Datasheets - DC / DC开关控制器和稳压器
小节: "DC / DC开关控制器和稳压器"
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- 70V可并联4开关升降压控制器，带电感DCR电流检测 LTC7878 是一款高性能升降压开关稳压器控制器，其输入电压可在高于、低于或等于输出电压的范围内工作。该稳压器采用恒频峰值电流模式架构，可实现高达 600kHz 的锁相开关频率，同时可编程的输入/输出电流环路能够精确调节平均输入/输出电流，从而支持电池充电应用。LTC7878 具有 5V 至 70V 的宽输入/输出电压范围，且工作区域之间过渡平滑、噪声低，是工业和电信系统的理想之选。 LTC7878 具有强制连续模式 ...
- 70V可并联4开关升降压控制器，带电感DCR电流检测 LTC7878 是一款高性能升降压开关稳压器控制器，其输入电压可在高于、低于或等于输出电压的范围内工作。该稳压器采用恒频峰值电流模式架构，可实现高达 600kHz 的锁相开关频率，同时可编程的输入/输出电流环路能够精确调节平均输入/输出电流，从而支持电池充电应用。LTC7878 具有 5V 至 70V 的宽输入/输出电压范围，且工作区域之间过渡平滑、噪声低，是工业和电信系统的理想之选。 LTC7878 具有强制连续模式 ...
- 70V可并联4开关升降压控制器，带电感DCR电流检测 LTC7878 是一款高性能升降压开关稳压器控制器，其输入电压可在高于、低于或等于输出电压的范围内工作。该稳压器采用恒频峰值电流模式架构，可实现高达 600kHz 的锁相开关频率，同时可编程的输入/输出电流环路能够精确调节平均输入/输出电流，从而支持电池充电应用。LTC7878 具有 5V 至 70V 的宽输入/输出电压范围，且工作区域之间过渡平滑、噪声低，是工业和电信系统的理想之选。 LTC7878 具有强制连续模式 ...
- PWM控制器 SG3525A PWM 控制器在控制各种类型的开关电源时，可提供更高的性能并减少外部元件数量。片上 +5.1V 基准电压经微调至 +/-1%，误差放大器的输入共模电压范围包含基准电压，因此无需外部分压电阻。振荡器的同步输入允许多个单元进行从属控制，或将单个单元与外部系统时钟同步。通过在 CT 和放电引脚之间连接一个电阻，即可对死区时间进行编程，实现宽范围的死区时间。该器件还具有内置软启动电路，仅需一个外部定时电容。关断引脚控制软启动电路和输出级，可通过脉冲关断的 PWM ...
- PWM控制器 SG3525A PWM 控制器在控制各种类型的开关电源时，可提供更高的性能并减少外部元件数量。片上 +5.1V 基准电压经微调至 +/-1%，误差放大器的输入共模电压范围包含基准电压，因此无需外部分压电阻。振荡器的同步输入允许多个单元进行从属控制，或将单个单元与外部系统时钟同步。通过在 CT 和放电引脚之间连接一个电阻，即可对死区时间进行编程，实现宽范围的死区时间。该器件还具有内置软启动电路，仅需一个外部定时电容。关断引脚控制软启动电路和输出级，可通过脉冲关断的 PWM ...
- PWM控制器 SG3525A PWM 控制器在控制各种类型的开关电源时，可提供更高的性能并减少外部元件数量。片上 +5.1V 基准电压经微调至 +/-1%，误差放大器的输入共模电压范围包含基准电压，因此无需外部分压电阻。振荡器的同步输入允许多个单元进行从属控制，或将单个单元与外部系统时钟同步。通过在 CT 和放电引脚之间连接一个电阻，即可对死区时间进行编程，实现宽范围的死区时间。该器件还具有内置软启动电路，仅需一个外部定时电容。关断引脚控制软启动电路和输出级，可通过脉冲关断的 PWM ...
600 kHz、16 V、2 A 同步降压变频器，采用 SOT23-6 封装
140V、低 IQ、同步降压控制器，可编程 5V 至 10V 栅极驱动，采用 28 引脚 QFN 封装（4mm x 5mm x 0.75mm，带 EP）。 LTC7897 是一款高性能、100% 占空比的同步降压型 DC/DC 开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步硅金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 功率级。同步整流可提高效率、降低功率损耗，并通过减少散热需求简化应用设计。 LTC7897 ...- 140V、低 IQ、同步降压控制器，可编程 5V 至 10V 栅极驱动，采用 28 引脚 QFN 封装（4mm x 5mm x 0.75mm，带 EP）。 LTC7897 是一款高性能、100% 占空比的同步降压型 DC/DC 开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步硅金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 功率级。同步整流可提高效率、降低功率损耗，并通过减少散热需求简化应用设计。 LTC7897 ...
