢复时间短。设计用于电源，转换器和PWM电机控制以及其他电感性负载的低压，高速开关应用。规定了雪崩能量的能力，以消除开关电感性负载的设计中的猜测，并为意外的电压瞬变提供额外的安全裕度。