Datasheets - IGBT单晶体管

小节: "IGBT单晶体管"
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  1. 沟槽式门极场截止IGBT,650 V,50 A软开关IH系列,采用TO-247长引线封装
  2. 沟槽栅极场截止650 V,40 A,软开关IH系列IGBT,采用TO-247长引线封装
  3. 650V场截止IGBT
  4. 650V场截止IGBT
  1. TO650中的650V场截止IGBT DGTD65T40S2PT使用先进的场截止沟槽IGBT技术生产,具有出色的质量和高开关性能。
  2. 650V场截止IGBT DGTD65T15H2TF使用先进的场截止沟槽IGBT技术生产,该技术具有高性能,出色的质量和高耐用性。
  3. 1200V场截止IGBT
  4. 1200V场截止IGBT
  5. F系列受保护IGBT将采用RC-H5技术的1350 V,20 A IGBT与独特的保护栅极驱动器IC结合在一起,并采用TO-247 6引脚封装,用于感应烹饪应用。
  6. F系列受保护IGBT将采用RC-H5技术的1350 V,20 A IGBT与独特的保护栅极驱动器IC结合在一起,并采用TO-247 6引脚封装,用于感应烹饪应用。