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MOSFET阵列和模块

Datasheets - MOSFET阵列和模块

小节: "MOSFET阵列和模块"
制造商
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  1. FS8205 — Datasheet Fortune Semiconductor
    MOSFET阵列和模块 Fortune Semiconductor FS8205
    双N沟道增强模式功率MOSFET 先进的功率MOSFET利用先进的处理技术来实现低导通电阻，极其有效且具有成本效益的器件，最适合锂离子电池的充放电开关。 SOT23-6封装普遍用于所有工业应用。应用：锂离子电池保护电路。
  2. TC8220K6-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC8220 TC8220K6-G
    TC8220由两对高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引线DFN封装
  3. TC8220 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC8220
    TC8220由两对高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引线DFN封装
  4. TC8020K6-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC8020 TC8020K6-G
    TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压，低阈值N和P沟道MOSFET组成
  1. TC8020K6-G-M937 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC8020 TC8020K6-G-M937
    TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压，低阈值N和P沟道MOSFET组成
  2. TC8020 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC8020
    TC8020由采用56引脚QFN封装的六对高压，低阈值N和P沟道MOSFET组成
  3. TC7920K6-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC7920 TC7920K6-G
    TC7920由两对高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引线DFN封装
  4. TC7920 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC7920
    TC7920由两对高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引线DFN封装
  5. TC6321T-V/9U — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC6321 TC6321T-V/9U
    TC6321源自TC6320，具有高电压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET，但采用耐热增强型5mm x 6mm DFN封装，具有更好的热传递和更高的工作范围，最高可达175°C
  6. TC6321 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC6321
    TC6321源自TC6320，具有高电压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET，但采用耐热增强型5mm x 6mm DFN封装，具有更好的热传递和更高的工作范围，最高可达175°C
  7. TC6320K6-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC6320 TC6320K6-G
    TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  8. TC6320TG-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC6320 TC6320TG-G
    TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  9. TC6320 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC6320
    TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  10. TC6215TG-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC6215 TC6215TG-G
    TC6215由采用8引脚SOIC（TG）封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  11. TC6215 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC6215
    TC6215由采用8引脚SOIC（TG）封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成
  12. TC2320TG-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC2320 TC2320TG-G
    TC2320由采用8引脚SOIC封装的高电压，低阈值N和P沟道MOSFET组成
  13. TC2320 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC2320
    TC2320由采用8引脚SOIC封装的高电压，低阈值N和P沟道MOSFET组成
  14. TC1550TG-G — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC1550 TC1550TG-G
    TC1550由采用8引脚SOIC封装的高压N沟道和P沟道MOSFET组成
  15. TC1550 — Datasheet Microchip
    MOSFET阵列和模块 Microchip TC1550
    TC1550由采用8引脚SOIC封装的高压N沟道和P沟道MOSFET组成
  16. TBD62083APG — Datasheet Toshiba
    MOSFET阵列和模块 Toshiba TBD62083APG
    DMOS晶体管阵列