Datasheets - MOSFET阵列和模块

小节: "MOSFET阵列和模块"
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  1. 双N沟道增强模式功率MOSFET 先进的功率MOSFET利用先进的处理技术来实现低导通电阻,极其有效且具有成本效益的器件,最适合锂离子电池的充放电开关。 SOT23-6封装普遍用于所有工业应用。应用:锂离子电池保护电路。
  2. TC8220由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
  3. TC8220由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
  4. TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
  1. TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
  2. TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
  3. TC7920由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
  4. TC7920由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
  5. TC6321源自TC6320,具有高电压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET,但采用耐热增强型5mm x 6mm DFN封装,具有更好的热传递和更高的工作范围,最高可达175°C
  6. TC6321源自TC6320,具有高电压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET,但采用耐热增强型5mm x 6mm DFN封装,具有更好的热传递和更高的工作范围,最高可达175°C
  7. TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  8. TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  9. TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  10. TC6215由采用8引脚SOIC(TG)封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  11. TC6215由采用8引脚SOIC(TG)封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  12. TC2320由采用8引脚SOIC封装的高电压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
  13. TC2320由采用8引脚SOIC封装的高电压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
  14. TC1550由采用8引脚SOIC封装的高压N沟道和P沟道MOSFET组成
  15. TC1550由采用8引脚SOIC封装的高压N沟道和P沟道MOSFET组成
  16. DMOS晶体管阵列