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  1. MOC3032M — Datasheet ON Semiconductor
    三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器 ON Semiconductor MOC3032M
    Triac 驱动器输出光耦合器，6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成，该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器，执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
  2. MOC3031M — Datasheet ON Semiconductor
    三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器 ON Semiconductor MOC3031M
    Triac 驱动器输出光耦合器，6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成，该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器，执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
  1. MOC3031SR2M — Datasheet ON Semiconductor
    三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器 ON Semiconductor MOC3031M MOC3031SR2M
    Triac 驱动器输出光耦合器，6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成，该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器，执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
  2. MOC3031SM — Datasheet ON Semiconductor
    三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器 ON Semiconductor MOC3031M MOC3031SM
    Triac 驱动器输出光耦合器，6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成，该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器，执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
  3. MOC3031M — Datasheet ON Semiconductor
    三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器 ON Semiconductor MOC3031M
    Triac 驱动器输出光耦合器，6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成，该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器，执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
  4. MOC3033M — Datasheet ON Semiconductor
    三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器 ON Semiconductor MOC3033M
    Triac 驱动器输出光耦合器，6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成，该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器，执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
  5. MOC3033SVM — Datasheet ON Semiconductor
    三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器 ON Semiconductor MOC3033M MOC3033SVM
    Triac 驱动器输出光耦合器，6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成，该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器，执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
  6. MOC3033SR2M — Datasheet ON Semiconductor
    三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器 ON Semiconductor MOC3033M MOC3033SR2M
    Triac 驱动器输出光耦合器，6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成，该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器，执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
  7. MOC3033SM — Datasheet ON Semiconductor
    三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器 ON Semiconductor MOC3033M MOC3033SM
    Triac 驱动器输出光耦合器，6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成，该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器，执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
  8. MOC3033M — Datasheet ON Semiconductor
    三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器 ON Semiconductor MOC3033M
    Triac 驱动器输出光耦合器，6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成，该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器，执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
  9. SiHFU9310 — Datasheet Vishay
    MOSFET单晶体管 Vishay SiHFU9310
    晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay SiHFU9310
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
  10. SiHFU9310-GE3 — Datasheet Vishay
    MOSFET单晶体管 Vishay SiHFU9310 SiHFU9310-GE3
    晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay SiHFU9310
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
  11. SiHFR9310 — Datasheet Vishay
    MOSFET单晶体管 Vishay SiHFR9310
    晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay SiHFR9310
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
  12. SiHFR9310TRR-GE3 — Datasheet Vishay
    MOSFET单晶体管 Vishay SiHFR9310 SiHFR9310TRR-GE3
    晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay SiHFR9310
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
  13. SiHFR9310TR-GE3 — Datasheet Vishay
    MOSFET单晶体管 Vishay SiHFR9310 SiHFR9310TR-GE3
    晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay SiHFR9310
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
  14. SiHFR9310TRL-GE3 — Datasheet Vishay
    MOSFET单晶体管 Vishay SiHFR9310 SiHFR9310TRL-GE3
    晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay SiHFR9310
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
  15. SiHFR9310-GE3 — Datasheet Vishay
    MOSFET单晶体管 Vishay SiHFR9310 SiHFR9310-GE3
    晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay SiHFR9310
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
  16. IRFU9310 — Datasheet Vishay
    MOSFET单晶体管 Vishay IRFU9310
    晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay IRFU9310
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
  17. IRFU9310PbF — Datasheet Vishay
    MOSFET单晶体管 Vishay IRFU9310 IRFU9310PbF
    晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay IRFU9310
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
  18. IRFR9310 — Datasheet Vishay
    MOSFET单晶体管 Vishay IRFR9310
    晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay IRFR9310
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。