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PIC32CM6408PL10048-E/6MX — Datasheet Microchip
微控制器(MCU)
Microchip
PIC32CM PL10
PIC32CM6408PL10048
PIC32CM6408PL10048-E/6MX
适用于人机界面应用的 5V 低功耗 Arm Cortex-M0+ MCU PIC32CM6408PL10064 是 PIC32CM PL10 系列微控制器中的一员,采用 Arm Cortex-M0+ 内核,工作频率高达 24 MHz,工作电压范围为 1.8-5.5V。PIC32CM PL10 系列旨在实现电容式触摸感应功能,并且由于其 5V 工作电压,该器件可在汽车和工业等噪声较大的应用环境中运行。 PIC32CM-PL10 系列与 AVR Dx 系列 8 位 MCU ...
PIC32CM6408PL10032-E/QZB — Datasheet Microchip
微控制器(MCU)
Microchip
PIC32CM PL10
PIC32CM6408PL10032
PIC32CM6408PL10032-E/QZB
适用于人机界面应用的 5V 低功耗 Arm Cortex-M0+ MCU PIC32CM6408PL10064 是 PIC32CM PL10 系列微控制器中的一员,采用 Arm Cortex-M0+ 内核,工作频率高达 24 MHz,工作电压范围为 1.8-5.5V。PIC32CM PL10 系列旨在实现电容式触摸感应功能,并且由于其 5V 工作电压,该器件可在汽车和工业等噪声较大的应用环境中运行。 PIC32CM-PL10 系列与 AVR Dx 系列 8 位 MCU ...
PIC32CM6408PL10028-I/SS — Datasheet Microchip
微控制器(MCU)
Microchip
PIC32CM PL10
PIC32CM6408PL10028
PIC32CM6408PL10028-I/SS
适用于人机界面应用的 5V 低功耗 Arm Cortex-M0+ MCU PIC32CM6408PL10064 是 PIC32CM PL10 系列微控制器中的一员,采用 Arm Cortex-M0+ 内核,工作频率高达 24 MHz,工作电压范围为 1.8-5.5V。PIC32CM PL10 系列旨在实现电容式触摸感应功能,并且由于其 5V 工作电压,该器件可在汽车和工业等噪声较大的应用环境中运行。 PIC32CM-PL10 系列与 AVR Dx 系列 8 位 MCU ...
PIC32CM6408PL10064-E/5LX — Datasheet Microchip
微控制器(MCU)
Microchip
PIC32CM PL10
PIC32CM6408PL10064
PIC32CM6408PL10064-E/5LX
适用于人机界面应用的 5V 低功耗 Arm Cortex-M0+ MCU PIC32CM6408PL10064 是 PIC32CM PL10 系列微控制器中的一员,采用 Arm Cortex-M0+ 内核,工作频率高达 24 MHz,工作电压范围为 1.8-5.5V。PIC32CM PL10 系列旨在实现电容式触摸感应功能,并且由于其 5V 工作电压,该器件可在汽车和工业等噪声较大的应用环境中运行。 PIC32CM-PL10 系列与 AVR Dx 系列 8 位 MCU ...
IRF4435TRPBF-VB — Datasheet VBsemi
单FET、MOSFET
VBsemi
IRF4435TRPBF-VB
采用 SOP8 封装的 P 沟道 30V (DS) MOSFET 它具有高载流能力和低导通电阻,特别适用于功率开关和电路控制。
IRF4435TR-VB — Datasheet VBsemi
单FET、MOSFET
VBsemi
IRF4435TR-VB
采用 SOP8 封装的高性能 P 沟道 MOSFET 这款 MOSFET 的漏源耐压为 -30V,漏极电流处理能力高达 -9A。其低导通电阻和良好的电流处理能力使其非常适合用于各种开关和电源管理应用。IRF4435TR-VB 尤其适用于需要低导通电阻和高效率的负载开关和电源转换应用。
BUT56 — Datasheet Inchange Semiconductor
双极型单晶体管
Inchange Semiconductor
BUT56
TO-220封装的硅NPN功率晶体管
4N28 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
4N28
光耦合器,光电晶体管输出,带基极连接,采用 6 引脚双列直插封装 4N25系列是业界标准的单通道光电晶体管耦合器。该系列包括4N25、4N26、4N27和4N28。每个光耦合器均由砷化镓红外发光二极管和硅NPN光电晶体管组成。
4N27 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
4N27
光耦合器,光电晶体管输出,带基极连接,采用 6 引脚双列直插封装 4N25系列是业界标准的单通道光电晶体管耦合器。该系列包括4N25、4N26、4N27和4N28。每个光耦合器均由砷化镓红外发光二极管和硅NPN光电晶体管组成。
