Datasheets - 2
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采用 DFN1212-4-HD 封装的 1mW 整流二极管 NT9003HDAE4S 是一款 1 mW 级整流二极管，专为 920 MHz、2.4 GHz 和 5.7 GHz 频段的微波无线电力传输 (WPT) 整流电路而优化。该二极管具有低正向电压和高反向电压，可在 WPT 整流电路中实现宽动态范围和高效率。此外，该二极管采用小型 DFN 封装，可实现紧凑的安装空间。- 采用 DFN1212-4-HD 封装的 1mW 整流二极管 NT9002HDAE4S 是一款 1 mW 级整流二极管，专为 920 MHz、2.4 GHz 和 5.7 GHz 频段的微波无线电力传输 (WPT) 整流电路而优化。该二极管具有低正向电压和高反向电压，可在 WPT 整流电路中实现宽动态范围和高效率。此外，该二极管采用小型 DFN 封装，可实现紧凑的安装空间。
- 采用 DFN1212-4-HD 封装的 1W 整流二极管 NT9001HDAE4S 是一款 1W 级整流二极管，专为 920MHz、2.4GHz 和 5.7GHz 频段的微波无线电力传输 (WPT) 整流电路而优化。该二极管具有低正向电压和高反向电压，可在 WPT 整流电路中实现宽动态范围和高效率。此外，该二极管采用小型 DFN 封装，可实现紧凑的安装空间。
- 采用 DFN1212-4-HD 封装的 1W 整流二极管 NT9000HDAE4S 是一款 1W 级整流二极管，专为 920MHz、2.4GHz 和 5.7GHz 频段的微波无线电力传输 (WPT) 整流电路而优化。该二极管具有低正向电压和高反向电压，从而在 WPT 整流电路中实现宽动态范围和高效率。此外，该二极管采用小型 DFN 封装，可实现紧凑的安装空间。
低 I sub Q /sub 、双路、两相同步降压控制器，适用于采用 40 引脚 QFN 封装（6mm x 6mm，塑料面可润湿）的 GaN FET。 LTC7890 是一款高性能双降压直流-直流开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级，输入电压最高可达 100 V。LTC7890 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比，LTC7890 ...
100V 低 I sub Q /sub 同步升压控制器，适用于采用 28 引脚 QFN 封装（4mm x 5mm，塑料面可润湿）的 GaN FET。 LTC7893 是一款高性能升压型直流-直流开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级，输出电压最高可达 100V。LTC7893 解决了传统使用 GaN FET 时面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比，LTC7893 ...- 低 I sub Q /sub 、双路、两相同步升压控制器，适用于采用 40 引脚 QFN 封装（6mm x 6mm，塑料面可润湿）的 GaN FET。 LTC7892 是一款高性能双路升压 DC-DC 开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级，输出电压高达 100V。LTC7892 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比，LTC7892 ...
- 100V、低I sub Q /sub 、同步降压控制器，适用于采用28引脚QFN封装（4mm x 5mm，塑料面可润湿）的GaN FET。 LTC7891 是一款高性能降压型直流-直流开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级，输入电压最高可达 100 V。LTC7891 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比，LTC7891 ...
N沟道小信号MOSFET，30V，SOT-23封装
用于温度测量的NTC热敏电阻，圆盘封装，直径4.5mm x 宽度4.5mm 引线式NTC热敏电阻，引线间距2.5毫米
7.4A，400V TO-64封装直插式可控硅整流器- 7.4A，300V TO-64封装直插式可控硅整流器
- 7.4A，200V TO-64封装直插式可控硅整流器
- 7.4A、100V TO-64封装直插式可控硅整流器
13A 硅控整流器，TO-48 ISO封装 符合 MIL-PRF-19500 标准的高可靠性器件，请在部件号后添加“-HR”后缀。如需了解“-HR”后缀产品信息，请联系我们。如需无铅涂层，请在部件号后添加“PBF”后缀。- 13A 硅控整流器，TO-48 ISO封装 符合 MIL-PRF-19500 标准的高可靠性器件，请在部件号后添加“-HR”后缀。如需了解“-HR”后缀产品信息，请联系我们。如需无铅涂层，请在部件号后添加“PBF”后缀。
- 13A 硅控整流器，TO-48 ISO封装 符合 MIL-PRF-19500 标准的高可靠性器件，请在部件号后添加“-HR”后缀。如需了解“-HR”后缀产品信息，请联系我们。如需无铅涂层，请在部件号后添加“PBF”后缀。
- 13A 硅控整流器，TO-48 ISO封装 符合 MIL-PRF-19500 标准的高可靠性器件，请在部件号后添加“-HR”后缀。如需了解“-HR”后缀产品信息，请联系我们。如需无铅涂层，请在部件号后添加“PBF”后缀。
采用 TO-92 封装的 NPN 双极型高压达林顿晶体管 这款NPN型双极达林顿晶体管专为开关应用而设计，例如印刷锤、继电器、电磁阀和灯驱动器。该器件采用TO-92封装，适用于中等功率应用。- 采用 TO-92 封装的 NPN 双极型高压达林顿晶体管 这款NPN型双极达林顿晶体管专为开关应用而设计，例如印刷锤、继电器、电磁阀和灯驱动器。该器件采用TO-92封装，适用于中等功率应用。