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  1. 恒定频率、电流模式升压 DC-DC 控制器 ADP1621 是一款固定频率、脉冲宽度调制 (PWM)、电流模式、升压转换器控制器。它驱动外部 N 通道 MOSFET,将输入电压转换为更高的输出电压。ADP1621 还可用于驱动反激式、SEPIC 和正向转换器拓扑(隔离式或非隔离式)。 ADP1621 通过测量 n 沟道 MOSFET 导通电阻上的压降,无需使用电流检测功率电阻。该技术允许开关节点的最大电压高达 30 V,可最大程度提高效率并降低成本。对于高于 30 V ...
  2. 恒定频率、电流模式升压 DC-DC 控制器 ADP1621 是一款固定频率、脉冲宽度调制 (PWM)、电流模式、升压转换器控制器。它驱动外部 N 通道 MOSFET,将输入电压转换为更高的输出电压。ADP1621 还可用于驱动反激式、SEPIC 和正向转换器拓扑(隔离式或非隔离式)。 ADP1621 通过测量 n 沟道 MOSFET 导通电阻上的压降,无需使用电流检测功率电阻。该技术允许开关节点的最大电压高达 30 V,可最大程度提高效率并降低成本。对于高于 30 V ...
  1. 功率 MOSFET -30V -50A 25 毫欧姆单 P 通道 TO-220 逻辑电平 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计,特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路,并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
  2. 功率 MOSFET -30V -50A 25 毫欧姆单 P 通道 TO-220 逻辑电平 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计,特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路,并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
  3. 功率 MOSFET -30V -50A 25 毫欧姆单 P 通道 TO-220 逻辑电平 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计,特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路,并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
  4. HEXFET功率MOSFET
  5. 2.5V 低拐点电流电压参考 描述 ZRC250 使用带隙电路设计来实现 2.5 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装,非常适合需要节省空间的应用,以及满足通孔要求的封装。ZRC250 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压,并且在电容负载下也能保持稳定。建议将 ZRC250 的电流在 20µA 和 5mA 之间运行,因此非常适合低功耗和电池供电的应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能,但坚固的设计和 20 伏处理使基准能够承受瞬态效应和高达 200mA ...
  6. Datasheet Diodes ZRC250F03TA
    2.5V 低拐点电流电压参考 描述 ZRC250 使用带隙电路设计来实现 2.5 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装,非常适合需要节省空间的应用,以及满足通孔要求的封装。ZRC250 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压,并且在电容负载下也能保持稳定。建议将 ZRC250 的电流在 20µA 和 5mA 之间运行,因此非常适合低功耗和电池供电的应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能,但坚固的设计和 20 伏处理使基准能够承受瞬态效应和高达 200mA ...
  7. Datasheet Diodes ZRC250F02TA
    2.5V 低拐点电流电压参考 描述 ZRC250 使用带隙电路设计来实现 2.5 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装,非常适合需要节省空间的应用,以及满足通孔要求的封装。ZRC250 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压,并且在电容负载下也能保持稳定。建议将 ZRC250 的电流在 20µA 和 5mA 之间运行,因此非常适合低功耗和电池供电的应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能,但坚固的设计和 20 伏处理使基准能够承受瞬态效应和高达 200mA ...
  8. Datasheet Diodes ZRC250F01TA
    2.5V 低拐点电流电压参考 描述 ZRC250 使用带隙电路设计来实现 2.5 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装,非常适合需要节省空间的应用,以及满足通孔要求的封装。ZRC250 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压,并且在电容负载下也能保持稳定。建议将 ZRC250 的电流在 20µA 和 5mA 之间运行,因此非常适合低功耗和电池供电的应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能,但坚固的设计和 20 伏处理使基准能够承受瞬态效应和高达 200mA ...
  9. 硅 P 通道 MOSFET,低频功率放大器,与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
  10. 硅 P 通道 MOSFET,低频功率放大器,与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
  11. 硅 P 通道 MOSFET,低频功率放大器,与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
  12. 硅 P 通道 MOSFET,低频功率放大器,与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
  13. 硅 P 通道 MOSFET,低频功率放大器,与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
  14. 硅 P 通道 MOSFET,低频功率放大器,与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
  15. 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
  16. 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
  17. 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
  18. 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计