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Datasheets - 门驱动器 - 2
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1EDB9275FXUMA1 — Datasheet Infineon
门驱动器
Infineon
1EDB9275F
1EDB9275FXUMA1
采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为14.4 V。 ...
1EDB9275F — Datasheet Infineon
门驱动器
Infineon
1EDB9275F
采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为14.4 V。 ...
1EDB8275FXUMA1 — Datasheet Infineon
门驱动器
Infineon
1EDB8275F
1EDB8275FXUMA1
采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为7 V。 ...
1EDB8275F — Datasheet Infineon
门驱动器
Infineon
1EDB8275F
采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为7 V。 ...
1EDB7275FXUMA1 — Datasheet Infineon
门驱动器
Infineon
1EDB7275F
1EDB7275FXUMA1
采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为4 V。 ...
1EDB7275F — Datasheet Infineon
门驱动器
Infineon
1EDB7275F
采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为4 V。 ...
1EDB6275FXUMA1 — Datasheet Infineon
门驱动器
Infineon
1EDB6275F
1EDB6275FXUMA1
采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为11.5 V。 ...
1EDB6275F — Datasheet Infineon
门驱动器
Infineon
1EDB6275F
采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为11.5 V。 ...
MASTERGAN4 — Datasheet STMicroelectronics
门驱动器
STMicroelectronics
MASTERGAN4
具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 所有功能 600 V系统级封装,集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管: QFN 9 x 9 x 1毫米封装 R DS(开) = 225mΩ I DS(最大) = 6.5 A 反向电流能力 零反向恢复损耗 低端和高端的UVLO保护 内部自举二极管 联锁功能 专用引脚用于关闭功能
MASTERGAN4TR — Datasheet STMicroelectronics
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MASTERGAN4
MASTERGAN4TR
具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 所有功能 600 V系统级封装,集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管: QFN 9 x 9 x 1毫米封装 R DS(开) = 225mΩ I DS(最大) = 6.5 A 反向电流能力 零反向恢复损耗 低端和高端的UVLO保护 内部自举二极管 联锁功能 专用引脚用于关闭功能
MASTERGAN4 — Datasheet STMicroelectronics
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STMicroelectronics
MASTERGAN4
具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 所有功能 600 V系统级封装,集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管: QFN 9 x 9 x 1毫米封装 R DS(开) = 225mΩ I DS(最大) = 6.5 A 反向电流能力 零反向恢复损耗 低端和高端的UVLO保护 内部自举二极管 联锁功能 专用引脚用于关闭功能
STGAP2SICS — Datasheet STMicroelectronics
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STMicroelectronics
STGAP2SICS
电隔离的4 A单栅极驱动器,用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力:25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟:75 ns 分离的接收器和源极选项,可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
STGAP2SICSC — Datasheet STMicroelectronics
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STGAP2SICS
STGAP2SICSC
电隔离的4 A单栅极驱动器,用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力:25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟:75 ns 分离的接收器和源极选项,可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
STGAP2SICSCTR — Datasheet STMicroelectronics
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STGAP2SICS
STGAP2SICSCTR
电隔离的4 A单栅极驱动器,用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力:25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟:75 ns 分离的接收器和源极选项,可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
STGAP2SICSTR — Datasheet STMicroelectronics
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STGAP2SICS
STGAP2SICSTR
电隔离的4 A单栅极驱动器,用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力:25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟:75 ns 分离的接收器和源极选项,可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
STGAP2SICS — Datasheet STMicroelectronics
门驱动器
STMicroelectronics
STGAP2SICS
电隔离的4 A单栅极驱动器,用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力:25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟:75 ns 分离的接收器和源极选项,可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
MASTERGAN2 — Datasheet STMicroelectronics
门驱动器
STMicroelectronics
MASTERGAN2
具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装,在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压,低端和高端的R DS(ON)分别 为150mΩ和225mΩ,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
MASTERGAN2TR — Datasheet STMicroelectronics
门驱动器
STMicroelectronics
MASTERGAN2
MASTERGAN2TR
具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装,在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压,低端和高端的R DS(ON)分别 为150mΩ和225mΩ,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
MASTERGAN2 — Datasheet STMicroelectronics
门驱动器
STMicroelectronics
MASTERGAN2
具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装,在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压,低端和高端的R DS(ON)分别 为150mΩ和225mΩ,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
2ED24427N01FXUMA1 — Datasheet Infineon
门驱动器
Infineon
2ED24427N01F
2ED24427N01FXUMA1
24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...
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