Datasheets - 单FET、MOSFET - 10

小节: "单FET、MOSFET"
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  1. N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
  2. Datasheet Vishay IRLZ44PBF
    功率MOSFET
  1. N沟道增强型晶体管
  2. P 沟道 80 V (DS) MOSFET
  3. N 沟道 60V (DS) 额定 MOSFET
  4. Datasheet NXP BF909R,235
    N 沟道双栅极 MOSFET 不再制造 恩智浦不再接受该部件的订单,也不再生产该部件。
  5. Datasheet NXP BF909,235
    N 沟道双栅极 MOSFET 不再制造 恩智浦不再接受该部件的订单,也不再生产该部件。替换零件:BF1211。
  6. Datasheet Vishay IRF540PBF
    功率MOSFET
  7. Datasheet Vishay Si3430DV-T1-E3
    N 沟道 100 V (DS) MOSFET
  8. 功率MOSFET
  9. TinyLogic ULP-A 通用可配置 2 输入逻辑门 NC7SV57 和 NC7SV58 是来自 ON Semiconductor 的超低功耗 (ULP-A) 系列 TinyLogic 的通用可配置两输入逻辑门。 ULP-A 非常适合需要极高速、高驱动和低功耗的应用。该产品专为宽低电压工作范围(0.9V 至 3.6V VCC)以及需要比 TinyLogic ULP 系列更高的驱动和速度的应用而设计,但仍提供一流的低功耗操作。每个器件都能够针对 5 个独特的两输入逻辑功能中的 1 ...
  10. -12A、-100V、0.30 欧姆、P 沟道功率 MOSFET
  11. 功率MOS晶体管
  12. 功率MOS晶体管
  13. 功率 MOSFET 30V 35A 15 mOhm 单 N 沟道 DPAK 功率MOSFET 30 V,35 A,单N通道,DPAK / IPAK
  14. Datasheet Fairchild FDV301N
    数字 FET,N 沟道 规格: 连续漏极电流 Id:220 mA 电流 ID 最大值:220 mA 当前温度:25°C 漏源电压 Vds:25 V ESD HBM:6 kV 外部深度:2.5 毫米 外部长度/高度:1.12 毫米 外宽:3.05 毫米 全功率额定温度:25°C 安装类型:贴片 引脚数:3 晶体管数量:1 电阻 Rds(on): 5 Ohm 包装/箱:SOT-23 功耗:350 mW 脉冲电流 Idm:500 mA Rds(on) 测试电压 Vgs:2.7 V ...
  15. 功率MOSFET 功率 MOSFET 100 V、12 A、N 沟道、逻辑电平 DPAK
  16. 30V N沟道MOSFET
  17. 30V N沟道MOSFET
  18. 30V P 沟道 MOSFET