Datasheets - 单FET、MOSFET - 10
小节: "单FET、MOSFET"
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N 沟道 100 V (DS) MOSFET
功率MOSFET
- TinyLogic ULP-A 通用可配置 2 输入逻辑门 NC7SV57 和 NC7SV58 是来自 ON Semiconductor 的超低功耗 (ULP-A) 系列 TinyLogic 的通用可配置两输入逻辑门。 ULP-A 非常适合需要极高速、高驱动和低功耗的应用。该产品专为宽低电压工作范围（0.9V 至 3.6V VCC）以及需要比 TinyLogic ULP 系列更高的驱动和速度的应用而设计，但仍提供一流的低功耗操作。每个器件都能够针对 5 个独特的两输入逻辑功能中的 1 ...
- -12A、-100V、0.30 欧姆、P 沟道功率 MOSFET
- 功率MOS晶体管
- 功率MOS晶体管
- 功率 MOSFET 30V 35A 15 mOhm 单 N 沟道 DPAK 功率MOSFET 30 V，35 A，单N通道，DPAK / IPAK
数字 FET，N 沟道 规格： 连续漏极电流 Id：220 mA 电流 ID 最大值：220 mA 当前温度：25°C 漏源电压 Vds：25 V ESD HBM：6 kV 外部深度：2.5 毫米 外部长度/高度：1.12 毫米 外宽：3.05 毫米 全功率额定温度：25°C 安装类型：贴片 引脚数：3 晶体管数量：1 电阻 Rds(on): 5 Ohm 包装/箱：SOT-23 功耗：350 mW 脉冲电流 Idm：500 mA Rds(on) 测试电压 Vgs：2.7 V ...- 功率MOSFET 功率 MOSFET 100 V、12 A、N 沟道、逻辑电平 DPAK
- 30V N沟道MOSFET
- 30V N沟道MOSFET
- 30V P 沟道 MOSFET
- 采用 PowerFLAT 5x6 封装的 N 沟道 45 V、1.4 mOhm 典型值、120 A STripFET F7 功率 MOSFET 所有功能 市场上最低的 R DS(on) 优秀的 FoM（品质因数） EMI 抗扰度的低 C rss /C iss 比 高雪崩坚固性
- 采用TO-220AB封装的-100V单P沟道HEXFET功率MOSFET
- N沟道增强型晶体管
- P 沟道增强模式垂直 Dmos FET
- 30V N 沟道 PowerTrench MOSFET
- 采用 TO-220 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试
- 采用 TO-220FP 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试
- 采用 D2PAK 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试