Datasheets - 单FET、MOSFET Diodes
小节: "单FET、MOSFET"
制造商: "Diodes"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed系列
BSS84 DMHC4035LSDQ DMN2990UFZ DMN3012LEG DMN31D5UFZ DMP10H400SK3 DMP2160UWQ DMP3099L DMP32D9UFZ DMT10H015LPS DMT47M2LDVQ DMTH4008LFDFWQ VN10LP ZVN2106A ZVN2110A ZVN3306A ZVN3306F ZVN4210G ZVP2106A ZVP3306A ZXGD3113W6 ZXM61N02F ZXMP6A17DN8 ZXMP6A17E6 ZXMP6A17E6Q ZXMP6A17GQ ZXMP6A17K ZXMP6A17N8搜索结果: 189 输出量: 1-20
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- 40V +175°C N沟道增强型MOSFET 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC-Q101 标准，并有 PPAP 支持，非常适合用于：电源管理功能、DC-DC 转换器和背光。
40V 互补增强型 MOSFET H 桥 新一代互补 MOSFET H 桥采用 SOIC 封装，具有 2 个 N 通道和 2 个 P 通道。
- P 沟道增强型 MOSFET 这款新一代 100V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 (RDS (on)) ，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合 DC/DC 电源管理和主板/服务器应用。
P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。- N沟道增强型MOSFET
P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。- P 沟道增强型 MOSFET
- N 沟道增强模式垂直 Dmos 场效应管
- P 沟道增强模式垂直 Dmos FET
- P 沟道增强模式垂直 Dmos FET
- N沟道MOSFET Zetex的新一代高密度MOSFET采用独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点。这使它们成为高效，低电压，电源管理应用的理想选择。
- 双路40V N沟道增强模式MOSFET 该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合PPEC支持的AEC-Q101标准。
- 30V同步N沟道增强模式MOSFET 新一代MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻（RDS（ON）），并保持出色的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
- N沟道增强模式MOSFET
- Sot26中的同步MOSFET控制器
- 100v N沟道增强模式MOSFET
- 60 V N沟道增强模式垂直DMOS FET
- N沟道增强模式垂直DMOS FET
- 60 V P通道增强模式MOSFET
- 60 V P通道增强模式MOSFET
排序方式: 关联 / 日期