Datasheets - 6

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  1. Datasheet Vishay IRFZ24PbF-BE3
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
  2. Datasheet Vishay IRFZ24PbF
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
  1. 硅 PNP 外延平面型
  2. 硅 PNP 外延平面型
  3. 零交叉型薄型 SIP 4 针可控硅输出 SSR S102T02 系列和 S202T02 系列固态继电器 (SSR) 是红外发光二极管 (IRED)、光电三端双向可控硅检测器和主输出三端双向可控硅的集成。这些设备非常适合控制高压交流负载,具有固态可靠性,同时提供从输入到输出的 3.0kV 隔离 (Viso(rms))。
  4. 零交叉型薄型 SIP 4 针可控硅输出 SSR S102T02 系列和 S202T02 系列固态继电器 (SSR) 是红外发光二极管 (IRED)、光电三端双向可控硅检测器和主输出三端双向可控硅的集成。这些设备非常适合控制高压交流负载,具有固态可靠性,同时提供从输入到输出的 3.0kV 隔离 (Viso(rms))。
  5. 零交叉型薄型 SIP 4 针可控硅输出 SSR S102T02 系列和 S202T02 系列固态继电器 (SSR) 是红外发光二极管 (IRED)、光电三端双向可控硅检测器和主输出三端双向可控硅的集成。这些设备非常适合控制高压交流负载,具有固态可靠性,同时提供从输入到输出的 3.0kV 隔离 (Viso(rms))。
  6. 零交叉型薄型 SIP 4 针可控硅输出 SSR S102T02 系列和 S202T02 系列固态继电器 (SSR) 是红外发光二极管 (IRED)、光电三端双向可控硅检测器和主输出三端双向可控硅的集成。这些设备非常适合控制高压交流负载,具有固态可靠性,同时提供从输入到输出的 3.0kV 隔离 (Viso(rms))。
  7. 零交叉型薄型 SIP 4 针可控硅输出 SSR S102T02 系列和 S202T02 系列固态继电器 (SSR) 是红外发光二极管 (IRED)、光电三端双向可控硅检测器和主输出三端双向可控硅的集成。这些设备非常适合控制高压交流负载,具有固态可靠性,同时提供从输入到输出的 3.0kV 隔离 (Viso(rms))。
  8. 零交叉型薄型 SIP 4 针可控硅输出 SSR S102T02 系列和 S202T02 系列固态继电器 (SSR) 是红外发光二极管 (IRED)、光电三端双向可控硅检测器和主输出三端双向可控硅的集成。这些设备非常适合控制高压交流负载,具有固态可靠性,同时提供从输入到输出的 3.0kV 隔离 (Viso(rms))。
  9. 带有 Risc-V 单核微处理器的超低功耗 SOC ESP32-C6 SoC(片上系统)支持 2.4 GHz 频段的 Wi-Fi 6、蓝牙 5、Zigbee 3.0 和 Thread 1.3。它由高性能 (HP) 32 位 RISC-V 处理器、低功耗 (LP) 32 位 RISC-V 处理器、无线基带和 MAC(Wi-Fi、蓝牙 LE 和 802.15.4)、射频模块和众多外设组成。Wi-Fi、蓝牙和 802.15.4 共存并共享同一根天线。
  10. 带有 Risc-V 单核微处理器的超低功耗 SOC ESP32-C6 SoC(片上系统)支持 2.4 GHz 频段的 Wi-Fi 6、蓝牙 5、Zigbee 3.0 和 Thread 1.3。它由高性能 (HP) 32 位 RISC-V 处理器、低功耗 (LP) 32 位 RISC-V 处理器、无线基带和 MAC(Wi-Fi、蓝牙 LE 和 802.15.4)、射频模块和众多外设组成。Wi-Fi、蓝牙和 802.15.4 共存并共享同一根天线。
