Datasheets - 单FET、MOSFET JX Semiconductor
小节: "单FET、MOSFET"
制造商: "JX Semiconductor"
制造商
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1200V N沟道SiC MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。- 1200V N沟道 MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。
- 1200V N沟道SiC MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。
- 1200V、40Ω、碳化硅 MOSFET，采用 TO-247-3L 封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1200V、100A、16Ω、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1200V、100A、16Ω、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1200V、100A、16Ω、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1700V、40A、72mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1700V、40A、72mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1700V、40A、72mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1200V、60A、45mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1700V SiC N沟道 MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更高的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。
- 1700V、40A、72mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1700V、40A、72mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 3300V SiC N沟道 MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。
采用 TO247-4 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。- 采用 TO247-3 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
- 采用 TO247-3 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
- 900V N沟道SiC MOSFET，采用TO247-3封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
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