Datasheets - 单FET、MOSFET - 10
小节: "单FET、MOSFET"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed搜索结果: 8,202 输出量: 181-200
视图: 清单 / 图片
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
- -60V-100V 小信号 MOSFET 封装：SOT-23
- P 沟道、POWERTRENCH、逻辑电平 MOSFET 此 60 V P 沟道 MOSFET 使用 onsemi 的高压 POWERTRENCH 工艺。它针对电源管理应用进行了优化。
- P通道30 V（DS）MOSFET TrenchFET 功率 MOSFET
P通道30 V（DS）MOSFET TrenchFET 功率 MOSFET- P通道30 V（DS）MOSFET TrenchFET 功率 MOSFET
- N 沟道 75 V、0.0095 Ohm（典型值）、80 A STripFET II 功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现，专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此，它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
- N 沟道 75 V、0.0095 Ohm（典型值）、80 A STripFET II 功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现，专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此，它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
- N 沟道 75 V、0.0095 Ohm（典型值）、80 A STripFET II 功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现，专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此，它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
- N 沟道 75 V、0.0095 Ohm（典型值）、80 A STripFET II 功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现，专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此，它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。