Datasheets - FET、MOSFET 阵列和模块

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1. FS8205A — Datasheet Fortune Semiconductor
   FET、MOSFET 阵列和模块 Fortune Semiconductor FS8205A
   双N沟道增强模式功率MOSFET 先进的功率 MOSFET 采用先进的加工技术，实现低导通电阻、极其高效且经济高效的设备，最适合用于锂离子电池充电和放电开关。 TSSOP8 封装普遍用于所有商业工业应用。 特征： • 低导通电阻 • RDS(ON) = 27 mΩ 最大值。（VGS = 4.5V，ID = 6A） • RDS(ON) = 35 mΩ 最大值。（VGS = 2.5V，ID = 5A） • 共漏型
2. AOP609 — Datasheet Alpha & Omega
   FET、MOSFET 阵列和模块 Alpha & Omega AOP609
   互补增强型场效应晶体管 AOD609 采用先进的沟槽技术 MOSFET，提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。互补 MOSFET 可用于 H 桥、逆变器和其他应用。

3. NXH006P120MNF2PTG — Datasheet ON Semiconductor
   FET、MOSFET 阵列和模块 ON Semiconductor NXH006P120MNF2 NXH006P120MNF2PTG
   SiC 模块，半桥 2-PACK 1200 V，6 mohm SiC MOSFET，F2 封装 NXH006P120MNF2 是一个半桥或 2 件装 SiC 模块，带有 2 个 6mohm 1200V SiC MOSFET 开关和一个 F2 封装的热敏电阻。 SiC MOSFET 开关使用 M1 技术并由 18V-20V 栅极驱动器驱动。
4. NXH010P120MNF1PNG — Datasheet ON Semiconductor
   FET、MOSFET 阵列和模块 ON Semiconductor NXH010P120MNF1 NXH010P120MNF1PNG
   碳化硅模块，2-PACK 半桥拓扑，1200 V，10 mohm 碳化硅 MOSFET NXH010P120MNF1 是一个 SiC MOSFET 模块，在 am F1 模块中包含一个 10 mohm SiC MOSFET 半桥和一个 NTC 热敏电阻。
5. NXH010P120MNF1 — Datasheet ON Semiconductor
   FET、MOSFET 阵列和模块 ON Semiconductor NXH010P120MNF1
   碳化硅模块，2-PACK 半桥拓扑，1200 V，10 mohm 碳化硅 MOSFET NXH010P120MNF1 是一个 SiC MOSFET 模块，在 am F1 模块中包含一个 10 mohm SiC MOSFET 半桥和一个 NTC 热敏电阻。
6. FS8205 — Datasheet Fortune Semiconductor
   FET、MOSFET 阵列和模块 Fortune Semiconductor FS8205
   双N沟道增强模式功率MOSFET 先进的功率MOSFET利用先进的处理技术来实现低导通电阻，极其有效且具有成本效益的器件，最适合锂离子电池的充放电开关。 SOT23-6封装普遍用于所有工业应用。应用：锂离子电池保护电路。
7. TC8220K6-G — Datasheet Microchip
   FET、MOSFET 阵列和模块 Microchip TC8220 TC8220K6-G
   TC8220由两对高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引线DFN封装
8. TC8220 — Datasheet Microchip
   FET、MOSFET 阵列和模块 Microchip TC8220
   TC8220由两对高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引线DFN封装
9. TC8020K6-G — Datasheet Microchip
   FET、MOSFET 阵列和模块 Microchip TC8020 TC8020K6-G
   TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压，低阈值N和P沟道MOSFET组成
10. TC8020K6-G-M937 — Datasheet Microchip
    FET、MOSFET 阵列和模块 Microchip TC8020 TC8020K6-G-M937
    TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压，低阈值N和P沟道MOSFET组成
11. TC8020 — Datasheet Microchip
    FET、MOSFET 阵列和模块 Microchip TC8020
    TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压，低阈值N和P沟道MOSFET组成
12. TC7920K6-G — Datasheet Microchip
    FET、MOSFET 阵列和模块 Microchip TC7920 TC7920K6-G
    TC7920由两对高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引线DFN封装
13. TC7920 — Datasheet Microchip
    FET、MOSFET 阵列和模块 Microchip TC7920
    TC7920由两对高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引线DFN封装
14. TC6321T-V/9U — Datasheet Microchip
    FET、MOSFET 阵列和模块 Microchip TC6321 TC6321T-V/9U
    TC6321源自TC6320，具有高电压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET，但采用耐热增强型5mm x 6mm DFN封装，具有更好的热传递和更高的工作范围，最高可达175°C
15. TC6321 — Datasheet Microchip
    FET、MOSFET 阵列和模块 Microchip TC6321
    TC6321源自TC6320，具有高电压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET，但采用耐热增强型5mm x 6mm DFN封装，具有更好的热传递和更高的工作范围，最高可达175°C
16. TC6320K6-G — Datasheet Microchip
    FET、MOSFET 阵列和模块 Microchip TC6320 TC6320K6-G
    TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
17. TC6320TG-G — Datasheet Microchip
    FET、MOSFET 阵列和模块 Microchip TC6320 TC6320TG-G
    TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
18. TC6320 — Datasheet Microchip
    FET、MOSFET 阵列和模块 Microchip TC6320
    TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
19. TC6215TG-G — Datasheet Microchip
    FET、MOSFET 阵列和模块 Microchip TC6215 TC6215TG-G
    TC6215由采用8引脚SOIC（TG）封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
20. TC6215 — Datasheet Microchip
    FET、MOSFET 阵列和模块 Microchip TC6215
    TC6215由采用8引脚SOIC（TG）封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成