Datasheets - MOSFET单晶体管 - 2
小节: "MOSFET单晶体管"
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P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。- P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET 特征 低栅极电荷 Qg 导致驱动要求简单 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性 完全表征电容和雪崩电压和电流- 采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET 特征 低栅极电荷 Qg 导致驱动要求简单 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性 完全表征电容和雪崩电压和电流
- 功率 MOSFET 33 安培，100 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- 功率 MOSFET 20 安培，200 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- N 沟道和 P 沟道增强模式场效应晶体管
- 功率 MOSFET 100V、1.7Ω、0.7A、单 P 通道
- 功率 MOSFET 100V、1.7Ω、0.7A、单 P 通道
- N沟道MOSFET
- N沟道MOSFET
- N沟道MOSFET
- N沟道MOSFET
- N沟道MOSFET
- 场效应晶体管
- 小信号 MOSFET 250 mA，200 V，N 沟道
- 小信号 MOSFET 250 mA，200 V，N 沟道
- N沟道增强型MOSFET
- N 沟道 MOSFET 晶体管
- 400V N 沟道 HEXFET 晶体管 HEXFET 技术是 International Rectifier 的 HiRel 先进功率 MOSFET 晶体管系列的关键。这一最新“先进”设计采用高效的几何形状和独特的工艺，实现了：极低的导通电阻和高跨导。