Datasheets - 门驱动器 Infineon
小节: "门驱动器"
制造商: "Infineon"
制造商
Analog Devices Diodes Efficient Power Conversion GaNPower International Infineon International Rectifier IXYS Linear Technology Microchip Renesas STMicroelectronics Texas Instruments TRINAMIC系列
1ED3491MU12M 1ED3830MU12M 1EDB6275F 1EDB7275F 1EDB8275F 1EDB9275F 1EDN7550B 1EDN7550U 1EDN8550B 2ED21064S06J 2ED2106S06F 2ED21084S06J 2ED2108S06F 2ED21091S06F 2ED21094S06J 2ED2109S06F 2ED21814S06J 2ED2181S06F 2ED21824S06J 2ED2182S06F 2ED21834S06J 2ED2183S06F 2ED21844S06J 2ED2184S06F 2ED24427N01F 6ED2230S12T IR2011搜索结果: 27 输出量: 1-20
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- 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度，可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行，共模瞬态抗扰性（CMTI）超过300 V/ns，典型输出级箝位速度短至20 ns，输出级欠压锁定（UVLO）为14.4 V。 ...
- 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度，可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行，共模瞬态抗扰性（CMTI）超过300 V/ns，典型输出级箝位速度短至20 ns，输出级欠压锁定（UVLO）为7 V。 ...
- 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度，可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行，共模瞬态抗扰性（CMTI）超过300 V/ns，典型输出级箝位速度短至20 ns，输出级欠压锁定（UVLO）为4 V。 ...
- 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度，可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行，共模瞬态抗扰性（CMTI）超过300 V/ns，典型输出级箝位速度短至20 ns，输出级欠压锁定（UVLO）为11.5 V。 ...
- 24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...
200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。- 5.7 kV, 3 A单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，可配置I2C接口支持DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障报告 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，具备±3 A典型灌电流和拉电流峰值输出，采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装，爬电距离大（ 8 mm），适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3830MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED38xx系列（X3 ...
- 5.7 kV, 9 A单通道灵活型隔离栅极驱动器，具备有源米勒钳位、可调DESAT和软关断功能 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，具备±9 A典型灌电流和拉电流峰值输出，采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装，爬电距离大（ 8 mm），适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3491MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED34xx系列（X3 ...
- 采用DSO-24封装，带有集成自举二极管和过电流保护的1200 V、0.65 A三相栅极驱动器 1200 V 三相SOI栅极驱动器带有集成自举二极管和过电流保护，采用DSO-24封装（移除了四个引脚的DSO-28），具有典型的0.35 A源电流和0.65 A漏电流。用于驱动IGBT 和MOSFET。
具有真正差分输入的1通道非隔离式栅极驱动器IC系列- 带有集成自举二极管和DSO-14封装的650V，2.5A大电流半桥栅极驱动器IC
- 带有集成自举二极管和DSO-8封装的650V，2.5A大电流半桥栅极驱动器IC
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-8封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-8封装
650 V，2.5 A大电流高侧和低侧栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-14封装- 带有集成自举二极管的650 V，2.5 A大电流高侧和低侧栅极驱动器IC，采用DSO-8封装
- 650 V，0.7 A半桥栅极驱动器，带有集成自举二极管和DSO-14封装中的停机功能
- 650 V，0.7 A半桥栅极驱动器，具有集成自举二极管和DSO-8封装的停机功能
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