Datasheets - 门驱动器

小节: "门驱动器"
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  1. 具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装,在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压,低端和高端的R DS(ON)分别 为150mΩ和225mΩ,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
  2. 具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装,在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压,低端和高端的R DS(ON)分别 为150mΩ和225mΩ,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
  3. 具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装,在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压,低端和高端的R DS(ON)分别 为150mΩ和225mΩ,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
  4. Datasheet Infineon 2ED24427N01FXUMA1
    24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...
  1. 24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...
  2. 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC,具有典型的1 A源极和1 A灌电流,用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
  3. 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC,具有典型的1 A源极和1 A灌电流,用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
  4. 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC,具有典型的1 A源极和1 A灌电流,用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
  5. 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC,具有典型的1 A源极和1 A灌电流,用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
  6. 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC,具有典型的1 A源极和1 A灌电流,用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
  7. Datasheet Infineon IR2011PBF
    200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流,采用 8 引脚 PDIP 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
  8. 200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流,采用 8 引脚 PDIP 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
  9. Datasheet Infineon IR2011SPBF
    200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流,采用 8 引脚 PDIP 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
  10. Datasheet Infineon IR2011STRPBF
    200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流,采用 8 引脚 PDIP 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
  11. Datasheet Infineon IR2011S
    200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流,采用 8 引脚 PDIP 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
  12. Datasheet Infineon 1ED3830MU12MXUMA1
    5.7 kV, 3 A单通道高度灵活型隔离栅极驱动器,可配置I2C接口支持DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障报告 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器,具备±3 A典型灌电流和拉电流峰值输出,采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装,爬电距离大( 8 mm),适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3830MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED38xx系列(X3 ...
  13. 5.7 kV, 3 A单通道高度灵活型隔离栅极驱动器,可配置I2C接口支持DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障报告 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器,具备±3 A典型灌电流和拉电流峰值输出,采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装,爬电距离大( 8 mm),适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3830MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED38xx系列(X3 ...
  14. 5.7 kV, 9 A单通道灵活型隔离栅极驱动器,具备有源米勒钳位、可调DESAT和软关断功能 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器,具备±9 A典型灌电流和拉电流峰值输出,采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装,爬电距离大( 8 mm),适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3491MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED34xx系列(X3 ...
  15. Datasheet Infineon 1ED3491MU12MXUMA1
    5.7 kV, 9 A单通道灵活型隔离栅极驱动器,具备有源米勒钳位、可调DESAT和软关断功能 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器,具备±9 A典型灌电流和拉电流峰值输出,采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装,爬电距离大( 8 mm),适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3491MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED34xx系列(X3 ...
  16. 三重半桥栅极驱动器 STDRIVE101是适用于驱动三相无刷电动机的低压栅极驱动器。 它是具有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器的单芯片。每个驱动器的电流能力为600 mA(灌/拉电流)。它集成了一个低压降线性稳压器,可通过自举电路为低端和高端栅极驱动器生成电源电压。 该器件在低侧和高侧部分均提供了欠压锁定(UVLO),可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。 集成在STDRIVE101中的控制逻辑允许两种输入策略(高端和低端或使能和PWM驱动信号)。根据DT / ...