Datasheets - 单FET、MOSFET - 9
小节: "单FET、MOSFET"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse Magnachip MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba VBsemi Vishay Wayon Wolfspeed搜索结果: 7,001 输出量: 161-180
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- N 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET 30V、2.7A、46mΩ 这种 N 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺经过特别定制，可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
功率 MOSFET (N-ch 500V VDSS≤700V)
- 小信号 MOSFET 200V 250mA 10 Ohm 单 N 通道 TO-92 逻辑电平 该 MOSFET 专为高压、高速开关应用而设计，例如线路驱动器、继电器驱动器、CMOS 逻辑、微处理器或 TTL 至高压接口和高压显示驱动器。
- 30V N沟道MOSFET
- SIPMOS功率晶体管
- N 沟道 50V -0.085Ω -17A TO-220 STripFET 功率 MOSFET
- N 沟道增强模式垂直 Dmos 场效应管
- P 沟道增强模式垂直 Dmos FET
- 35V P 沟道 PowerTrench MOSFET
N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管- 数字 FET，N 沟道
- N 通道数字 FET 25V、0.68A、0.45Ω 这些 N 沟道增强模式场效应晶体管是使用专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种非常高密度的工艺专为在低栅极驱动条件下最小化导通电阻而设计。该器件专为使用一节锂电池或三节镉或 NMH 电池的电池电路而设计。它可用作逆变器或用于蜂窝电话和寻呼机等紧凑型便携式电子设备中的高效微型离散 DC/DC 转换。即使在低至 2.5 伏的栅极驱动电压下，该器件也具有出色的导通电阻。
20 V、1 A P 沟道沟槽 MOSFET P 通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用 SOT323 (SC-70) 小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。- P通道40V（DS）MOSFET
零件编号： FDN302P 制造商： 飞兆半导体 说明：MOSFET，P，SMD，SSOT-3 下载数据表 案卷： FDN302P 2000年10月 FDN302P P通道2.5V额定PowerTrench MOSFET 一般说明 规格： 连续漏极电流Id：-2.4 A 电流最大值：-2.4 A 漏源电压Vds：-20 V 安装类型：SMD 针数：3 抵抗阻力Rds（on）：55 MOhm 包装/箱：SuperSOT-3 功耗：500 mW Rds（on）测试电压Vgs：-4.5 V ...
P通道30 V（DS）MOSFET
增强型功率晶体管 VDS，100 伏 RDS(on)，1.8mΩ 身份证，101A 脉冲 ID，408 A- N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
- N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
- N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管