Datasheets - JFET

小节: "JFET"
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  1. Datasheet ON Semiconductor MMBFJ113
    采用 SOT-23 封装的 N 沟道开关 该设备专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器而设计。
  2. Datasheet ON Semiconductor MMBFJ112
    采用 SOT-23 封装的 N 沟道开关 该设备专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器而设计。
  1. Datasheet ON Semiconductor MMBFJ111
    采用 SOT-23 封装的 N 沟道开关 该设备专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器而设计。
  2. Datasheet ON Semiconductor J112-D74Z
    采用 TO-92 封装的 N 沟道 35V JFET 晶体管 这款 N 沟道 JFET 器件专为模拟开关和斩波应用而设计。 过时的
  3. Datasheet ON Semiconductor J111RLRP
    采用 TO-92 封装的 N 沟道 35V JFET 晶体管 这款 N 沟道 JFET 器件专为模拟开关和斩波应用而设计。 过时的
  4. TO-92封装的JFET斩波晶体管 这款 N 沟道 JFET 器件专为模拟开关和斩波应用而设计。
  5. N沟道JFET晶体管,30V,TO-92封装 过时的 这款 N 沟道 JFET 器件专为模拟开关和斩波应用而设计。
  6. TO-92封装的小信号N沟道JFET 过时的 这款 N 沟道 JFET 器件专为模拟开关和斩波应用而设计。
  7. TO-92封装的小信号N沟道JFET 过时的
  8. P沟道JFET -30V InterFET J270 和 J271 JFET 适用于低噪声高增益放大器和开关应用。J270 的截止电压低于 2.0V,非常适合低电平电源。
  9. P沟道JFET -30V InterFET J270 和 J271 JFET 适用于低噪声高增益放大器和开关应用。J270 的截止电压低于 2.0V,非常适合低电平电源。
  10. 硅N沟道JFET CENTRAL SEMICONDUCTOR PN4391 系列器件是专为模拟开关和斩波应用而设计的 N 通道硅 JFET。
  11. 硅N沟道JFET CENTRAL SEMICONDUCTOR PN4391 系列器件是专为模拟开关和斩波应用而设计的 N 通道硅 JFET。
  12. N沟道结型场效应晶体管
  13. N沟道结型场效应晶体管
  14. N沟道结型场效应晶体管
  15. N沟道JFET 2N/SST5484 系列由 n 通道 JFET 组成,旨在提供高性能放大,尤其是在高达 400 MHz 及以上的高频下。
  16. N沟道JFET 2N/SST5484 系列由 n 通道 JFET 组成,旨在提供高性能放大,尤其是在高达 400 MHz 及以上的高频下。
  17. N沟道JFET 2N/SST5484 系列由 n 通道 JFET 组成,旨在提供高性能放大,尤其是在高达 400 MHz 及以上的高频下。
  18. N沟道JFET 2N/SST5484 系列由 n 通道 JFET 组成,旨在提供高性能放大,尤其是在高达 400 MHz 及以上的高频下。