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SMT封装的GaAlAs红外发射器 发射器 IR 880NM 100MA SMD 零件状态：已淘汰
SMT封装的GaAlAs红外发射器 发射器 IR 880NM 100MA SMD 零件状态：已淘汰
- SMT 封装的硅 NPN 光电晶体管
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- SMT 封装的硅 NPN 光电晶体管
- SMT 封装的硅 NPN 光电晶体管
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射频功率GaN-SiC HEMT 30 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLP24H4S30P 设计用于驱动高功率 CW 晶体管，并采用高性能 DFN 封装。- 射频功率GaN-SiC HEMT 30 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLP24H4S30P 设计用于驱动高功率 CW 晶体管，并采用高性能 DFN 封装。
- 射频功率GaN-SiC HEMT 30 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLP24H4S30P 设计用于驱动高功率 CW 晶体管，并采用高性能 DFN 封装。
射频功率GaN-SiC HEMT 300 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLF24H4LS300P 专为高功率 CW 应用而设计，采用高性能陶瓷封装。- 射频功率GaN-SiC HEMT 300 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLF24H4LS300P 专为高功率 CW 应用而设计，采用高性能陶瓷封装。
- 射频功率GaN-SiC HEMT 300 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLF24H4LS300P 专为高功率 CW 应用而设计，采用高性能陶瓷封装。
5.0mm x 6.0mm 全彩 LED 灯 蓝色光源颜色器件采用碳化硅基氮化铟镓 (InGaN) 发光二极管制成。超橙色光源颜色器件采用 DH 为 GaAs 衬底上的 InGaAlP 发光二极管。绿色光源器件采用 G-SiC 衬底上的 InGaN 发光二极管制成。静电和浪涌会损坏 LED。建议在操作 LED 时佩戴腕带或防静电手套。所有装置、设备和机械必须接地。
通用二极管 通用二极管采用平面技术制造，并封装在非常小的 SOD323（SC-76）塑料封装中。- 通用二极管 通用二极管采用平面技术制造，并封装在非常小的 SOD323（SC-76）塑料封装中。
- 通用二极管 通用二极管采用平面技术制造，并封装在非常小的 SOD323（SC-76）塑料封装中。
- 通用二极管 通用二极管采用平面技术制造，并封装在非常小的 SOD323（SC-76）塑料封装中。
Qdrc LED 应用 600V 8A 33/43V TO220 Iso Littelfuse Q6008LH1LED 和 Q6012LH1LED 系列 Alternistor 双向可控硅以及 Q6008LTH1LED 和 Q6012LTH1LED 系列 QUADRAC 适用于 LED 调光，为交流线路 LED 调光器应用的电源开关控制提供强大的解决方案。它们设计用于调光电路中的开关器件，以改变新型可调光 LED 灯泡和灯串的光输出。它们非常适合 LED ...- Qdrc LED 应用 600V 8A 33/43V TO220 Iso Littelfuse Q6008LH1LED 和 Q6012LH1LED 系列 Alternistor 双向可控硅以及 Q6008LTH1LED 和 Q6012LTH1LED 系列 QUADRAC 适用于 LED 调光，为交流线路 LED 调光器应用的电源开关控制提供强大的解决方案。它们设计用于调光电路中的开关器件，以改变新型可调光 LED 灯泡和灯串的光输出。它们非常适合 LED ...