Datasheets - MOSFET阵列和模块

小节: "MOSFET阵列和模块"
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  1. TC8220由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
  2. TC8220由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
  3. TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
  4. TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
  1. TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
  2. TC7920由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
  3. TC7920由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
  4. TC6321源自TC6320,具有高电压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET,但采用耐热增强型5mm x 6mm DFN封装,具有更好的热传递和更高的工作范围,最高可达175°C
  5. TC6321源自TC6320,具有高电压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET,但采用耐热增强型5mm x 6mm DFN封装,具有更好的热传递和更高的工作范围,最高可达175°C
  6. TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  7. TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  8. TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  9. TC6215由采用8引脚SOIC(TG)封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  10. TC6215由采用8引脚SOIC(TG)封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  11. TC2320由采用8引脚SOIC封装的高电压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
  12. TC2320由采用8引脚SOIC封装的高电压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
  13. TC1550由采用8引脚SOIC封装的高压N沟道和P沟道MOSFET组成
  14. TC1550由采用8引脚SOIC封装的高压N沟道和P沟道MOSFET组成
  15. DMOS晶体管阵列
  16. DMOS晶体管阵列