Datasheets - 单IGBT

小节: "单IGBT"
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  1. 点火 IGBT,500V,27A,1.3V,300mJ,DPAK EcoSPARK II,N 通道点火 500V N 沟道点火 IGBT,适用于汽车点火线圈驱动电路和插头线圈应用。
  2. Datasheet Littelfuse IXGT32N170A
    圆盘 IGBT NPT-高压 TO-268AA | 系列:高压 该系列 1700V IGBT 是坚固耐用的 NPT 器件,专为高压应用而设计,要求具备 10us 短路耐受能力。它们尤其适合高压开关应用。我们提供快速开关“A”版 1700V NPT IGBT,采用共封装和相脚配置,适用于开关频率高达 50kHz 的 PWM 应用。常见应用包括交流电机速度控制、直流伺服、机器人驱动器、直流斩波器、UPS、电容放电电路、脉冲发生器电路、开关模式和谐振模式电源。
  1. Datasheet Littelfuse IXGH32N170A
    圆片式 IGBT NPT-高压 TO-247AD | 系列:高压 该系列 1700V IGBT 是坚固耐用的 NPT 器件,专为高压应用而设计,要求具备 10us 短路耐受能力。它们尤其适合高压开关应用。我们提供快速开关“A”版 1700V NPT IGBT,采用共封装和相脚配置,适用于开关频率高达 50kHz 的 PWM 应用。常见应用包括交流电机速度控制、直流伺服、机器人驱动器、直流斩波器、UPS、电容放电电路、脉冲发生器电路、开关模式和谐振模式电源。
  2. Datasheet Infineon IGB03N120H2
    采用 PG-TO263-3-2 封装的 1200V HighSpeed 2 技术 已过时且不再生产
  3. 650V、5A Alpha IGBT,带软恢复和快速恢复反并联二极管 AlphaIGBT 产品线提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而提供更大的安全设计裕度。AlphaIGBT 器件采用可控开启 di/dt 特性,可有效降低 EMI 设计。我们的 IGBT 是大型家电、工业和汽车应用的理想选择。
  4. 650V、5A Alpha IGBT,带软恢复和快速恢复反并联二极管 AlphaIGBT 产品线提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而提供更大的安全设计裕度。AlphaIGBT 器件采用可控开启 di/dt 特性,可有效降低 EMI 设计。我们的 IGBT 是大型家电、工业和汽车应用的理想选择。
  5. 650V、5A Alpha IGBT,带软恢复和快速恢复反并联二极管 AlphaIGBT 产品线提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而提供更大的安全设计裕度。AlphaIGBT 器件采用可控开启 di/dt 特性,可有效降低 EMI 设计。我们的 IGBT 是大型家电、工业和汽车应用的理想选择。
  6. 650V、30A Alpha IGBT,带软恢复和快速恢复反并联二极管 AlphaIGBT 产品线提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而提供更大的安全设计裕度。AlphaIGBT 器件采用可控开启 di/dt 特性,可有效降低 EMI 设计。我们的 IGBT 是大型家电、工业和汽车应用的理想选择。
  7. 1350V、20A Alpha IGBT(带二极管) AlphaIGBT 产品线提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而提供更大的安全设计裕度。AlphaIGBT 器件采用可控开启 di/dt 特性,可有效降低 EMI 设计。我们的 IGBT 是大型家电、工业和汽车应用的理想选择。
  8. 650V、5A Alpha IGBT,带软恢复和快速恢复反并联二极管 AlphaIGBT 产品线提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而提供更大的安全设计裕度。AlphaIGBT 器件采用可控开启 di/dt 特性,可有效降低 EMI 设计。我们的 IGBT 是大型家电、工业和汽车应用的理想选择。
  9. 600V、5A Alpha IGBT(带二极管) AlphaIGBT 产品线提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而提供更大的安全设计裕度。AlphaIGBT 器件采用可控开启 di/dt 特性,可有效降低 EMI 设计。
  10. 360 V PDP 沟槽 IGBT 安森美半导体的新型沟槽 IGBT 系列采用新颖的沟槽 IGBT 技术,为消费类电器和 PDP 电视应用提供最佳性能,因为低导通和开关损耗是至关重要的。
  11. 360 V PDP 沟槽 IGBT 安森美半导体的新型沟槽 IGBT 系列采用新颖的沟槽 IGBT 技术,为消费类电器和 PDP 电视应用提供最佳性能,因为低导通和开关损耗是至关重要的。
  12. 360 V PDP 沟槽 IGBT 安森美半导体的新型沟槽 IGBT 系列采用新颖的沟槽 IGBT 技术,为消费类电器和 PDP 电视应用提供最佳性能,因为低导通和开关损耗是至关重要的。
  13. 快速 IGBT
  14. 采用TO-247AC封装的1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT
  15. 采用TO-247AC封装的1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT
  16. 采用TO-247AC封装的1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT
  17. Datasheet Infineon IRG4PH50UDPBF
    1200V 超快 5-40 kHz Copack IGBT,采用 TO-247AC 封装
  18. 1200V 超快 5-40 kHz Copack IGBT,采用 TO-247AC 封装