- 140V、低 IQ、同步降压控制器，可编程 5V 至 10V 栅极驱动，采用 28 引脚 QFN 封装（4mm x 5mm x 0.75mm，带 EP）。 LTC7897 是一款高性能、100% 占空比的同步降压型 DC/DC 开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步硅金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 功率级。同步整流可提高效率、降低功率损耗，并通过减少散热需求简化应用设计。 LTC7897 ...
- 4.5V 至 52V 输入电流模式升压控制器
- 4.5V 至 52V 输入电流模式升压控制器
- 5V/5V 1.5W 3kVrms 隔离式 DC-DC 模块，带集成变压器 UCC33420 是一款工业级 DC/DC 电源模块，采用集成变压器技术，旨在提供 1.5W 的隔离输出功率。它支持 4.5V 至 5.5V 的输入电压工作范围，并可将输出电压调节至 5.0V，并具有 5.5V 的可选裕量。 UCC33420 采用专有的变压器架构，可实现 3kVRMS 隔离度，同时支持低 EMI 和出色的负载调节。 UCC33420 ...
- 5V/5V 1.5W 3kVrms 隔离式 DC-DC 模块，带集成变压器 UCC33420 是一款工业级 DC/DC 电源模块，采用集成变压器技术，旨在提供 1.5W 的隔离输出功率。它支持 4.5V 至 5.5V 的输入电压工作范围，并可将输出电压调节至 5.0V，并具有 5.5V 的可选裕量。 UCC33420 采用专有的变压器架构，可实现 3kVRMS 隔离度，同时支持低 EMI 和出色的负载调节。 UCC33420 ...
- 汽车级，5.5V 至 20V VIN，1.5W 稳压 5kVRMS 隔离式 DC/DC 模块，带集成变压器 UCC34141-Q1 是一款符合汽车级标准的增强隔离、高工作电压的 DC/DC 电源模块，专为 SiC 和 IGBT 隔离栅极驱动器供电而设计。TI 的专有集成变压器和先进的控制架构实现了高功率密度、低噪声和低成本的系统。该器件在 85°C 环境温度下可提供 1.5W 的典型输出功率。高精度双输出电压可通过电阻分压器轻松设置，从而实现 SiC/IGBT ...
- 汽车级，5.5V 至 20V VIN，1.5W 稳压 5kVRMS 隔离式 DC/DC 模块，带集成变压器 UCC34141-Q1 是一款符合汽车级标准的增强隔离、高工作电压的 DC/DC 电源模块，专为 SiC 和 IGBT 隔离栅极驱动器供电而设计。TI 的专有集成变压器和先进的控制架构实现了高功率密度、低噪声和低成本的系统。该器件在 85°C 环境温度下可提供 1.5W 的典型输出功率。高精度双输出电压可通过电阻分压器轻松设置，从而实现 SiC/IGBT ...
- 汽车级，5.5V 至 20V VIN，1.5W 稳压 5kVRMS 隔离式 DC/DC 模块，带集成变压器 UCC34141-Q1 是一款符合汽车级标准的增强隔离、高工作电压的 DC/DC 电源模块，专为 SiC 和 IGBT 隔离栅极驱动器供电而设计。TI 的专有集成变压器和先进的控制架构实现了高功率密度、低噪声和低成本的系统。该器件在 85°C 环境温度下可提供 1.5W 的典型输出功率。高精度双输出电压可通过电阻分压器轻松设置，从而实现 SiC/IGBT ...
- 汽车级，5.5V 至 20V VIN，1.5W 稳压 5kVRMS 隔离式 DC/DC 模块，带集成变压器 UCC34141-Q1 是一款符合汽车级标准的增强隔离、高工作电压的 DC/DC 电源模块，专为 SiC 和 IGBT 隔离栅极驱动器供电而设计。TI 的专有集成变压器和先进的控制架构实现了高功率密度、低噪声和低成本的系统。该器件在 85°C 环境温度下可提供 1.5W 的典型输出功率。高精度双输出电压可通过电阻分压器轻松设置，从而实现 SiC/IGBT ...
低 I sub Q /sub 、双路、两相同步降压控制器，适用于采用 40 引脚 QFN 封装（6mm x 6mm，塑料面可润湿）的 GaN FET。 LTC7890 是一款高性能双降压直流-直流开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级，输入电压最高可达 100 V。LTC7890 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比，LTC7890 ...- 低 I sub Q /sub 、双路、两相同步降压控制器，适用于采用 40 引脚 QFN 封装（6mm x 6mm，塑料面可润湿）的 GaN FET。 LTC7890 是一款高性能双降压直流-直流开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级，输入电压最高可达 100 V。LTC7890 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比，LTC7890 ...