Datasheets - 单FET、MOSFET - 3

• 半导体类
• 离散量
• 晶体管，晶体管阵列和模块
• 单FET、MOSFET

视图: 清单 / 图片

41. MTP33N10E — Datasheet ON Semiconductor
    单FET、MOSFET ON Semiconductor MTP33N10E
    晶体管，晶体管阵列和模块 ON Semiconductor MTP33N10E
    功率 MOSFET 33 安培，100 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
42. MTP20N20E — Datasheet ON Semiconductor
    单FET、MOSFET ON Semiconductor MTP20N20E
    晶体管，晶体管阵列和模块 ON Semiconductor MTP20N20E
    功率 MOSFET 20 安培，200 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。

43. P2503NPG — Datasheet Niko Semiconductor
    单FET、MOSFET Niko Semiconductor P2503NPG
    N 沟道和 P 沟道增强模式场效应晶体管
44. CPH3362 — Datasheet ON Semiconductor
    单FET、MOSFET ON Semiconductor CPH3362
    晶体管，晶体管阵列和模块 ON Semiconductor CPH3362
    功率 MOSFET 100V、1.7Ω、0.7A、单 P 通道
45. JCS10N60FT-R-F-N-B — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    单FET、MOSFET JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T JCS10N60FT-R-F-N-B
    N沟道MOSFET
46. 2SK2543 — Datasheet Toshiba
    单FET、MOSFET Toshiba 2SK2543
    场效应晶体管
47. BS107ARL1G — Datasheet ON Semiconductor
    单FET、MOSFET ON Semiconductor BS107A BS107ARL1G
    小信号 MOSFET 250 mA，200 V，N 沟道
48. ZVN3306A — Datasheet Diodes
    单FET、MOSFET Diodes ZVN3306A
    N沟道增强型MOSFET
49. 2SK1940-01 — Datasheet Inchange Semiconductor
    单FET、MOSFET Inchange Semiconductor 2SK1940-01
    N 沟道 MOSFET 晶体管
50. IRFF330 — Datasheet Infineon
    单FET、MOSFET Infineon IRFF330
    晶体管，晶体管阵列和模块 Infineon IRFF330
    400V N 沟道 HEXFET 晶体管 HEXFET 技术是 International Rectifier 的 HiRel 先进功率 MOSFET 晶体管系列的关键。这一最新“先进”设计采用高效的几何形状和独特的工艺，实现了：极低的导通电阻和高跨导。
51. IRF2804L — Datasheet International Rectifier
    单FET、MOSFET International Rectifier IRF2804L
    HEXFET功率MOSFET 这款 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新加工技术，实现了单位硅片面积的极低导通电阻。此设计的其他特点包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特点结合起来使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
52. IRF2804S — Datasheet International Rectifier
    单FET、MOSFET International Rectifier IRF2804S
    HEXFET功率MOSFET 这款 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新加工技术，实现了单位硅片面积的极低导通电阻。此设计的其他特点包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特点结合起来使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
53. IRF2804 — Datasheet International Rectifier
    单FET、MOSFET International Rectifier IRF2804
    HEXFET功率MOSFET 这款 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新加工技术，实现了单位硅片面积的极低导通电阻。此设计的其他特点包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特点结合起来使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
54. STF19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    单FET、MOSFET STMicroelectronics STF19NF20
    晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STF19NF20
    N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
55. STD19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    单FET、MOSFET STMicroelectronics STD19NF20
    晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STD19NF20
    N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
56. STB19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    单FET、MOSFET STMicroelectronics STB19NF20
    晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STB19NF20
    N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
57. STP19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    单FET、MOSFET STMicroelectronics STP19NF20
    晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STP19NF20
    N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
58. 2N7077 — Datasheet Inchange Semiconductor
    单FET、MOSFET Inchange Semiconductor 2N7077
    N 沟道 MOSFET 晶体管 电机驱动、DC-DC转换器、电源开关和电磁阀驱动
59. FHX35LG — Datasheet Eudyna Devices
    单FET、MOSFET Eudyna Devices FHX35LG
    超低噪声HEMT FHX35LG 是一款高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于 2-18GHz 频率范围内的通用低噪声高增益放大器。该器件采用经济高效、低寄生、密封 (LG) 或环氧密封 (LP) 金属陶瓷封装，适用于大容量电信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪声应用。
60. MTP50P03HDL — Datasheet ON Semiconductor
    单FET、MOSFET ON Semiconductor MTP50P03HDL
    功率 MOSFET -30V -50A 25 毫欧姆单 P 通道 TO-220 逻辑电平 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。