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Datasheets - 单FET、MOSFET - 9

小节: "单FET、MOSFET"
制造商
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  1. EPC2305 — Datasheet Efficient Power Conversion
    单FET、MOSFET Efficient Power Conversion EPC2305
    150 V、329 A 增强型 GaN 功率晶体管
  2. EPC2304 — Datasheet Efficient Power Conversion
    单FET、MOSFET Efficient Power Conversion EPC2304
    200 V、260 A 增强型 GaN 功率晶体管
  1. IRFD110PbF — Datasheet Vishay
    单FET、MOSFET Vishay IRFD110 IRFD110PbF
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 4 引脚 DIP 封装是一种低成本的机器可插入外壳样式，可以在标准 0.1 引脚中心以多种组合堆叠。双漏极用作安装表面的热连接，功耗水平高达 1 W。
  2. IRFD110 — Datasheet Vishay
    单FET、MOSFET Vishay IRFD110
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 4 引脚 DIP 封装是一种低成本的机器可插入外壳样式，可以在标准 0.1 引脚中心以多种组合堆叠。双漏极用作安装表面的热连接，功耗水平高达 1 W。
  3. CDM22010-650 — Datasheet Central Semiconductor
    单FET、MOSFET Central Semiconductor CDM22010-650
    通孔MOSFET N沟道增强模式大电流
  4. CDM22010-650 — Datasheet Central Semiconductor
    单FET、MOSFET Central Semiconductor CDM22010-650
    Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650
    10A,650V 通孔MOSFET N沟道增强型大电流
  5. CDM22010-650 SL — Datasheet Central Semiconductor
    单FET、MOSFET Central Semiconductor CDM22010-650 CDM22010-650 SL
    Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650 SL
    10A,650V 通孔MOSFET N沟道增强型大电流
  6. CDM22011-600LRFP SL — Datasheet Central Semiconductor
    单FET、MOSFET Central Semiconductor CDM22011-600LRFP CDM22011-600LRFP SL
    Datasheet Central Semiconductor CDM22011-600LRFP SL
    通孔MOSFET N沟道增强模式-UltraMOS
  7. CDM22011-600LRFP — Datasheet Central Semiconductor
    单FET、MOSFET Central Semiconductor CDM22011-600LRFP
    通孔MOSFET N沟道增强模式-UltraMOS
  8. MTP10N08 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    单FET、MOSFET New Jersey Semiconductor MTP10N08
    N 沟道功率 MOSFET，11 A，60-100 V 这些器件是 n 沟道、增强型功率 MOSFET，专为高速应用而设计，例如开关电源、转换器、交流和直流电机控制、继电器和螺线管驱动器以及其他脉冲电路。
  9. MTP10N10 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    单FET、MOSFET New Jersey Semiconductor MTP10N10
    N 沟道功率 MOSFET，11 A，60-100 V 这些器件是 n 沟道、增强型功率 MOSFET，专为高速应用而设计，例如开关电源、转换器、交流和直流电机控制、继电器和螺线管驱动器以及其他脉冲电路。
  10. IRF120 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    单FET、MOSFET New Jersey Semiconductor IRF120
    N 沟道功率 MOSFET，11 A，60-100 V 这些器件是 n 沟道、增强型功率 MOSFET，专为高速应用而设计，例如开关电源、转换器、交流和直流电机控制、继电器和螺线管驱动器以及其他脉冲电路。
  11. IRF121 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    单FET、MOSFET New Jersey Semiconductor IRF121
    N 沟道功率 MOSFET，11 A，60-100 V 这些器件是 n 沟道、增强型功率 MOSFET，专为高速应用而设计，例如开关电源、转换器、交流和直流电机控制、继电器和螺线管驱动器以及其他脉冲电路。
  12. IRF122 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    单FET、MOSFET New Jersey Semiconductor IRF122
    N 沟道功率 MOSFET，11 A，60-100 V 这些器件是 n 沟道、增强型功率 MOSFET，专为高速应用而设计，例如开关电源、转换器、交流和直流电机控制、继电器和螺线管驱动器以及其他脉冲电路。
  13. IRF123 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    单FET、MOSFET New Jersey Semiconductor IRF123
    N 沟道功率 MOSFET，11 A，60-100 V 这些器件是 n 沟道、增强型功率 MOSFET，专为高速应用而设计，例如开关电源、转换器、交流和直流电机控制、继电器和螺线管驱动器以及其他脉冲电路。
  14. IRF520 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    单FET、MOSFET New Jersey Semiconductor IRF520
    N 沟道功率 MOSFET，11 A，60-100 V 这些器件是 n 沟道、增强型功率 MOSFET，专为高速应用而设计，例如开关电源、转换器、交流和直流电机控制、继电器和螺线管驱动器以及其他脉冲电路。
  15. IRF521 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    单FET、MOSFET New Jersey Semiconductor IRF521
    N 沟道功率 MOSFET，11 A，60-100 V 这些器件是 n 沟道、增强型功率 MOSFET，专为高速应用而设计，例如开关电源、转换器、交流和直流电机控制、继电器和螺线管驱动器以及其他脉冲电路。
  16. IRF522 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    单FET、MOSFET New Jersey Semiconductor IRF522
    N 沟道功率 MOSFET，11 A，60-100 V 这些器件是 n 沟道、增强型功率 MOSFET，专为高速应用而设计，例如开关电源、转换器、交流和直流电机控制、继电器和螺线管驱动器以及其他脉冲电路。
  17. IRF523 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    单FET、MOSFET New Jersey Semiconductor IRF523
    N 沟道功率 MOSFET，11 A，60-100 V 这些器件是 n 沟道、增强型功率 MOSFET，专为高速应用而设计，例如开关电源、转换器、交流和直流电机控制、继电器和螺线管驱动器以及其他脉冲电路。
  18. IRF1010N — Datasheet International Rectifier
    单FET、MOSFET International Rectifier IRF1010N
    HEXFET功率MOSFET International Rectifier 的高级 HEXFET 功率 MOSFET 利用先进的加工技术实现极低的单位硅面积导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的设备设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效和可靠的设备，可用于各种应用。 TO-220 封装是所有商业-工业应用的普遍首选，功耗水平约为 50 瓦。 TO-220 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。