Datasheets - 单FET、MOSFET - 7
小节: "单FET、MOSFET"
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- 采用 IPAK 和 DPAK 封装的 N 沟道 500 V、2.2 Ω（典型值）、3 A SuperMESH 功率 MOSFET 这些高压器件是齐纳保护的 N 沟道功率 MOSFET，采用 STMicroelectronics 的 SuperMESH 技术开发，是对成熟的 PowerMESH 的优化。除了显着降低导通电阻外，这些器件还旨在确保为最苛刻的应用提供高水平的 dv/dt 能力。
- 采用 IPAK 和 DPAK 封装的 N 沟道 500 V、2.2 Ω（典型值）、3 A SuperMESH 功率 MOSFET 这些高压器件是齐纳保护的 N 沟道功率 MOSFET，采用 STMicroelectronics 的 SuperMESH 技术开发，是对成熟的 PowerMESH 的优化。除了显着降低导通电阻外，这些器件还旨在确保为最苛刻的应用提供高水平的 dv/dt 能力。
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。- -60V-100V 小信号 MOSFET 封装：SOT-23
- P 沟道、POWERTRENCH、逻辑电平 MOSFET 此 60 V P 沟道 MOSFET 使用 onsemi 的高压 POWERTRENCH 工艺。它针对电源管理应用进行了优化。
P通道30 V（DS）MOSFET TrenchFET 功率 MOSFET- N 沟道 75 V、0.0095 Ohm（典型值）、80 A STripFET II 功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现，专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此，它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
- N 沟道 75 V、0.0095 Ohm（典型值）、80 A STripFET II 功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现，专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此，它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
- N 沟道 75 V、0.0095 Ohm（典型值）、80 A STripFET II 功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现，专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此，它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
- 150 V、329 A 增强型 GaN 功率晶体管
- 200 V、260 A 增强型 GaN 功率晶体管
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 4 引脚 DIP 封装是一种低成本的机器可插入外壳样式，可以在标准 0.1 引脚中心以多种组合堆叠。双漏极用作安装表面的热连接，功耗水平高达 1 W。
10A,650V 通孔MOSFET N沟道增强型大电流
通孔MOSFET N沟道增强模式-UltraMOS