Datasheets - 单FET、MOSFET Littelfuse
小节: "单FET、MOSFET"
制造商: "Littelfuse"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse Magnachip MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed搜索结果: 7 输出量: 1-7
视图: 清单 / 图片
N沟道耗尽型MOSFET 250V 10欧姆 SOT-89封装 | 系列：N沟道耗尽型MOSFET 我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。该第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了世界一流的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺可制造出适用于高功率应用且具有高输入阻抗的坚固耐用的器件。这些高可靠性的FET器件已广泛应用于我们面向工业和电信应用的固态继电器中。
高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此，它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态，但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换，固态继电器，电流调节器和有功负载。 包装类型：TO-220
高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此，它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态，但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换，固态继电器，电流调节器和有功负载。 包装类型：TO-251
高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此，它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态，但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换，固态继电器，电流调节器和有功负载。 包装类型：TO-252
耗尽型N沟道MOSFET- 耗尽型N沟道MOSFET
增强模式SiC MOSFET，1700 V，1欧姆，N沟道
排序方式: 关联 / 日期