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数据表MOSFET单晶体管
ON Semiconductor

Datasheets - MOSFET单晶体管 ON Semiconductor

小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "ON Semiconductor"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed
系列: "MTP3N60E"
系列
2N7000 2N7002 BS108 BSS123 BSS138 FDC6312P FDD4141 FDMS86500L FDMS8690 FDN302P FDN304P FDN335N FDN336P FDN340P FDS6575 FDS6675 FDS6890A FDV302P FDV303N FQP27P06 HUF75652G3 IRF530 MTD20P06HDL MTP2P50E MTP36N06V MTP3N60E MTW24N40E NDS0610 NDS331N NDS351AN NDS7002A NDS8434 NTBG015N065SC1 NTD3055L104 NTD3055L170 NTD4815NH NTD6600N NTDV3055L104 NTH4L015N065SC1 NTZD3155C NVBG015N065SC1 NVD3055L170 NVH4L015N065SC1 RFP12N10L
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  1. MTP3N60E/D — Datasheet ON Semiconductor
    MOSFET单晶体管 ON Semiconductor MTP3N60E MTP3N60E/D
    TMOS E−FET 高能功率 FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate 这种先进的高压 TMOS E-FET 旨在承受雪崩模式下的高能量并高效切换。这种新的高能器件还提供具有快速恢复时间的漏源二极管。专为电源、PWM 电机控制和其他感应负载等高压、高速开关应用而设计，雪崩能量功能旨在消除感应负载开关设计中的猜测，并针对意外电压瞬变提供额外的安全裕度。