Datasheets - 门驱动器

小节: "门驱动器"
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  1. Datasheet Texas Instruments 5962-0152001VPA
    互补大电流MOSFET驱动器8-CDIP -55至125
  2. Datasheet Texas Instruments 5962-0152001QPA
    互补大电流MOSFET驱动器8-CDIP -55至125
  3. Datasheet Texas Instruments 5962-0151201VPA
    反相高速MOSFET驱动器8-CDIP -55至125
  4. Datasheet Texas Instruments 5962-0052102VFA
    互补开关FET驱动器。 16 CFP -55至125
  1. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401V2A
    同相高速功率驱动器20-LCCC -55至125
  2. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401VEA
    同相高速功率驱动器16-CDIP -55至125
  3. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401VPA
    同相高速功率驱动器8-CDIP -55至125
  4. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401QPA
    同相高速功率驱动器8-CDIP -55至125
  5. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401QEA
    同相高速功率驱动器16-CDIP -55至125
  6. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401Q2A
    同相高速功率驱动器20-LCCC -55至125
  7. Datasheet Infineon 1EDB9275FXUMA1
    采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为14.4 V。 ...
  8. 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为14.4 V。 ...
  9. Datasheet Infineon 1EDB8275FXUMA1
    采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为7 V。 ...
  10. 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为7 V。 ...
  11. Datasheet Infineon 1EDB7275FXUMA1
    采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为4 V。 ...
  12. 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为4 V。 ...
  13. Datasheet Infineon 1EDB6275FXUMA1
    采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为11.5 V。 ...
  14. 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为11.5 V。 ...
  15. 具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 所有功能 600 V系统级封装,集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管: QFN 9 x 9 x 1毫米封装 R DS(开) = 225mΩ I DS(最大) = 6.5 A 反向电流能力 零反向恢复损耗 低端和高端的UVLO保护 内部自举二极管 联锁功能 专用引脚用于关闭功能
  16. 具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 所有功能 600 V系统级封装,集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管: QFN 9 x 9 x 1毫米封装 R DS(开) = 225mΩ I DS(最大) = 6.5 A 反向电流能力 零反向恢复损耗 低端和高端的UVLO保护 内部自举二极管 联锁功能 专用引脚用于关闭功能