Datasheets - 5

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81. LTA050F10R00FTE3 — Datasheet Vishay
    电阻器 Vishay LTA 50 LTA050F10R00FTE3
    

    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W，50 °C 外壳温度，安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广：0.010 Ω 至 450 kΩ
82. LTA050F100R0JTE3 — Datasheet Vishay
    电阻器 Vishay LTA 50 LTA050F100R0JTE3
    

    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W，50 °C 外壳温度，安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广：0.010 Ω 至 450 kΩ

83. LTA050F100R0FTE3 — Datasheet Vishay
    电阻器 Vishay LTA 50 LTA050F100R0FTE3
    

    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W，50 °C 外壳温度，安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广：0.010 Ω 至 450 kΩ
84. LTA050F10001JTE3 — Datasheet Vishay
    电阻器 Vishay LTA 50 LTA050F10001JTE3
    

    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W，50 °C 外壳温度，安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广：0.010 Ω 至 450 kΩ
85. LTA050F10001FTE3 — Datasheet Vishay
    电阻器 Vishay LTA 50 LTA050F10001FTE3
    

    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W，50 °C 外壳温度，安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广：0.010 Ω 至 450 kΩ
86. LTA050F10000JTE3 — Datasheet Vishay
    电阻器 Vishay LTA 50 LTA050F10000JTE3
    

    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W，50 °C 外壳温度，安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广：0.010 Ω 至 450 kΩ
87. LTA050F10000FTE3 — Datasheet Vishay
    电阻器 Vishay LTA 50 LTA050F10000FTE3
    

    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W，50 °C 外壳温度，安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广：0.010 Ω 至 450 kΩ
88. LTA 50 — Datasheet Vishay
    电阻器 Vishay LTA 50
    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W，50 °C 外壳温度，安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广：0.010 Ω 至 450 kΩ
89. LF53464-08TMR — Datasheet Littelfuse
    角度位置传感器 Littelfuse LF53464 LF53464-08TMR
    

    LGA8L 封装的全极磁角度传感器 LF53464 全极磁角度传感器是一款高精度磁性角度测量传感器，可在 X 和 Y 轴方向进行 0 至 360 度测量，并具有热漂移补偿功能，确保在恶劣环境和条件下保持高性能。LF53464 在 200 Gs 至 800 Gs 的施加磁场下，可实现 0.6 度以下的低角度误差。LF53464 采用 LGA8L 封装。
90. LF53464 — Datasheet Littelfuse
    角度位置传感器 Littelfuse LF53464
    LGA8L 封装的全极磁角度传感器 LF53464 全极磁角度传感器是一款高精度磁性角度测量传感器，可在 X 和 Y 轴方向进行 0 至 360 度测量，并具有热漂移补偿功能，确保在恶劣环境和条件下保持高性能。LF53464 在 200 Gs 至 800 Gs 的施加磁场下，可实现 0.6 度以下的低角度误差。LF53464 采用 LGA8L 封装。
91. LF53466 — Datasheet Littelfuse
    角度位置传感器 Littelfuse LF53466
    采用 TSSOP8 封装的全极磁角度传感器 LF53466 全极磁角度传感器是一款高精度磁性角度测量传感器，可在 X 和 Y 轴方向进行 0 至 360 度测量，并具有热漂移补偿功能，确保在恶劣环境和条件下也能保持高性能。LF53466 在 200 Gs 至 800 Gs 的施加磁场下，可实现 0.8 度以下的低角度误差。LF53466 采用 TSSOP8 封装。
92. LF53466-08TMR — Datasheet Littelfuse
    角度位置传感器 Littelfuse LF53466 LF53466-08TMR
    

    采用 TSSOP8 封装的全极磁角度传感器 LF53466 全极磁角度传感器是一款高精度磁性角度测量传感器，可在 X 和 Y 轴方向进行 0 至 360 度测量，并具有热漂移补偿功能，确保在恶劣环境和条件下也能保持高性能。LF53466 在 200 Gs 至 800 Gs 的施加磁场下，可实现 0.8 度以下的低角度误差。LF53466 采用 TSSOP8 封装。
93. Si4936DY — Datasheet Vishay
    FET、MOSFET 阵列和模块 Vishay Si4936DY
    

    双 N 通道 30V (DS) MOSFET
94. PMV65XP,215 — Datasheet Nexperia
    单FET、MOSFET Nexperia PMV65XP PMV65XP,215
    

    20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
95. PMV65XPVL — Datasheet Nexperia
    单FET、MOSFET Nexperia PMV65XP PMV65XPVL
    

    20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
96. PMV65XP — Datasheet Nexperia
    单FET、MOSFET Nexperia PMV65XP
    20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
97. PMV65XP — Datasheet NXP
    单FET、MOSFET NXP PMV65XP
    

    20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
98. PMV65UNEAR — Datasheet Nexperia
    单FET、MOSFET Nexperia PMV65UNEA PMV65UNEAR
    

    20 V，N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
99. PMV65UNEA — Datasheet Nexperia
    单FET、MOSFET Nexperia PMV65UNEA
    20 V，N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
100. PMV65ENEAR — Datasheet Nexperia
     单FET、MOSFET Nexperia PMV65ENEA PMV65ENEAR
     

     40 V，N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。