Datasheets - 单FET、MOSFET - 3

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• 离散量
• 晶体管，晶体管阵列和模块
• 单FET、MOSFET

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41. CPH3362 — Datasheet ON Semiconductor
    单FET、MOSFET ON Semiconductor CPH3362
    晶体管，晶体管阵列和模块 ON Semiconductor CPH3362
    功率 MOSFET 100V、1.7Ω、0.7A、单 P 通道
42. CPH3362-TL-W — Datasheet ON Semiconductor
    单FET、MOSFET ON Semiconductor CPH3362 CPH3362-TL-W
    晶体管，晶体管阵列和模块 ON Semiconductor CPH3362
    功率 MOSFET 100V、1.7Ω、0.7A、单 P 通道

43. JCS10N60CT-O-C-N-B — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    单FET、MOSFET JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T JCS10N60CT-O-C-N-B
    N沟道MOSFET
44. JCS10N60FT-O-F-N-B — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    单FET、MOSFET JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T JCS10N60FT-O-F-N-B
    N沟道MOSFET
45. JCS10N60FT-R-F-N-B — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    单FET、MOSFET JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T JCS10N60FT-R-F-N-B
    N沟道MOSFET
46. JCS10N60T — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    单FET、MOSFET JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T
    N沟道MOSFET
47. JCS10N60T — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    单FET、MOSFET JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T
    N沟道MOSFET
48. 2SK2543 — Datasheet Toshiba
    单FET、MOSFET Toshiba 2SK2543
    场效应晶体管
49. BS107ARL1G — Datasheet ON Semiconductor
    单FET、MOSFET ON Semiconductor BS107A BS107ARL1G
    小信号 MOSFET 250 mA，200 V，N 沟道
50. BS107A — Datasheet ON Semiconductor
    单FET、MOSFET ON Semiconductor BS107A
    小信号 MOSFET 250 mA，200 V，N 沟道
51. ZVN3306A — Datasheet Diodes
    单FET、MOSFET Diodes ZVN3306A
    N沟道增强型MOSFET
52. 2SK1940-01 — Datasheet Inchange Semiconductor
    单FET、MOSFET Inchange Semiconductor 2SK1940-01
    N 沟道 MOSFET 晶体管
53. IRFF330 — Datasheet Infineon
    单FET、MOSFET Infineon IRFF330
    晶体管，晶体管阵列和模块 Infineon IRFF330
    400V N 沟道 HEXFET 晶体管 HEXFET 技术是 International Rectifier 的 HiRel 先进功率 MOSFET 晶体管系列的关键。这一最新“先进”设计采用高效的几何形状和独特的工艺，实现了：极低的导通电阻和高跨导。
54. IRF2804L — Datasheet International Rectifier
    单FET、MOSFET International Rectifier IRF2804L
    HEXFET功率MOSFET 这款 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新加工技术，实现了单位硅片面积的极低导通电阻。此设计的其他特点包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特点结合起来使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
55. IRF2804S — Datasheet International Rectifier
    单FET、MOSFET International Rectifier IRF2804S
    HEXFET功率MOSFET 这款 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新加工技术，实现了单位硅片面积的极低导通电阻。此设计的其他特点包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特点结合起来使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
56. IRF2804 — Datasheet International Rectifier
    单FET、MOSFET International Rectifier IRF2804
    HEXFET功率MOSFET 这款 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新加工技术，实现了单位硅片面积的极低导通电阻。此设计的其他特点包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特点结合起来使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
57. STF19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    单FET、MOSFET STMicroelectronics STF19NF20
    晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STF19NF20
    N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
58. STD19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    单FET、MOSFET STMicroelectronics STD19NF20
    晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STD19NF20
    N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
59. STB19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    单FET、MOSFET STMicroelectronics STB19NF20
    晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STB19NF20
    N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
60. STP19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    单FET、MOSFET STMicroelectronics STP19NF20
    晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STP19NF20
    N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。