4N26 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
4N26
光耦合器,光电晶体管输出,带基极连接,采用 6 引脚双列直插封装 4N25系列是业界标准的单通道光电晶体管耦合器。该系列包括4N25、4N26、4N27和4N28。每个光耦合器均由砷化镓红外发光二极管和硅NPN光电晶体管组成。
4N25 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
4N25
光耦合器,光电晶体管输出,带基极连接,采用 6 引脚双列直插封装 4N25系列是业界标准的单通道光电晶体管耦合器。该系列包括4N25、4N26、4N27和4N28。每个光耦合器均由砷化镓红外发光二极管和硅NPN光电晶体管组成。
SMDB3 — Datasheet STMicroelectronics
DIACs, SIDACs
STMicroelectronics
SMDB3
DIAC DB3/DB4 系列可用作具有固定电压基准的触发二极管,可与三端双向可控硅开关元件配合使用,以简化门控电路,或用作荧光灯镇流器的启动元件。 表面贴装 SOT23-3L 封装可实现紧凑的 SMD 设计,适用于自动化制造。
DB4 — Datasheet STMicroelectronics
DIACs, SIDACs
STMicroelectronics
DB4
DIAC DB3/DB4 系列可用作具有固定电压基准的触发二极管,可与三端双向可控硅开关元件配合使用,以简化门控电路,或用作荧光灯镇流器的启动元件。 表面贴装 SOT23-3L 封装可实现紧凑的 SMD 设计,适用于自动化制造。
DB3 — Datasheet STMicroelectronics
DIACs, SIDACs
STMicroelectronics
DB3
DIAC DB3/DB4 系列可用作具有固定电压基准的触发二极管,可与三端双向可控硅开关元件配合使用,以简化门控电路,或用作荧光灯镇流器的启动元件。 表面贴装 SOT23-3L 封装可实现紧凑的 SMD 设计,适用于自动化制造。
LF21173TMR — Datasheet Littelfuse
磁力操作开关
Littelfuse
LF2117XTMR
LF21173TMR
采用LGA4封装的数字全极磁性开关 LF21173TMR 是一款数字全极磁开关,它集成了 TMR 和 CMOS 技术,具有高精度、低功耗(典型工作电流 160nA)和 10 高斯的工作灵敏度。该器件包含电压发生器、比较器、数字逻辑控制模块、阈值微调模块和 CMOS 输出电路,工作电压范围为 1.8V 至 5.5V,采用 LGA4 封装。 LF21177TMR 是一款数字全极磁开关,它集成了 TMR 和 CMOS 技术,可在 160nA 的典型工作电流下实现高精度、低功耗和 30 ...
PM2105L — Datasheet Cubic
颗粒物、粉尘传感器
Cubic
PM2105L
低功耗粒子传感器 PM2105L是一款基于激光散射技术的室内用激光颗粒物传感器模块。该传感器能够精确测量粒径在0.3μm至10μm之间的颗粒物浓度,并通过数学算法和科学校准,直接输出PM1.0、PM2.5和PM10的质量浓度(单位为μg/m³)。
ESP32-C3 — Datasheet Espressif
射频收发器
Espressif
ESP32-C3
一款经济高效的 RISC-V MCU,采用 QFN32 (5×5 mm) 封装,支持 Wi-Fi 和蓝牙 5 (LE) 连接,适用于安全的物联网应用。 ESP32-C3 是一款基于开源 RISC-V 架构的单核 Wi-Fi 和蓝牙 5 (LE) 微控制器 SoC。它在功耗、I/O 功能和安全性之间实现了理想的平衡,从而为联网设备提供了最具性价比的解决方案。Wi-Fi 和蓝牙 5 (LE) 连接不仅简化了设备的配置,还支持基于双连接的各种应用场景。
KLC435FS01WW — Datasheet Nuvoton
激光二极管
Nuvoton
KLC435FS01WW
采用 TO-56 CAN 封装的紧凑型高功率紫色激光二极管(402nm,1.7W)。 KLC435FS01WW 是一款紧凑型高功率紫光激光二极管,波长为 402 nm,输出功率高达 1.7 W。它采用 TO-56 CAN 封装,具有卓越的功率和可靠性,是工业应用的理想选择。该产品可作为汞灯 H 线(402 nm)的替代光源。
IIRFZ48Z — Datasheet Inchange Semiconductor
单FET、MOSFET
Inchange Semiconductor
IIRFZ48Z
采用 TO-220 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管
IRFZ48Z — Datasheet Inchange Semiconductor
单FET、MOSFET
Inchange Semiconductor
IRFZ48Z
采用 TO-220 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管
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