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Datasheets - 单FET、MOSFET VBsemi
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IRF4435TRPBF-VB — Datasheet VBsemi
单FET、MOSFET
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IRF4435TRPBF-VB
采用 SOP8 封装的 P 沟道 30V (DS) MOSFET 它具有高载流能力和低导通电阻,特别适用于功率开关和电路控制。
IRF4435TR-VB — Datasheet VBsemi
单FET、MOSFET
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IRF4435TR-VB
采用 SOP8 封装的高性能 P 沟道 MOSFET 这款 MOSFET 的漏源耐压为 -30V,漏极电流处理能力高达 -9A。其低导通电阻和良好的电流处理能力使其非常适合用于各种开关和电源管理应用。IRF4435TR-VB 尤其适用于需要低导通电阻和高效率的负载开关和电源转换应用。
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