Datasheets - 单FET、MOSFET - 2
小节: "单FET、MOSFET"
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20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。- 20 V，N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
40 V，N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。- 20 V，P沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 20 V，P沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
采用 SOT-323 封装的 2.5V 驱动 N 沟道 MOSFET（符合 AEC-Q101 标准） 通过适用于移动设备的微处理技术，MOSFET具有极低的导通电阻，从而降低了电流消耗。满足市场需求的紧凑型，大功率型和复杂型的广泛产品阵容。- 2.5V驱动N沟道MOSFET
- 40V +175°C N沟道增强型MOSFET 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC-Q101 标准，并有 PPAP 支持，非常适合用于：电源管理功能、DC-DC 转换器和背光。
40V 互补增强型 MOSFET H 桥 新一代互补 MOSFET H 桥采用 SOIC 封装，具有 2 个 N 通道和 2 个 P 通道。
N沟道30 V 8 mΩ逻辑电平MOSFET，LFPAK封装 采用TrenchMOS技术的塑料封装逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品专为工业和通信应用而设计，并符合相关标准。
小信号 MOSFET，30V，0.35A，3.7Ω，-30V，-0.2A，10.4Ω，互补 MCPH6 过时的 MCH6613 是一款小信号 MOSFET，30V、0.35A、3.7Ω、-30V、-0.2A、10.4Ω，与 MCPH6 互补，适用于通用开关设备应用。
P 沟道增强型 MOSFET 这款新一代 100V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 (RDS (on)) ，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合 DC/DC 电源管理和主板/服务器应用。- 射频功率GaN-SiC HEMT 30 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLP24H4S30P 设计用于驱动高功率 CW 晶体管，并采用高性能 DFN 封装。
射频功率GaN-SiC HEMT 300 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLF24H4LS300P 专为高功率 CW 应用而设计，采用高性能陶瓷封装。
20V 1A N沟道功率MOSFET 超小型封装（1006尺寸）RV2C010UN适用于便携式设备。
2.5V驱动P沟道MOSFET 已宣布产品停产（EOL）。- TO-3封装的N沟道MOSFET晶体管
1.2V驱动N沟道MOSFET 通过适用于移动设备的微处理技术，MOSFET具有极低的导通电阻，从而降低了电流消耗。满足市场需求的紧凑型，大功率型和复杂型的广泛产品阵容。- The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
- IGC033S101 是一款 100 V 常关型增强模式功率晶体管，采用小型 PQFN 3x5 封装，可实现高功率密度设计。凭借其低导通电阻，它是高要求高压大电流应用中可靠性能的理想选择。