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采用LGA4封装的数字全极磁性开关 LF21173TMR 是一款数字全极磁开关，它集成了 TMR 和 CMOS 技术，具有高精度、低功耗（典型工作电流 160nA）和 10 高斯的工作灵敏度。该器件包含电压发生器、比较器、数字逻辑控制模块、阈值微调模块和 CMOS 输出电路，工作电压范围为 1.8V 至 5.5V，采用 LGA4 封装。 LF21177TMR 是一款数字全极磁开关，它集成了 TMR 和 CMOS 技术，可在 160nA 的典型工作电流下实现高精度、低功耗和 30 ...
低功耗粒子传感器 PM2105L是一款基于激光散射技术的室内用激光颗粒物传感器模块。该传感器能够精确测量粒径在0.3μm至10μm之间的颗粒物浓度，并通过数学算法和科学校准，直接输出PM1.0、PM2.5和PM10的质量浓度（单位为μg/m³）。
一款经济高效的 RISC-V MCU，采用 QFN32 (5×5 mm) 封装，支持 Wi-Fi 和蓝牙 5 (LE) 连接，适用于安全的物联网应用。 ESP32-C3 是一款基于开源 RISC-V 架构的单核 Wi-Fi 和蓝牙 5 (LE) 微控制器 SoC。它在功耗、I/O 功能和安全性之间实现了理想的平衡，从而为联网设备提供了最具性价比的解决方案。Wi-Fi 和蓝牙 5 (LE) 连接不仅简化了设备的配置，还支持基于双连接的各种应用场景。
采用 TO-56 CAN 封装的紧凑型高功率紫色激光二极管（402nm，1.7W）。 KLC435FS01WW 是一款紧凑型高功率紫光激光二极管，波长为 402 nm，输出功率高达 1.7 W。它采用 TO-56 CAN 封装，具有卓越的功率和可靠性，是工业应用的理想选择。该产品可作为汞灯 H 线（402 nm）的替代光源。
采用 TO-220 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管- 采用 TO-220 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管
采用 40-VFQFN 裸露焊盘封装的低功耗 FM 立体声收音机，适用于手持应用 TEA5767HN 是一款单芯片电子调谐 FM 立体声收音机，适用于低电压应用，集成了中频 (IF) 选择性和解调功能。该收音机无需任何调节，仅需少量小型低成本外部元件。它可调谐至欧洲、美国和日本的 FM 频段。- 1A 超低压差稳压器 TS2940系列单片式微功率固定电压稳压器专为各种应用而设计。该器件是电池供电应用的理想之选。此外，其静态电流在压降时略有增加，从而延长了电池寿命。该系列固定电压稳压器具有低压降输出电压（轻载时典型值为60mV，800mA时为600mV）。其初始电压容差仅为2%，线路调整率极佳（典型值为0.05%），且输出温度系数极低。
- 500mA 超低压差稳压器 TS2937 是一款单片式微功率固定电压稳压器，适用于多种应用。该器件尤其适用于电池供电应用。此外，其静态电流在压降时略有增加，从而延长了电池寿命。该系列固定电压稳压器具有极低的接地电流（典型值 200μA）和极低的输出电压压降（轻载时典型值 60mV，500mA 时 600mV）。其初始电压容差仅为 2%，线路调整率极佳（典型值 0.05%），且输出温度系数极低。
- 5W立体声音频放大器，带D类/AB类开关 PAM8406 是一款 5W 音频放大器，可在 D 类和 AB 类输出之间切换，使其在效率和电磁干扰 (EMI) 兼容性方面表现出色。PAM8406 具有低总谐波失真加噪声 (THD+N) 和高信噪比 (SNR)，可实现高品质的声音再现。其采用全新的无滤波器架构（D 类模式）的全差分输出，可直接驱动扬声器，无需低通输出滤波器和直流阻隔电容，从而节省系统成本和 PCB 面积。PAM8406 的效率高达 ...
3W D类立体声放大器，SOP-16封装 PAM8403 是一款 3W D 类音频放大器。它具有低 THD+N，可实现高品质的声音再现。其全新的无滤波器架构使其能够直接驱动扬声器，无需低通输出滤波器，从而节省系统成本和 PCB 面积。在外部元件数量相同的情况下，PAM8403 的效率远高于同类 AB 类放大器。它能够延长电池续航时间，因此非常适合便携式应用。PAM8403 采用 SOP-16 封装。 NRND = 不建议用于新设计，请使用 PAM8406
PNP 型，60V，6A，采用 PowerDI3333-8/SWP 封装- PNP型，100V，4A，采用PowerDI3333-8/SWP封装
- PNP型，30V，7.5A，采用PowerDI3333-8/SWP封装
- PNP型，100V，4A，采用PowerDI3333-8/SWP封装
- PNP 型，60V，6A，采用 PowerDI3333-8/SWP 封装
- PNP型，30V，7.5A，采用PowerDI3333-8/SWP封装
- PNP型，100V，2.5A，采用PowerDI3333-8/SWP封装
- PNP 型，30V，6.5A，采用 PowerDI3333-8/SWP 封装
- PNP型，100V，2.5A，采用PowerDI3333-8/SWP封装