Datasheets - MOSFET单晶体管 - 2
小节: "MOSFET单晶体管"
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- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。
- P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。
- 横向 N 沟道宽带射频功率 MOSFET，2700-2900 MHz，320 W，30 V
- 横向 N 沟道宽带射频功率 MOSFET，2700-2900 MHz，320 W，30 V
P 沟道增强型 MOSFET- P 沟道增强型 MOSFET
- P 沟道增强型 MOSFET
- 硅 N 沟道 MOSFET
- 功率MOS V 400V 93A 0.035Ω Power MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术最大限度地减少了 JFET 效应，提高了封装密度并降低了导通电阻。功率 MOS V 还通过优化栅极布局实现更快的开关速度。
- 具有扩频功能的低 IQ 同步升压控制器 HL8021 是一款高性能升压控制器，可驱动 N 沟道 MOSFET 同步升压功率级，可在 4.5V 至 40V 的宽输入电源范围内工作。当控制器受到输出电压的偏置时，控制器在启动后可以使用低至 1V 的输入电源运行。
- 具有扩频功能的低 IQ 同步升压控制器 HL8021 是一款高性能升压控制器，可驱动 N 沟道 MOSFET 同步升压功率级，可在 4.5V 至 40V 的宽输入电源范围内工作。当控制器受到输出电压的偏置时，控制器在启动后可以使用低至 1V 的输入电源运行。
采用 TO-220 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET IR MOSFET 系列功率 MOSFET 采用经过验证的硅工艺，为设计人员提供了广泛的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些器件可用于各种应用表面贴装和通孔封装具有行业标准尺寸，易于设计。- 采用 TO-220 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET IR MOSFET 系列功率 MOSFET 采用经过验证的硅工艺，为设计人员提供了广泛的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些器件可用于各种应用表面贴装和通孔封装具有行业标准尺寸，易于设计。
- 双 P 沟道匹配对 MOSFET 阵列 ALD1107/ALD1117 是单片四/双 P 沟道增强模式匹配 MOSFET 晶体管阵列，适用于各种精密模拟应用。 ALD1107/ALD1117 提供高输入阻抗和负电流温度系数。这些晶体管对可实现最小失调电压和差分热响应，专为 -2V 至 -10V 系统中需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度的精密模拟开关和放大应用而设计。 这些 MOSFET 器件在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无限）的电流增益。 ALD1107/ ...
- 四路 P 沟道匹配对 MOSFET 阵列 ALD1107/ALD1117 是单片四/双 P 沟道增强模式匹配 MOSFET 晶体管阵列，适用于各种精密模拟应用。 ALD1107/ALD1117 提供高输入阻抗和负电流温度系数。这些晶体管对可实现最小失调电压和差分热响应，专为 -2V 至 -10V 系统中需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度的精密模拟开关和放大应用而设计。 这些 MOSFET 器件在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无限）的电流增益。 ALD1107/ ...
- 四/双 N 沟道匹配对 Mosfet 阵列 ALD1106/ALD1116 是单片四/双 N 沟道增强模式匹配 MOSFET 晶体管阵列，适用于各种精密模拟应用。 ALD1106/ALD1116 提供高输入阻抗和负电流温度系数。 这些晶体管对可实现最小失调电压和差分热响应，专为需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度的+2V至+10V系统中的精密模拟开关和放大应用而设计。这些 MOSFET 器件在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无限）的电流增益。 ALD1106/ ...
- 四/双 N 沟道匹配对 Mosfet 阵列 ALD1106/ALD1116 是单片四/双 N 沟道增强模式匹配 MOSFET 晶体管阵列，适用于各种精密模拟应用。 ALD1106/ALD1116 提供高输入阻抗和负电流温度系数。 这些晶体管对可实现最小失调电压和差分热响应，专为需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度的+2V至+10V系统中的精密模拟开关和放大应用而设计。这些 MOSFET 器件在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无限）的电流增益。 ALD1106/ ...
功率MOSFET- 功率MOSFET