Datasheets - MOSFET单晶体管 - 10
小节: "MOSFET单晶体管"
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- TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
- TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
- TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
- TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
- N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 100V、170 mA、6Ω 这种 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。该产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。BSS123 特别适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用.
- N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 100V、170 mA、6Ω 这种 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。该产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。BSS123 特别适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用.
- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
- 采用 TO-220AB 封装的 30V 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET International Rectifier 的先进 HEXFETÆ 功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现每硅片区域的极低导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。
- TMOS E−FET 高能功率 FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate 这种先进的高压 TMOS E-FET 旨在承受雪崩模式下的高能量并高效切换。这种新的高能器件还提供具有快速恢复时间的漏源二极管。专为电源、PWM 电机控制和其他感应负载等高压、高速开关应用而设计，雪崩能量功能旨在消除感应负载开关设计中的猜测，并针对意外电压瞬变提供额外的安全裕度。
N 沟道 30 V (DS) MOSFET- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 8-VSON-CLIP -55 至 150- 30V 单个 N 通道 Power MOSFET, 采用 I-PAK 封装 The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive ...
- 30V 单个 N 通道 Power MOSFET, 采用 I-PAK 封装 The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive ...
- 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
- 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
- 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...