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肖特基二极管与整流器
Datasheets - 肖特基二极管与整流器
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肖特基二极管与整流器
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肖特基二极管与整流器
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SBRA401NT3G — Datasheet ON Semiconductor
肖特基二极管与整流器
ON Semiconductor
SBRA401N
SBRA401NT3G
1.0 A、40 V、肖特基功率整流器、表面贴装 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。肖特基整流器最先进的几何结构采用氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。 它非常适合低压、高频整流,或在表面贴装应用中作为续流和极性保护二极管,在这些应用中,紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
SBRA401N — Datasheet ON Semiconductor
肖特基二极管与整流器
ON Semiconductor
SBRA401N
1.0 A、40 V、肖特基功率整流器、表面贴装 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。肖特基整流器最先进的几何结构采用氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。 它非常适合低压、高频整流,或在表面贴装应用中作为续流和极性保护二极管,在这些应用中,紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
NRVBA140NT3G — Datasheet ON Semiconductor
肖特基二极管与整流器
ON Semiconductor
NRVBA140N
NRVBA140NT3G
1.0 A、40 V、肖特基功率整流器、表面贴装 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。肖特基整流器最先进的几何结构采用氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。 它非常适合低压、高频整流,或在表面贴装应用中作为续流和极性保护二极管,在这些应用中,紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
NRVBA140N — Datasheet ON Semiconductor
肖特基二极管与整流器
ON Semiconductor
NRVBA140N
1.0 A、40 V、肖特基功率整流器、表面贴装 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。肖特基整流器最先进的几何结构采用氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。 它非常适合低电压、高频整流,或作为表面贴装应用中的续流和极性保护二极管,在这些应用中,紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
MBRA140T3G — Datasheet ON Semiconductor
肖特基二极管与整流器
ON Semiconductor
MBRA140
MBRA140T3G
1.0 A、40 V、肖特基功率整流器、表面贴装 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。肖特基整流器最先进的几何结构采用氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。 它非常适合低压、高频整流,或在表面贴装应用中作为续流和极性保护二极管,在这些应用中,紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
NRVBA140T3G — Datasheet ON Semiconductor
肖特基二极管与整流器
ON Semiconductor
MBRA140
NRVBA140T3G
1.0 A、40 V、肖特基功率整流器、表面贴装 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。肖特基整流器最先进的几何结构采用氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。 它非常适合低电压、高频整流,或作为表面贴装应用中的续流和极性保护二极管,在这些应用中,紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
MBRA140 — Datasheet ON Semiconductor
肖特基二极管与整流器
ON Semiconductor
MBRA140
1.0 A、40 V、肖特基功率整流器、表面贴装 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。肖特基整流器最先进的几何结构采用氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。 它非常适合低压、高频整流,或在表面贴装应用中作为续流和极性保护二极管,在这些应用中,紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
MBRA140T3 — Datasheet ON Semiconductor
肖特基二极管与整流器
ON Semiconductor
MBRA140
MBRA140T3
1.0 A、40 V、肖特基功率整流器、表面贴装 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。肖特基整流器最先进的几何结构采用氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。 它非常适合低压、高频整流,或在表面贴装应用中作为续流和极性保护二极管,在这些应用中,紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
CMS03 — Datasheet Toshiba
肖特基二极管与整流器
Toshiba
CMS03
肖特基势垒整流器
BAS70-06-7-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-06
BAS70-06-7-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-06 — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-06
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-05-7-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-05
BAS70-05-7-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-05 — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-05
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-04-7-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-04
BAS70-04-7-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-04Q-7-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-04
BAS70-04Q-7-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-04Q-13-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-04
BAS70-04Q-13-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-04 — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-04
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-7-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70
BAS70-7-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70 — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
MBR360G — Datasheet ON Semiconductor
二极管-单整流器
ON Semiconductor
MBR360
MBR360G
肖特基二极管与整流器
ON Semiconductor
MBR360
肖特基势垒整流器,60V,3.0A 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。肖特基整流器最先进的几何形状采用氧化物钝化和金属重叠接触的外延结构。它非常适合用作低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管中的整流器。
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