Datasheets - MOSFET单晶体管 - 5
小节: "MOSFET单晶体管"
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- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
- 单 P 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET -30V、-11A、14mΩ 该 P 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺经过专门定制，可最大程度地降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合笔记本电脑应用：负载开关和电源管理、电池充电电路以及 DC/DC 转换。
EPC2361：100 V、101 A 增强型 GaN 功率晶体管 氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数，可实现极低的 RDS(on)，而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的 QG 和零 QRR。最终结果是一种器件可以处理需要极高开关频率和低导通时间的任务，以及那些导通损耗占主导地位的任务- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。- P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。
- 横向 N 沟道宽带射频功率 MOSFET，2700-2900 MHz，320 W，30 V
- 横向 N 沟道宽带射频功率 MOSFET，2700-2900 MHz，320 W，30 V
P 沟道增强型 MOSFET- P 沟道增强型 MOSFET
- P 沟道增强型 MOSFET
- 硅 N 沟道 MOSFET
- 功率MOS V 400V 93A 0.035Ω Power MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术最大限度地减少了 JFET 效应，提高了封装密度并降低了导通电阻。功率 MOS V 还通过优化栅极布局实现更快的开关速度。
- 具有扩频功能的低 IQ 同步升压控制器 HL8021 是一款高性能升压控制器，可驱动 N 沟道 MOSFET 同步升压功率级，可在 4.5V 至 40V 的宽输入电源范围内工作。当控制器受到输出电压的偏置时，控制器在启动后可以使用低至 1V 的输入电源运行。
- 具有扩频功能的低 IQ 同步升压控制器 HL8021 是一款高性能升压控制器，可驱动 N 沟道 MOSFET 同步升压功率级，可在 4.5V 至 40V 的宽输入电源范围内工作。当控制器受到输出电压的偏置时，控制器在启动后可以使用低至 1V 的输入电源运行。