  11. 带有 Risc-V 单核微处理器的超低功耗 SOC ESP32-C6 SoC(片上系统)支持 2.4 GHz 频段的 Wi-Fi 6、蓝牙 5、Zigbee 3.0 和 Thread 1.3。它由高性能 (HP) 32 位 RISC-V 处理器、低功耗 (LP) 32 位 RISC-V 处理器、无线基带和 MAC(Wi-Fi、蓝牙 LE 和 802.15.4)、射频模块和众多外设组成。Wi-Fi、蓝牙和 802.15.4 共存并共享同一根天线。
  12. 带有 Risc-V 单核微处理器的超低功耗 SOC ESP32-C6 SoC(片上系统)支持 2.4 GHz 频段的 Wi-Fi 6、蓝牙 5、Zigbee 3.0 和 Thread 1.3。它由高性能 (HP) 32 位 RISC-V 处理器、低功耗 (LP) 32 位 RISC-V 处理器、无线基带和 MAC(Wi-Fi、蓝牙 LE 和 802.15.4)、射频模块和众多外设组成。Wi-Fi、蓝牙和 802.15.4 共存并共享同一根天线。
  13. 高性能 Arm Cortex-M7 MCU、600MHz、64KB Bootflash、620KB SRAM,带 DSP、缓存、USB HS PHY STM32H7Sxx8 设备基于高性能 Arm Cortex -M7 32 位 RISC 内核,工作频率高达 600 MHz。Cortex -M7 内核具有浮点单元 (FPU),支持 Arm 双精度(符合 IEEE 754 标准)和单精度数据处理指令和数据类型。Cortex -M7 内核包含 32 KB 指令缓存和 32 KB ...
  14. 高性能 Arm Cortex-M7 MCU、600MHz、64KB Bootflash、620KB SRAM,带 DSP、缓存、USB HS PHY STM32H7Sxx8 设备基于高性能 Arm Cortex -M7 32 位 RISC 内核,工作频率高达 600 MHz。Cortex -M7 内核具有浮点单元 (FPU),支持 Arm 双精度(符合 IEEE 754 标准)和单精度数据处理指令和数据类型。Cortex -M7 内核包含 32 KB 指令缓存和 32 KB ...
  15. 高性能 Arm Cortex-M7 MCU、600MHz、64KB Bootflash、620KB SRAM,带 DSP、缓存、USB HS PHY STM32H7Sxx8 设备基于高性能 Arm Cortex -M7 32 位 RISC 内核,工作频率高达 600 MHz。Cortex -M7 内核具有浮点单元 (FPU),支持 Arm 双精度(符合 IEEE 754 标准)和单精度数据处理指令和数据类型。Cortex -M7 内核包含 32 KB 指令缓存和 32 KB ...
  16. 高性能 Arm Cortex-M7 MCU、600MHz、64KB Bootflash、620KB SRAM,带 DSP、缓存、USB HS PHY STM32H7Sxx8 设备基于高性能 Arm Cortex -M7 32 位 RISC 内核,工作频率高达 600 MHz。Cortex -M7 内核具有浮点单元 (FPU),支持 Arm 双精度(符合 IEEE 754 标准)和单精度数据处理指令和数据类型。Cortex -M7 内核包含 32 KB 指令缓存和 32 KB ...
  17. 高性能 Arm Cortex-M7 MCU、600MHz、64KB Bootflash、620KB SRAM,带 DSP、缓存、USB HS PHY STM32H7Sxx8 设备基于高性能 Arm Cortex -M7 32 位 RISC 内核,工作频率高达 600 MHz。Cortex -M7 内核具有浮点单元 (FPU),支持 Arm 双精度(符合 IEEE 754 标准)和单精度数据处理指令和数据类型。Cortex -M7 内核包含 32 KB 指令缓存和 32 KB ...
  18. 高性能 Arm Cortex-M7 MCU、600MHz、64KB Bootflash、620KB SRAM,带 DSP、缓存、USB HS PHY STM32H7Sxx8 设备基于高性能 Arm Cortex -M7 32 位 RISC 内核,工作频率高达 600 MHz。Cortex -M7 内核具有浮点单元 (FPU),支持 Arm 双精度(符合 IEEE 754 标准)和单精度数据处理指令和数据类型。Cortex -M7 内核包含 32 KB 指令缓存和 32 KB ...