数据表
更多
Only-Datasheet.com
关于我们 合作 广告 联络人
en - English ru - Русский de - Deutsch es - Espanol
rlocman.cn - 关于电子的一切
数据表
MOSFET阵列和模块

Datasheets - MOSFET阵列和模块

小节: "MOSFET阵列和模块"
制造商
Diodes Fairchild Fortune Semiconductor International Rectifier MCC Microchip NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Rohm Sanyo Semelab Semikron STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Texas Instruments Toshiba Vishay
搜索结果: 478 输出量: 1-20

视图: 清单 / 图片

  1. NXH006P120MNF2PTG — Datasheet ON Semiconductor
    MOSFET阵列和模块 ON Semiconductor NXH006P120MNF2 NXH006P120MNF2PTG
    SiC 模块，半桥 2-PACK 1200 V，6 mohm SiC MOSFET，F2 封装 NXH006P120MNF2 是一个半桥或 2 件装 SiC 模块，带有 2 个 6mohm 1200V SiC MOSFET 开关和一个 F2 封装的热敏电阻。 SiC MOSFET 开关使用 M1 技术并由 18V-20V 栅极驱动器驱动。
  2. NXH010P120MNF1PNG — Datasheet ON Semiconductor
    MOSFET阵列和模块 ON Semiconductor NXH010P120MNF1 NXH010P120MNF1PNG
    碳化硅模块，2-PACK 半桥拓扑，1200 V，10 mohm 碳化硅 MOSFET NXH010P120MNF1 是一个 SiC MOSFET 模块，在 am F1 模块中包含一个 10 mohm SiC MOSFET 半桥和一个 NTC 热敏电阻。
  3. NXH010P120MNF1 — Datasheet ON Semiconductor
    MOSFET阵列和模块 ON Semiconductor NXH010P120MNF1
    碳化硅模块，2-PACK 半桥拓扑，1200 V，10 mohm 碳化硅 MOSFET NXH010P120MNF1 是一个 SiC MOSFET 模块，在 am F1 模块中包含一个 10 mohm SiC MOSFET 半桥和一个 NTC 热敏电阻。
  4. FS8205 — Datasheet Fortune Semiconductor
    MOSFET阵列和模块 Fortune Semiconductor FS8205
    双N沟道增强模式功率MOSFET 先进的功率MOSFET利用先进的处理技术来实现低导通电阻，极其有效且具有成本效益的器件，最适合锂离子电池的充放电开关。 SOT23-6封装普遍用于所有工业应用。应用：锂离子电池保护电路。
  1. TC8220K6-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC8220 TC8220K6-G
    TC8220由两对高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引线DFN封装
  2. TC8220 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC8220
    TC8220由两对高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引线DFN封装
  3. TC8020K6-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC8020 TC8020K6-G
    TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压，低阈值N和P沟道MOSFET组成
  4. TC8020K6-G-M937 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC8020 TC8020K6-G-M937
    TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压，低阈值N和P沟道MOSFET组成
  5. TC8020 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC8020
    TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压，低阈值N和P沟道MOSFET组成
  6. TC7920K6-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC7920 TC7920K6-G
    TC7920由两对高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引线DFN封装
  7. TC7920 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC7920
    TC7920由两对高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引线DFN封装
  8. TC6321T-V/9U — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC6321 TC6321T-V/9U
    TC6321源自TC6320，具有高电压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET，但采用耐热增强型5mm x 6mm DFN封装，具有更好的热传递和更高的工作范围，最高可达175°C
  9. TC6321 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC6321
    TC6321源自TC6320，具有高电压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET，但采用耐热增强型5mm x 6mm DFN封装，具有更好的热传递和更高的工作范围，最高可达175°C
  10. TC6320K6-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC6320 TC6320K6-G
    TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  11. TC6320TG-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC6320 TC6320TG-G
    TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  12. TC6320 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC6320
    TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  13. TC6215TG-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC6215 TC6215TG-G
    TC6215由采用8引脚SOIC（TG）封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  14. TC6215 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC6215
    TC6215由采用8引脚SOIC（TG）封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  15. TC2320TG-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC2320 TC2320TG-G
    TC2320由采用8引脚SOIC封装的高电压，低阈值N和P沟道MOSFET组成
  16. TC2320 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC2320
    TC2320由采用8引脚SOIC封装的高电压，低阈值N和P沟道MOSFET组成