Datasheets - 门驱动器 - 3
小节: "门驱动器"
制造商
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- 24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...
- 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC，具有典型的1 A源极和1 A灌电流，用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
- 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC，具有典型的1 A源极和1 A灌电流，用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
- 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC，具有典型的1 A源极和1 A灌电流，用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
- 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC，具有典型的1 A源极和1 A灌电流，用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
- 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC，具有典型的1 A源极和1 A灌电流，用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。- 200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
- 200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
- 200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
- 200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
5.7 kV, 3 A单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，可配置I2C接口支持DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障报告 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，具备±3 A典型灌电流和拉电流峰值输出，采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装，爬电距离大（ 8 mm），适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3830MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED38xx系列（X3 ...- 5.7 kV, 3 A单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，可配置I2C接口支持DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障报告 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，具备±3 A典型灌电流和拉电流峰值输出，采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装，爬电距离大（ 8 mm），适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3830MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED38xx系列（X3 ...
- 5.7 kV, 9 A单通道灵活型隔离栅极驱动器，具备有源米勒钳位、可调DESAT和软关断功能 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，具备±9 A典型灌电流和拉电流峰值输出，采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装，爬电距离大（ 8 mm），适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3491MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED34xx系列（X3 ...
5.7 kV, 9 A单通道灵活型隔离栅极驱动器，具备有源米勒钳位、可调DESAT和软关断功能 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，具备±9 A典型灌电流和拉电流峰值输出，采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装，爬电距离大（ 8 mm），适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3491MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED34xx系列（X3 ...- 三重半桥栅极驱动器 STDRIVE101是适用于驱动三相无刷电动机的低压栅极驱动器。 它是具有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器的单芯片。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌/拉电流）。它集成了一个低压降线性稳压器，可通过自举电路为低端和高端栅极驱动器生成电源电压。 该器件在低侧和高侧部分均提供了欠压锁定（UVLO），可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。 集成在STDRIVE101中的控制逻辑允许两种输入策略（高端和低端或使能和PWM驱动信号）。根据DT / ...
- 三重半桥栅极驱动器 STDRIVE101是适用于驱动三相无刷电动机的低压栅极驱动器。 它是具有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器的单芯片。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌/拉电流）。它集成了一个低压降线性稳压器，可通过自举电路为低端和高端栅极驱动器生成电源电压。 该器件在低侧和高侧部分均提供了欠压锁定（UVLO），可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。 集成在STDRIVE101中的控制逻辑允许两种输入策略（高端和低端或使能和PWM驱动信号）。根据DT / ...
- 三重半桥栅极驱动器 STDRIVE101是适用于驱动三相无刷电动机的低压栅极驱动器。 它是具有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器的单芯片。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌/拉电流）。它集成了一个低压降线性稳压器，可通过自举电路为低端和高端栅极驱动器生成电源电压。 该器件在低侧和高侧部分均提供了欠压锁定（UVLO），可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。 集成在STDRIVE101中的控制逻辑允许两种输入策略（高端和低端或使能和PWM驱动信号）。根据DT / ...
- 采用DSO-24封装，带有集成自举二极管和过电流保护的1200 V、0.65 A三相栅极驱动器 1200 V 三相SOI栅极驱动器带有集成自举二极管和过电流保护，采用DSO-24封装（移除了四个引脚的DSO-28），具有典型的0.35 A源电流和0.65 A漏电流。用于驱动IGBT 和MOSFET。
采用DSO-24封装，带有集成自举二极管和过电流保护的1200 V、0.65 A三相栅极驱动器 1200 V 三相SOI栅极驱动器带有集成自举二极管和过电流保护，采用DSO-24封装（移除了四个引脚的DSO-28），具有典型的0.35 A源电流和0.65 A漏电流。用于驱动IGBT 和MOSFET。