Datasheets - 单FET、MOSFET - 4
小节: "单FET、MOSFET"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed搜索结果: 8,202 输出量: 61-80
视图: 清单 / 图片
- UHF功率LDMOS晶体管 适用于广播发射机应用和工业应用的 140 W LDMOS 射频功率晶体管。该晶体管可在 HF 至 1 GHz 范围内提供 140 W 功率。该器件具有出色的耐用性和宽带性能，是数字发射机应用的理想选择。
- 30V P 沟道 MOSFET AO3401 采用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低至 2.5V 的栅极电压。该设备适合用作负载开关或 PWM 应用。
- P 沟道 1.8V 额定 PowerTrench MOSFET 这款 P 沟道 1.8V 规格 MOSFET 采用 Fairchild 的低压 PowerTrench 工艺。它已针对电池电源管理应用进行了优化。
P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。- P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
- P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET 特征 低栅极电荷 Qg 导致驱动要求简单 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性 完全表征电容和雪崩电压和电流- 采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET 特征 低栅极电荷 Qg 导致驱动要求简单 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性 完全表征电容和雪崩电压和电流
- 功率 MOSFET 33 安培，100 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- 功率 MOSFET 20 安培，200 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- N 沟道和 P 沟道增强模式场效应晶体管
- 功率 MOSFET 100V、1.7Ω、0.7A、单 P 通道
- 功率 MOSFET 100V、1.7Ω、0.7A、单 P 通道
- N沟道MOSFET
- N沟道MOSFET
- N沟道MOSFET
- N沟道MOSFET
- N沟道MOSFET
- 场效应晶体管
- 小信号 MOSFET 250 mA，200 V，N 沟道