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MOSFET阵列和模块
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MOSFET阵列和模块
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晶体管,晶体管阵列和模块
MOSFET阵列和模块
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FS8205 — Datasheet Fortune Semiconductor
MOSFET阵列和模块
Fortune Semiconductor
FS8205
双N沟道增强模式功率MOSFET 先进的功率MOSFET利用先进的处理技术来实现低导通电阻,极其有效且具有成本效益的器件,最适合锂离子电池的充放电开关。 SOT23-6封装普遍用于所有工业应用。应用:锂离子电池保护电路。
TC8220K6-G — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC8220
TC8220K6-G
TC8220由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
TC8220 — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC8220
TC8220由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
TC8020K6-G — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC8020
TC8020K6-G
TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
TC8020K6-G-M937 — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC8020
TC8020K6-G-M937
TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
TC8020 — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC8020
TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
TC7920K6-G — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC7920
TC7920K6-G
TC7920由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
TC7920 — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC7920
TC7920由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
TC6321T-V/9U — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC6321
TC6321T-V/9U
TC6321源自TC6320,具有高电压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET,但采用耐热增强型5mm x 6mm DFN封装,具有更好的热传递和更高的工作范围,最高可达175°C
TC6321 — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC6321
TC6321源自TC6320,具有高电压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET,但采用耐热增强型5mm x 6mm DFN封装,具有更好的热传递和更高的工作范围,最高可达175°C
TC6320K6-G — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC6320
TC6320K6-G
TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
TC6320TG-G — Datasheet Microchip
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Microchip
TC6320
TC6320TG-G
TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
TC6320 — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC6320
TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
TC6215TG-G — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC6215
TC6215TG-G
TC6215由采用8引脚SOIC(TG)封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
TC6215 — Datasheet Microchip
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Microchip
TC6215
TC6215由采用8引脚SOIC(TG)封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
TC2320TG-G — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
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TC2320
TC2320TG-G
TC2320由采用8引脚SOIC封装的高电压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
TC2320 — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC2320
TC2320由采用8引脚SOIC封装的高电压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
TC1550TG-G — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC1550
TC1550TG-G
TC1550由采用8引脚SOIC封装的高压N沟道和P沟道MOSFET组成
TC1550 — Datasheet Microchip
MOSFET阵列和模块
Microchip
TC1550
TC1550由采用8引脚SOIC封装的高压N沟道和P沟道MOSFET组成
TBD62083APG — Datasheet Toshiba
MOSFET阵列和模块
Toshiba
TBD62083APG
DMOS晶体管阵列
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