Datasheets - 单FET、MOSFET - 3
小节: "单FET、MOSFET"
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- P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -30V, SOT-23 Infineon technologies offers automotive and industrial manufacturers a broad portfolio of N- and P-Channel Small Signal MOSFETs that meet and exceed the highest quality ...
采用 D2-Pak 封装的 -55V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET
- UHF功率LDMOS晶体管 适用于非对称广播 Doherty 发射器应用的 1000 W LDMOS RF 功率晶体管，工作功率为 180 W DVB-T。该器件具有出色的耐用性，非常适合频率范围为 400 MHz 至 860 MHz 的数字和模拟发射器应用。
UHF功率LDMOS晶体管 适用于广播发射机应用和工业应用的 140 W LDMOS 射频功率晶体管。该晶体管可在 HF 至 1 GHz 范围内提供 140 W 功率。该器件具有出色的耐用性和宽带性能，是数字发射机应用的理想选择。- UHF功率LDMOS晶体管 适用于广播发射机应用和工业应用的 140 W LDMOS 射频功率晶体管。该晶体管可在 HF 至 1 GHz 范围内提供 140 W 功率。该器件具有出色的耐用性和宽带性能，是数字发射机应用的理想选择。
- 30V P 沟道 MOSFET AO3401 采用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低至 2.5V 的栅极电压。该设备适合用作负载开关或 PWM 应用。
- P 沟道 1.8V 额定 PowerTrench MOSFET 这款 P 沟道 1.8V 规格 MOSFET 采用 Fairchild 的低压 PowerTrench 工艺。它已针对电池电源管理应用进行了优化。
P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。- 功率 MOSFET 33 安培，100 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- 功率 MOSFET 20 安培，200 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- N 沟道和 P 沟道增强模式场效应晶体管
- 功率 MOSFET 100V、1.7Ω、0.7A、单 P 通道
- N沟道MOSFET
- 场效应晶体管
- 小信号 MOSFET 250 mA，200 V，N 沟道
- N沟道增强型MOSFET
- N 沟道 MOSFET 晶体管
- 400V N 沟道 HEXFET 晶体管 HEXFET 技术是 International Rectifier 的 HiRel 先进功率 MOSFET 晶体管系列的关键。这一最新“先进”设计采用高效的几何形状和独特的工艺，实现了：极低的导通电阻和高跨导。
- HEXFET功率MOSFET 这款 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新加工技术，实现了单位硅片面积的极低导通电阻。此设计的其他特点包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特点结合起来使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
- HEXFET功率MOSFET 这款 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新加工技术，实现了单位硅片面积的极低导通电阻。此设计的其他特点包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特点结合起来使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。