Datasheets - MOSFET阵列和模块

小节: "MOSFET阵列和模块"
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  1. SiC 模块,半桥 2-PACK 1200 V,6 mohm SiC MOSFET,F2 封装 NXH006P120MNF2 是一个半桥或 2 件装 SiC 模块,带有 2 个 6mohm 1200V SiC MOSFET 开关和一个 F2 封装的热敏电阻。 SiC MOSFET 开关使用 M1 技术并由 18V-20V 栅极驱动器驱动。
  2. 碳化硅模块,2-PACK 半桥拓扑,1200 V,10 mohm 碳化硅 MOSFET NXH010P120MNF1 是一个 SiC MOSFET 模块,在 am F1 模块中包含一个 10 mohm SiC MOSFET 半桥和一个 NTC 热敏电阻。
  3. 碳化硅模块,2-PACK 半桥拓扑,1200 V,10 mohm 碳化硅 MOSFET NXH010P120MNF1 是一个 SiC MOSFET 模块,在 am F1 模块中包含一个 10 mohm SiC MOSFET 半桥和一个 NTC 热敏电阻。
  4. 双N沟道增强模式功率MOSFET 先进的功率MOSFET利用先进的处理技术来实现低导通电阻,极其有效且具有成本效益的器件,最适合锂离子电池的充放电开关。 SOT23-6封装普遍用于所有工业应用。应用:锂离子电池保护电路。
  1. TC8220由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
  2. TC8220由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
  3. TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
  4. TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
  5. TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
  6. TC7920由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
  7. TC7920由两对高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成,采用12引线DFN封装
  8. TC6321源自TC6320,具有高电压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET,但采用耐热增强型5mm x 6mm DFN封装,具有更好的热传递和更高的工作范围,最高可达175°C
  9. TC6321源自TC6320,具有高电压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET,但采用耐热增强型5mm x 6mm DFN封装,具有更好的热传递和更高的工作范围,最高可达175°C
  10. TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  11. TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  12. TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  13. TC6215由采用8引脚SOIC(TG)封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  14. TC6215由采用8引脚SOIC(TG)封装的高压,低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  15. TC2320由采用8引脚SOIC封装的高电压,低阈值N和P沟道MOSFET组成
  16. TC2320由采用8引脚SOIC封装的高电压,低阈值N和P沟道MOSFET组成