Datasheets - MOSFET单晶体管 - 9

小节: "MOSFET单晶体管"
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  1. 数字 FET,N 沟道
  2. Datasheet Fairchild FDV303N
    数字 FET,N 沟道
  1. N 通道数字 FET 25V、0.68A、0.45Ω 这些 N 沟道增强模式场效应晶体管是使用专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种非常高密度的工艺专为在低栅极驱动条件下最小化导通电阻而设计。该器件专为使用一节锂电池或三节镉或 NMH 电池的电池电路而设计。它可用作逆变器或用于蜂窝电话和寻呼机等紧凑型便携式电子设备中的高效微型离散 DC/DC 转换。即使在低至 2.5 伏的栅极驱动电压下,该器件也具有出色的导通电阻。
  2. N 通道数字 FET 25V、0.68A、0.45Ω 这些 N 沟道增强模式场效应晶体管是使用专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种非常高密度的工艺专为在低栅极驱动条件下最小化导通电阻而设计。该器件专为使用一节锂电池或三节镉或 NMH 电池的电池电路而设计。它可用作逆变器或用于蜂窝电话和寻呼机等紧凑型便携式电子设备中的高效微型离散 DC/DC 转换。即使在低至 2.5 伏的栅极驱动电压下,该器件也具有出色的导通电阻。
  3. N 通道数字 FET 25V、0.68A、0.45Ω 这些 N 沟道增强模式场效应晶体管是使用专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种非常高密度的工艺专为在低栅极驱动条件下最小化导通电阻而设计。该器件专为使用一节锂电池或三节镉或 NMH 电池的电池电路而设计。它可用作逆变器或用于蜂窝电话和寻呼机等紧凑型便携式电子设备中的高效微型离散 DC/DC 转换。即使在低至 2.5 伏的栅极驱动电压下,该器件也具有出色的导通电阻。
  4. Datasheet Nexperia PMF170XP,115
    20 V、1 A P 沟道沟槽 MOSFET P 通道增强模式场效应晶体管 (FET),采用 SOT323 (SC-70) 小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,采用 Trench MOSFET 技术。
  5. 20 V、1 A P 沟道沟槽 MOSFET P 通道增强模式场效应晶体管 (FET),采用 SOT323 (SC-70) 小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,采用 Trench MOSFET 技术。
  6. P通道40V(DS)MOSFET
  7. P通道40V(DS)MOSFET
  8. Datasheet Fairchild FDN302P
    零件编号: FDN302P 制造商: 飞兆半导体 说明:MOSFET,P,SMD,SSOT-3 下载数据表 案卷: FDN302P 2000年10月 FDN302P P通道2.5V额定PowerTrench MOSFET 一般说明 规格: 连续漏极电流Id:-2.4 A 电流最大值:-2.4 A 漏源电压Vds:-20 V 安装类型:SMD 针数:3 抵抗阻力Rds(on):55 MOhm 包装/箱:SuperSOT-3 功耗:500 mW Rds(on)测试电压Vgs:-4.5 V ...
  9. Datasheet Vishay SI2369DS-T1-BE3
    P通道30 V(DS)MOSFET
  10. Datasheet Vishay SI2369DS-T1-GE3
    P通道30 V(DS)MOSFET
  11. P通道30 V(DS)MOSFET
  12. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2302
    增强型功率晶体管 VDS,100 伏 RDS(on),1.8mΩ 身份证,101A 脉冲 ID,408 A
  13. N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
  14. N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
  15. N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
  16. N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
  17. Datasheet Vishay IRLZ44PBFF-BE3
    功率MOSFET
  18. Datasheet Vishay SIHLZ44-E3
    功率MOSFET