Datasheets - 单FET、MOSFET Inchange Semiconductor
小节: "单FET、MOSFET"
制造商: "Inchange Semiconductor"
制造商
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采用 TO-220 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管- 采用 TO-220 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管
采用 TO-247 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管 特征 漏极电流：ID= 26A@ TC=25℃ 漏源电压：VDSS= 500V（最小值） 静态漏源导通电阻：RDS(on) = 0.2Ω（最大值）@ VGS = 10V 100% 雪崩测试 最小批次间差异，确保设备性能稳定可靠
采用 DPAK/TO-252 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管- TO-3封装的N沟道MOSFET晶体管
- N 沟道 MOSFET 晶体管
- N 沟道 MOSFET 晶体管 电机驱动、DC-DC转换器、电源开关和电磁阀驱动
- N沟道Mosfet晶体管
排序方式: 关联 / 日期