Datasheets - 3

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  1. Datasheet ON Semiconductor TIP32G
    PNP互补硅塑料功率晶体管
  2. Datasheet ON Semiconductor TIP31CG
    NPN互补硅塑料功率晶体管
  1. Datasheet ON Semiconductor TIP31BG
    NPN互补硅塑料功率晶体管
  2. Datasheet ON Semiconductor TIP31G
    NPN互补硅塑料功率晶体管
  3. 高度集成超低功耗双频 Wi-Fi 6 Arm Cortex-M33 MCU RA6W1 是一款高度集成的超低功耗 Wi-Fi MCU,集成了 Arm Cortex-M33 系统处理器、双频 802.11a/b/g/n/ax Wi-Fi 子系统、片上存储器、灵活的外设接口和电源管理功能。这是一款独立的单芯片解决方案,可支持需要 Wi-Fi 网络连接的复杂低功耗物联网解决方案。其超低功耗运行是通过动态禁用 MCU ...
  4. Datasheet Diodes G20S63CDW
    20A高压沟槽式肖特基屏障整流器
  5. Datasheet Micrometals T130-52A
    环面体
  6. Datasheet Micrometals T130-52
    环面体
  7. Datasheet XLSemi XL6019E1
    180KHz 60V 5A开关电流升压/降压-升压/反相DC / DC转换器
  8. 无刷电机汽车门驱动器
  9. TinyLogic UHS 逆变器,带施密特触发器输入 NC7SZ14 是安森美半导体 TinyLogic 超高速 (UHS) 系列中的一款单反相器,采用施密特触发器输入。该器件采用先进的 CMOS 工艺制造,可在极宽的 VCC 工作电压范围内实现超高速和高输出驱动,同时保持低静态功耗。其 VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V。当 VCC 为 0V 时,输入和输出均为高阻抗。输入端可承受高达 6V 的电压,且与 VCC 工作电压无关。
  10. Datasheet Microchip PAC1811T-2E/9Q
    42V 电源监控器,带 I2C 和警报功能,16 位 高侧电流传感器,带 I2C 接口,42V,累积式,双向,报警功能 PAC1811是一款单通道能量监测器,包含一个总线电压监测器和一个电流检测放大器,它们为单个16位分辨率ADC提供信号。 该装置设计用于高侧电流检测,其数字电路执行功率计算和能量累积,从而实现能量监测。 整合期可达一年或更长。 总线电压、检测电阻电压和累积比例功率存储在寄存器中,供系统主机或嵌入式控制器检索。 ...
  11. Datasheet Microchip PAC1711T-1E/3P
    42V 电源监控器,带 I2C 和警报功能,12 位 高侧电流传感器,带 I2C 接口,42V,累积式,双向,报警功能
  12. Datasheet Worldsemi WS2812B
    智能控制LED集成光源
  13. Datasheet Omron B3SN-3012P
    密封触觉开关(SMT) 密封表面贴装开关 密封结构,可靠性高。 适用于压纹胶带 符合IP67(IEC-60529)标准的密封结构,即使在有灰尘或水的地方也能提供高可靠性。(* 不包括端子部分。) 配有接地端子,可防止静电。 使用不锈钢弹簧可提供清脆的咔哒声。 镀金版本可实现长时间稳定的接触和绝缘。 提供压纹带包装,方便自动安装。 除标准包装外,还提供包含 100 个压纹卷带盘的小包装。
  14. 100mA,30V表面贴装二极管-肖特基( 1A)单
  15. Datasheet Central Semiconductor CBCP68 BK
    20V、1A、2W 表面贴装晶体管 - 小信号 (≤1A) NPN 大电流,SOT-223 封装 已停产/已过时 CBCP68 和 CBCP69 是采用外延平面工艺制造的互补型硅晶体管,采用环氧树脂封装在表面贴装封装中,专为需要高电流能力的应用而设计。
  16. Datasheet Central Semiconductor CBCP69 BK
    20V、1A、2W 表面贴装晶体管 - 小信号 (≤1A) PNP 大电流,SOT-223 封装 已停产/已过时 CBCP68 和 CBCP69 是采用外延平面工艺制造的互补型硅晶体管,采用环氧树脂封装在表面贴装封装中,专为需要高电流能力的应用而设计。
  17. Datasheet Inchange Semiconductor IXFH26N50
    采用 TO-247 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管 特征 漏极电流:ID= 26A@ TC=25℃ 漏源电压:VDSS= 500V(最小值) 静态漏源导通电阻:RDS(on) = 0.2Ω(最大值)@ VGS = 10V 100% 雪崩测试 最小批次间差异,确保设备性能稳定可靠
  18. 高侧n沟道MOSFET开关驱动器 业界最低供电电流高侧n沟道MOSFET驱动器 MAX1614 驱动高侧 n 沟道功率 MOSFET,为便携式设备提供电池电源开关功能。n 沟道功率 MOSFET 的导通电阻通常只有同等尺寸和成本的 p 沟道 MOSFET 的三分之一。其内部的微功率稳压器和电荷泵可产生高侧驱动输出电压,无需任何外部元件。 MAX1614 还配备了一个精度为 1.5% ...