Datasheets - 门驱动器

小节: "门驱动器"
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  1. 具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 所有功能 600 V系统级封装,集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管: QFN 9 x 9 x 1毫米封装 R DS(开) = 225mΩ I DS(最大) = 6.5 A 反向电流能力 零反向恢复损耗 低端和高端的UVLO保护 内部自举二极管 联锁功能 专用引脚用于关闭功能
  2. 具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 所有功能 600 V系统级封装,集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管: QFN 9 x 9 x 1毫米封装 R DS(开) = 225mΩ I DS(最大) = 6.5 A 反向电流能力 零反向恢复损耗 低端和高端的UVLO保护 内部自举二极管 联锁功能 专用引脚用于关闭功能
  3. 具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 所有功能 600 V系统级封装,集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管: QFN 9 x 9 x 1毫米封装 R DS(开) = 225mΩ I DS(最大) = 6.5 A 反向电流能力 零反向恢复损耗 低端和高端的UVLO保护 内部自举二极管 联锁功能 专用引脚用于关闭功能
  4. Datasheet Texas Instruments 5962-0052102VFA
    互补开关FET驱动器。 16 CFP -55至125
  1. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401VEA
    同相高速功率驱动器16-CDIP -55至125
  2. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401VPA
    同相高速功率驱动器8-CDIP -55至125
  3. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401QPA
    同相高速功率驱动器8-CDIP -55至125
  4. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401V2A
    同相高速功率驱动器20-LCCC -55至125
  5. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401Q2A
    同相高速功率驱动器20-LCCC -55至125
  6. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401QEA
    同相高速功率驱动器16-CDIP -55至125
  7. 电隔离的4 A单栅极驱动器,用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力:25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟:75 ns 分离的接收器和源极选项,可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
  8. 电隔离的4 A单栅极驱动器,用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力:25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟:75 ns 分离的接收器和源极选项,可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
  9. 电隔离的4 A单栅极驱动器,用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力:25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟:75 ns 分离的接收器和源极选项,可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
  10. 电隔离的4 A单栅极驱动器,用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力:25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟:75 ns 分离的接收器和源极选项,可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
  11. 电隔离的4 A单栅极驱动器,用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力:25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟:75 ns 分离的接收器和源极选项,可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
  12. 具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装,在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压,低端和高端的R DS(ON)分别 为150mΩ和225mΩ,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
  13. 具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装,在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压,低端和高端的R DS(ON)分别 为150mΩ和225mΩ,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
  14. 具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装,在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压,低端和高端的R DS(ON)分别 为150mΩ和225mΩ,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
  15. Datasheet Infineon 2ED24427N01FXUMA1
    24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...
  16. 24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...