Datasheets - 单FET、MOSFET - 2
小节: "单FET、MOSFET"
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- P沟道100V（DS）MOSFET 无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET
单 N 沟道 2.5V 指定 PowerTrench MOSFET 30V、5.0A、40mΩ 该单 N 沟道 MOSFET 采用先进的 Power Trench 工艺设计，以优化特殊 MicroFET 引线框架上的 RDS(on) @VGS=2.5V。
20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。- 20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。- 20 V，N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 20 V，N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 40 V，N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 40 V，N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 20 V，P沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 20 V，P沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 20 V，P沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 20 V，P沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 2.5V驱动N沟道MOSFET
- 2.5V驱动N沟道MOSFET
采用 SOT-323 封装的 2.5V 驱动 N 沟道 MOSFET（符合 AEC-Q101 标准） 通过适用于移动设备的微处理技术，MOSFET具有极低的导通电阻，从而降低了电流消耗。满足市场需求的紧凑型，大功率型和复杂型的广泛产品阵容。- 采用 SOT-323 封装的 2.5V 驱动 N 沟道 MOSFET（符合 AEC-Q101 标准） 通过适用于移动设备的微处理技术，MOSFET具有极低的导通电阻，从而降低了电流消耗。满足市场需求的紧凑型，大功率型和复杂型的广泛产品阵容。
- 2.5V驱动N沟道MOSFET
- 40V +175°C N沟道增强型MOSFET 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC-Q101 标准，并有 PPAP 支持，非常适合用于：电源管理功能、DC-DC 转换器和背光。