Datasheets - MOSFET单晶体管 Littelfuse

小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "Littelfuse"
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  1. Datasheet Littelfuse IXTP02N50D
    高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此,它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态,但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换,固态继电器,电流调节器和有功负载。 包装类型:TO-220
  2. Datasheet Littelfuse IXTU02N50D
    高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此,它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态,但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换,固态继电器,电流调节器和有功负载。 包装类型:TO-251
  1. Datasheet Littelfuse IXTY02N50D
    高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此,它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态,但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换,固态继电器,电流调节器和有功负载。 包装类型:TO-252
  2. Datasheet Littelfuse IXTA3N50D2
    耗尽型N沟道MOSFET
  3. Datasheet Littelfuse IXTP3N50D2
    耗尽型N沟道MOSFET
  4. Datasheet Littelfuse LSIC1MO170E1000
    增强模式SiC MOSFET,1700 V,1欧姆,N沟道

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