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采用 SOD123 封装的肖特基势垒二极管 这些是采用 SOD123 封装的 0.2A、20V/30V/40V 肖特基整流器。 封装：SOD123 包装材料：模塑塑料。UL阻燃认证 分类等级 94V-0 湿度敏感性：根据 J-STD-020 标准，等级为 1 端子：哑光锡表面退火，合金 42 引线框架。 符合 MIL-STD-202 方法 208 的焊接要求 极性：阴极带 重量：0.01克（约）- 具有清零和预置8-VSSOP的单路上升沿触发D型触发器-40至125
圆柱形接近传感器 全新的 E2B 接近传感器承诺完美满足您的特定需求。E2B 系列拥有丰富的型号，您可以从中选择最符合您需求的产品。例如，我们提供四种不同尺寸：M8、M12、M18 和 M30，每种尺寸均提供单倍或双倍感应距离，以及屏蔽和非屏蔽两种选择。此外，还有短款和长款两种外壳、两种连接方式和四种输出类型可供选择。如此丰富的选择，您一定能找到最合适的解决方案。 兼具两个看似矛盾的特点：物有所值和高可靠性 全部 372 款车型 四种不同尺寸：M8、M12、M18 和 M30 ...
光电压传感器EyeC MLX75305 光电压转换器 SensorEyeC 是一款易于使用的光传感器，可将光强度转换为模拟输出电压。该传感器专为环境光检测、LCD 背光调光、LED 和激光前照灯控制等应用而设计。 所有 SensorEyeC 产品均符合 RoHS 标准，适用于 260°C 的回流焊。另有符合 AEC-Q100 标准的版本，适用于汽车应用，工作温度最高可达 +125°C。 SensorEyeC 系列产品是分立式光电二极管、光电晶体管和光敏电阻 (LDR) ...
2.5V、高速、全差分 1:2 LVDS 扇出缓冲器经过优化，可提供两个相同的输出副本，偏差小于 20ps，总抖动小于 10psPP SY58608U 可以处理高达 2GHz 的时钟信号或高达 3.2Gbps 的数据模式。差分输入包括 Micrel 独特的 3 针输入终端架构，可与低至 100mV (200mVPP) 的 LVPECL、LVDS 或 CML 差分信号 (AC 或 DC 耦合) 接口，而无需在信号路径中使用任何电平转换或终端电阻网络。对于 AC ...
带晶体管输出的反射式光学传感器 TCRT5000 和 TCRT5000L 是反射式传感器，采用引线封装，内部包含红外发射器和光电晶体管，可阻挡可见光。封装内含两个安装夹。TCRT5000L 为长引线版本。 特征 包装类型：含铅 探测器类型：光电晶体管 尺寸（长 x 宽 x 高，单位：毫米）：10.2 x 5.8 x 7- 带晶体管输出的反射式光学传感器 TCRT5000 和 TCRT5000L 是反射式传感器，采用引线封装，内部包含红外发射器和光电晶体管，可阻挡可见光。封装内含两个安装夹。TCRT5000L 为长引线版本。 特征 包装类型：含铅 探测器类型：光电晶体管 尺寸（长 x 宽 x 高，单位：毫米）：10.2 x 5.8 x 7
带光电晶体管输出的透射式光学传感器 TCST1103、TCST1202 和 TCST1300 是透射式传感器，包含一个红外发射器和一个光电晶体管，二者沿光轴面对面排列，并采用引线封装，可阻挡可见光。这些型号包含多种孔径宽度选项。- 带光电晶体管输出的透射式光学传感器 TCST1103、TCST1202 和 TCST1300 是透射式传感器，包含一个红外发射器和一个光电晶体管，二者沿光轴面对面排列，并采用引线封装，可阻挡可见光。这些型号包含多种孔径宽度选项。
- 带光电晶体管输出的透射式光学传感器 TCST1103、TCST1202 和 TCST1300 是透射式传感器，包含一个红外发射器和一个光电晶体管，二者沿光轴面对面排列，并采用引线封装，可阻挡可见光。这些型号包含多种孔径宽度选项。
- 6通道、2V至6V逆变器，具有施密特触发器输入和开漏输出 该器件包含六个独立的反相器，具有开漏输出和施密特触发器输入。每个门执行正逻辑的布尔函数 Y = A。
- 单通道 1.65V 至 5.5V 反相器，具有开漏输出和施密特触发器输入 SN74LVC1G16 器件是一款具有施密特触发器输入和开漏输出的反相缓冲器。
N沟道MOSFET，650V，12A，0.65Ω，TO-220F封装
集成 10/100M MAC/PHY 和 TCP/IP 协议栈的串口转以太网芯片，支持 TCP/UDP 协议，波特率最高可达 10 Mbps，采用 LQFP-64M 封装 实现UART和以太网之间的透明传输。支持UART和网络配置。内置PHY，支持串口设备连接到网络。
IGBT，1200V，NPT接口，TO-264-3封装 安森美半导体的AN系列IGBT采用NPT技术，具有极低的导通损耗和开关损耗。AN系列可应用于感应加热(IH)、电机控制、通用逆变器和不间断电源(UPS)等领域。
N沟道900V、1.1Ω、8A、TO-220、TO-220FP、D2PAK、TO-247封装的齐纳保护SuperMESH功率MOSFET- 1350V，30A Alpha IGBT 带二极管
- 650V，40A Alpha IGBT，带软恢复和快速恢复反并联二极管
- 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
- 单片数字立体声调频发射器芯片式电台 KT0803M 是我们新一代低成本单片数字调频发射机，旨在处理高保真立体声音频信号并在短距离内发射调制调频信号。它基于屡获殊荣的 KT0801 架构，也是 KT0803 的升级版。KT0803M 的新增功能包括：发射功率提升至 113 dBuV、自动电平检测和低音增强。