Datasheets - 门驱动器

小节: "门驱动器"
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  1. 有源箝位正激式控制器和栅极驱动器
  2. 有源箝位正激式控制器和栅极驱动器
  3. 有源箝位正激式控制器和栅极驱动器
  4. 有源箝位正激式控制器和栅极驱动器
  1. 有源箝位正激式控制器和栅极驱动器
  2. 有源箝位正激式控制器和栅极驱动器
  3. 有源箝位正激式控制器和栅极驱动器
  4. 有源箝位正激式控制器和栅极驱动器
  5. 有源箝位正激式控制器和栅极驱动器
  6. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2152ENGRT
    80 V,12.5 A ePower级 额定输出电流(1 MHZ)(1),12.5 A 工作PWM频率范围(2),3 MHz 工作输入电压范围,60 V 偏置电源电压,12 V 输出电流和PWM频率额定值是工作条件的函数
  7. 80 V,12.5 A ePower级 额定输出电流(1 MHZ)(1),12.5 A 工作PWM频率范围(2),3 MHz 工作输入电压范围,60 V 偏置电源电压,12 V 输出电流和PWM频率额定值是工作条件的函数
  8. 80 V增强模式GaN功率晶体管半桥
  9. 60 V增强模式GaN功率晶体管半桥
  10. 具有真正差分输入的1通道非隔离式栅极驱动器IC系列
  11. Datasheet Infineon 1EDN7550UXTSA1
    具有真正差分输入的1通道非隔离式栅极驱动器IC系列
  12. 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器 IX4351NE专为驱动SiC MOSFET和大功率IGBT而设计。单独的9A源极和漏极输出可实现量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置,以改善dV / dt抗扰度并加快关断速度。
  13. 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器 IX4351NE专为驱动SiC MOSFET和大功率IGBT而设计。单独的9A源极和漏极输出可实现量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置,以改善dV / dt抗扰度并加快关断速度。
  14. 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器 IX4351NE专为驱动SiC MOSFET和大功率IGBT而设计。单独的9A源极和漏极输出可实现量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置,以改善dV / dt抗扰度并加快关断速度。
  15. 用于汽车的4A,6A,3.75kVRMS隔离式双通道栅极驱动器
  16. 适用于汽车14-SOIC的4A,6A,3.75kVRMS隔离式双通道栅极驱动器-40至125