Datasheets - 单IGBT
小节: "单IGBT"
制造商
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- 650V、5A Alpha IGBT，带软恢复和快速恢复反并联二极管 AlphaIGBT 产品线提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能，从而提供更大的安全设计裕度。AlphaIGBT 器件采用可控开启 di/dt 特性，可有效降低 EMI 设计。我们的 IGBT 是大型家电、工业和汽车应用的理想选择。
- 650V、5A Alpha IGBT，带软恢复和快速恢复反并联二极管 AlphaIGBT 产品线提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能，从而提供更大的安全设计裕度。AlphaIGBT 器件采用可控开启 di/dt 特性，可有效降低 EMI 设计。我们的 IGBT 是大型家电、工业和汽车应用的理想选择。
- 650V、5A Alpha IGBT，带软恢复和快速恢复反并联二极管 AlphaIGBT 产品线提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能，从而提供更大的安全设计裕度。AlphaIGBT 器件采用可控开启 di/dt 特性，可有效降低 EMI 设计。我们的 IGBT 是大型家电、工业和汽车应用的理想选择。
- 650V、30A Alpha IGBT，带软恢复和快速恢复反并联二极管 AlphaIGBT 产品线提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能，从而提供更大的安全设计裕度。AlphaIGBT 器件采用可控开启 di/dt 特性，可有效降低 EMI 设计。我们的 IGBT 是大型家电、工业和汽车应用的理想选择。
- 1350V、20A Alpha IGBT（带二极管） AlphaIGBT 产品线提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能，从而提供更大的安全设计裕度。AlphaIGBT 器件采用可控开启 di/dt 特性，可有效降低 EMI 设计。我们的 IGBT 是大型家电、工业和汽车应用的理想选择。
- 650V、5A Alpha IGBT，带软恢复和快速恢复反并联二极管 AlphaIGBT 产品线提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能，从而提供更大的安全设计裕度。AlphaIGBT 器件采用可控开启 di/dt 特性，可有效降低 EMI 设计。我们的 IGBT 是大型家电、工业和汽车应用的理想选择。
- 600V、5A Alpha IGBT（带二极管） AlphaIGBT 产品线提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能，从而提供更大的安全设计裕度。AlphaIGBT 器件采用可控开启 di/dt 特性，可有效降低 EMI 设计。
- 360 V PDP 沟槽 IGBT 安森美半导体的新型沟槽 IGBT 系列采用新颖的沟槽 IGBT 技术，为消费类电器和 PDP 电视应用提供最佳性能，因为低导通和开关损耗是至关重要的。
- 360 V PDP 沟槽 IGBT 安森美半导体的新型沟槽 IGBT 系列采用新颖的沟槽 IGBT 技术，为消费类电器和 PDP 电视应用提供最佳性能，因为低导通和开关损耗是至关重要的。
- 360 V PDP 沟槽 IGBT 安森美半导体的新型沟槽 IGBT 系列采用新颖的沟槽 IGBT 技术，为消费类电器和 PDP 电视应用提供最佳性能，因为低导通和开关损耗是至关重要的。
- 快速 IGBT
- 采用TO-247AC封装的1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT
- 采用TO-247AC封装的1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT
- 采用TO-247AC封装的1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT
1200V 超快 5-40 kHz Copack IGBT，采用 TO-247AC 封装- 1200V 超快 5-40 kHz Copack IGBT，采用 TO-247AC 封装
采用TO-247AD封装的1200V IGBT共封装，带有超快5-40 kHz软恢复二极管。- 采用TO-247AD封装的1200V IGBT共封装，带有超快5-40 kHz软恢复二极管。
- 沟槽式门极场截止IGBT，650 V，50 A软开关IH系列，采用TO-247长引线封装
- 沟槽栅极场截止650 V，40 A，软开关IH系列IGBT，采用TO-247长引线封装