Datasheets - 单FET、MOSFET Ampleon
小节: "单FET、MOSFET"
制造商: "Ampleon"
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BLC2425M10LS250 BLC2425M10LS500P BLF189XRA BLF189XRAS BLF881 BLF881S BLF974P BLF978P BLF989E BLF989ES BLF989Е BLP05H9S500P BLP2425M10S250P CLF24H4LS300P CLP24H4S30P搜索结果: 15 输出量: 1-15
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射频功率GaN-SiC HEMT 30 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLP24H4S30P 设计用于驱动高功率 CW 晶体管，并采用高性能 DFN 封装。
射频功率GaN-SiC HEMT 300 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLF24H4LS300P 专为高功率 CW 应用而设计，采用高性能陶瓷封装。
- UHF功率LDMOS晶体管 适用于非对称广播 Doherty 发射器应用的 1000 W LDMOS RF 功率晶体管，工作功率为 180 W DVB-T。该器件具有出色的耐用性，非常适合频率范围为 400 MHz 至 860 MHz 的数字和模拟发射器应用。
- UHF功率LDMOS晶体管 适用于广播发射机应用和工业应用的 140 W LDMOS 射频功率晶体管。该晶体管可在 HF 至 1 GHz 范围内提供 140 W 功率。该器件具有出色的耐用性和宽带性能，是数字发射机应用的理想选择。
UHF功率LDMOS晶体管 适用于广播发射机应用和工业应用的 140 W LDMOS 射频功率晶体管。该晶体管可在 HF 至 1 GHz 范围内提供 140 W 功率。该器件具有出色的耐用性和宽带性能，是数字发射机应用的理想选择。
功率LDMOS晶体管 基于250 W LDMOS的功率晶体管，适用于2400 MHz至2500 MHz频率的各种商业和消费烹饪，工业，科学和医学应用。 BLP2425M10S250P专为大功率CW应用而设计，并采用高性能塑料封装进行组装。- UHF功率LDMOS晶体管 用于非对称广播Doherty发射机应用的1000 W LDMOS RF功率晶体管，其平均功率为180 W DVB-T。该设备的出色耐用性使其非常适合数字和模拟发射机应用。
- UHF功率LDMOS晶体管 用于非对称广播Doherty发射机应用的1000 W LDMOS RF功率晶体管，其平均功率为180 W DVB-T。该设备的出色耐用性使其非常适合数字和模拟发射机应用。
HF / VHF功率LDMOS晶体管 一种1200 W LDMOS功率晶体管，用于HF至700 MHz频段的广播应用和工业应用。
HF / VHF功率LDMOS晶体管 一种500 W LDMOS功率晶体管，用于HF至700 MHz频段的广播应用和工业应用。
功率LDMOS晶体管 500 W LDMOS功率晶体管，用于ISM，RF等离子照明和423 MHz至443 MHz频率的除霜等各种应用。 特征 高效率 轻松的电源控制 坚固耐用 集成ESD保护 专为ISM操作而设计（423 MHz至443 MHz） 出色的热稳定性 为了符合RoHS，请参阅Ampleon网站上的产品详细信息- 功率LDMOS晶体管 基于500 W LDMOS的功率晶体管，适用于2400 MHz至2500 MHz频率的各种商业和消费烹饪，工业，科学和医学应用。 BLC2425M10LS500P专为大功率连续波应用而设计，并采用高性能塑料封装进行组装。
功率LDMOS晶体管 一种1700 W坚固耐用的LDMOS功率晶体管，用于HF至500 MHz频段的广播和工业应用。
功率LDMOS晶体管 一种1700 W坚固耐用的LDMOS功率晶体管，用于HF至500 MHz频段的广播和工业应用。
功率LDMOS晶体管 基于250 W LDMOS的功率晶体管，适用于2400 MHz至2500 MHz频率的各种商业和消费烹饪，工业，科学和医疗应用。 BLC2425M10LS250专为大功率连续波应用而设计，并采用高性能塑料封装进行组装。
排序方式: 关联 / 日期