Datasheets - 单FET、MOSFET - 3
小节: "单FET、MOSFET"
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P 沟道增强型 MOSFET 这款新一代 100V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 (RDS (on)) ，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合 DC/DC 电源管理和主板/服务器应用。
射频功率GaN-SiC HEMT 30 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLP24H4S30P 设计用于驱动高功率 CW 晶体管，并采用高性能 DFN 封装。
射频功率GaN-SiC HEMT 300 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLF24H4LS300P 专为高功率 CW 应用而设计，采用高性能陶瓷封装。
20V 1A N沟道功率MOSFET 超小型封装（1006尺寸）RV2C010UN适用于便携式设备。
2.5V驱动P沟道MOSFET 已宣布产品停产（EOL）。- TO-3封装的N沟道MOSFET晶体管
1.2V驱动N沟道MOSFET 通过适用于移动设备的微处理技术，MOSFET具有极低的导通电阻，从而降低了电流消耗。满足市场需求的紧凑型，大功率型和复杂型的广泛产品阵容。- The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
- IGC033S101 是一款 100 V 常关型增强模式功率晶体管，采用小型 PQFN 3x5 封装，可实现高功率密度设计。凭借其低导通电阻，它是高要求高压大电流应用中可靠性能的理想选择。
- P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -30V, SOT-23 Infineon technologies offers automotive and industrial manufacturers a broad portfolio of N- and P-Channel Small Signal MOSFETs that meet and exceed the highest quality ...
采用 D2-Pak 封装的 -55V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET- UHF功率LDMOS晶体管 适用于非对称广播 Doherty 发射器应用的 1000 W LDMOS RF 功率晶体管，工作功率为 180 W DVB-T。该器件具有出色的耐用性，非常适合频率范围为 400 MHz 至 860 MHz 的数字和模拟发射器应用。
UHF功率LDMOS晶体管 适用于广播发射机应用和工业应用的 140 W LDMOS 射频功率晶体管。该晶体管可在 HF 至 1 GHz 范围内提供 140 W 功率。该器件具有出色的耐用性和宽带性能，是数字发射机应用的理想选择。
UHF功率LDMOS晶体管 适用于广播发射机应用和工业应用的 140 W LDMOS 射频功率晶体管。该晶体管可在 HF 至 1 GHz 范围内提供 140 W 功率。该器件具有出色的耐用性和宽带性能，是数字发射机应用的理想选择。- 30V P 沟道 MOSFET AO3401 采用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低至 2.5V 的栅极电压。该设备适合用作负载开关或 PWM 应用。
- P 沟道 1.8V 额定 PowerTrench MOSFET 这款 P 沟道 1.8V 规格 MOSFET 采用 Fairchild 的低压 PowerTrench 工艺。它已针对电池电源管理应用进行了优化。
- P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
- 功率 MOSFET 33 安培，100 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- 功率 MOSFET 20 安培，200 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- N 沟道和 P 沟道增强模式场效应晶体管