Datasheets - 双极阵列和模块

小节: "双极阵列和模块"
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  1. 七个达林顿阵列 所有功能 每包七个达林顿 输出电流 500 mA 每个驱动器(600 mA 峰值) 输出电压 50 V 用于电感负载的集成抑制二极管 输出可以并联以获得更高的电流 TTL/CMOS/PMOS/DTL 兼容输入 输入管脚与输出管脚相对放置,以简化布局
  2. 七个达林顿阵列 所有功能 每包七个达林顿 输出电流 500 mA 每个驱动器(600 mA 峰值) 输出电压 50 V 用于电感负载的集成抑制二极管 输出可以并联以获得更高的电流 TTL/CMOS/PMOS/DTL 兼容输入 输入管脚与输出管脚相对放置,以简化布局
  1. 七个达林顿阵列 所有功能 每包七个达林顿 输出电流 500 mA 每个驱动器(600 mA 峰值) 输出电压 50 V 用于电感负载的集成抑制二极管 输出可以并联以获得更高的电流 TTL/CMOS/PMOS/DTL 兼容输入 输入管脚与输出管脚相对放置,以简化布局
  2. 七个达林顿阵列 所有功能 每包七个达林顿 输出电流 500 mA 每个驱动器(600 mA 峰值) 输出电压 50 V 用于电感负载的集成抑制二极管 输出可以并联以获得更高的电流 TTL/CMOS/PMOS/DTL 兼容输入 输入管脚与输出管脚相对放置,以简化布局
  1. 七达林顿阵列 所有功能 每包七个达林顿 输出电流 500 mA 每个驱动器(600 mA 峰值) 输出电压 50 V 用于电感负载的集成抑制二极管 输出可以并联以获得更高的电流 TTL/CMOS/PMOS/DTL 兼容输入 输入管脚与输出管脚相对放置,以简化布局
  2. 七达林顿阵列 所有功能 每包七个达林顿 输出电流 500 mA 每个驱动器(600 mA 峰值) 输出电压 50 V 用于电感负载的集成抑制二极管 输出可以并联以获得更高的电流 TTL/CMOS/PMOS/DTL 兼容输入 输入管脚与输出管脚相对放置,以简化布局
  3. 七达林顿阵列 所有功能 每包七个达林顿 输出电流 500 mA 每个驱动器(600 mA 峰值) 输出电压 50 V 用于电感负载的集成抑制二极管 输出可以并联以获得更高的电流 TTL/CMOS/PMOS/DTL 兼容输入 输入管脚与输出管脚相对放置,以简化布局
  4. 七个达林顿阵列 所有功能 每包七个达林顿 输出电流 500 mA 每个驱动器(600 mA 峰值) 输出电压 50 V 用于电感负载的集成抑制二极管 输出可以并联以获得更高的电流 TTL/CMOS/PMOS/DTL 兼容输入 输入管脚与输出管脚相对放置,以简化布局
  5. 七个达林顿阵列 所有功能 每包七个达林顿 输出电流 500 mA 每个驱动器(600 mA 峰值) 输出电压 50 V 用于电感负载的集成抑制二极管 输出可以并联以获得更高的电流 TTL/CMOS/PMOS/DTL 兼容输入 输入管脚与输出管脚相对放置,以简化布局
  6. 七个达林顿阵列 所有功能 每包七个达林顿 输出电流 500 mA 每个驱动器(600 mA 峰值) 输出电压 50 V 用于电感负载的集成抑制二极管 输出可以并联以获得更高的电流 TTL/CMOS/PMOS/DTL 兼容输入 输入管脚与输出管脚相对放置,以简化布局
  7. 七个达林顿阵列 所有功能 每包七个达林顿 输出电流 500 mA 每个驱动器(600 mA 峰值) 输出电压 50 V 用于电感负载的集成抑制二极管 输出可以并联以获得更高的电流 TTL/CMOS/PMOS/DTL 兼容输入 输入管脚与输出管脚相对放置,以简化布局
  8. 七个达林顿阵列 所有功能 每包七个达林顿 输出电流 500 mA 每个驱动器(600 mA 峰值) 输出电压 50 V 用于电感负载的集成抑制二极管 输出可以并联以获得更高的电流 TTL/CMOS/PMOS/DTL 兼容输入 输入管脚与输出管脚相对放置,以简化布局
  9. 七个达林顿阵列 所有功能 每包七个达林顿 输出电流 500 mA 每个驱动器(600 mA 峰值) 输出电压 50 V 用于电感负载的集成抑制二极管 输出可以并联以获得更高的电流 TTL/CMOS/PMOS/DTL 兼容输入 输入管脚与输出管脚相对放置,以简化布局
  10. 2 X NPN + 2 X PNP
  11. 2 X NPN + 2 X PNP
  12. 双NPN小信号晶体管
  13. 双NPN小信号晶体管
  14. Datasheet NXP BC846DS
    65 V,100 mA NPN / NPN通用晶体管对 规格: 集电极发射极电压V(br)ceo:65 V 直流集电极电流:100 mA 直流电流增益:200 针数:6 工作温度范围:-55°C至+ 150°C 功耗:250 mW 晶体管外壳样式:SOT-457 晶体管极性:NPN RoHS:是的 SVHC:否SVHC(2011年12月19日)
  15. Datasheet NXP BC846BPN
    65 V,100 mA NPN / PNP通用晶体管
  16. Datasheet NXP BC846BS
    65 V,100 mA NPN / NPN通用晶体管对