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C型USB充电接口 USB Type-C接口，6针，仅用于充电。
C型USB充电接口 USB Type-C接口，6针，仅用于充电。
- C型USB充电接口 USB Type-C接口，6针，仅用于充电。
采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-247AC封装是商业和工业应用中的首选，因为在这些应用中，较高的功率水平限制了TO-220AB器件的使用。 TO-247AC封装与早期的TO-218封装类似，但因其独立的安装孔而更胜一筹。此外，它还提供了更大的引脚间爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。- 带射频滤波器的四路 1.8MHz 零漂移 CMOS 轨到轨 I/O 运算放大器 GS855X 是一款单/双/四电源供电、微功耗、零漂移 CMOS 运算放大器，带宽高达 1.8MHz，支持轨到轨输入输出，单电源供电范围为 1.8V 至 5.5V。GS855X 采用斩波稳定技术，可提供极低的失调电压（最大值小于 30µV）和近乎零的温度漂移。每个放大器仅需 180µA 的低静态电源电流和 20pA 的极低输入偏置电流，使其成为低失调、低功耗和高阻抗应用的理想选择。GS855X ...
- 单个 1.8MHz 零漂移 CMOS 轨到轨 I/O 运算放大器，带射频滤波器 GS855X 是一款单/双/四电源供电、微功耗、零漂移 CMOS 运算放大器，带宽高达 1.8MHz，支持轨到轨输入输出，单电源供电范围为 1.8V 至 5.5V。GS855X 采用斩波稳定技术，可提供极低的失调电压（最大值小于 30µV）和近乎零的温度漂移。每个放大器仅需 180µA 的低静态电源电流和 20pA 的极低输入偏置电流，使其成为低失调、低功耗和高阻抗应用的理想选择。GS855X ...
- 双路 1.8MHz 零漂移 CMOS 轨到轨 I/O 运算放大器，带射频滤波器 GS855X 是一款单/双/四电源供电、微功耗、零漂移 CMOS 运算放大器，带宽高达 1.8MHz，支持轨到轨输入输出，单电源供电范围为 1.8V 至 5.5V。GS855X 采用斩波稳定技术，可提供极低的失调电压（最大值小于 30µV）和近乎零的温度漂移。每个放大器仅需 180µA 的低静态电源电流和 20pA 的极低输入偏置电流，使其成为低失调、低功耗和高阻抗应用的理想选择。GS855X ...
线绕电阻器，铝壳，大功率型。- 线绕电阻器，铝壳，大功率型。
- 线绕电阻器，铝壳，大功率型。
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- 线绕电阻器，铝壳，大功率型。
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- 信号继电器
25A标准和无缓冲三端双向可控硅 BTA24，BTB24，BTA25，BTA26，BTB26和T25三端双向可控硅开关元件有通孔或表面贴装两种封装，适用于通用市电交流开关。 特征： BTA系列获得UL1557认证（文件编号：81734） 高换向（4象限）或超高换向（3象限）功能 高电流双向可控硅 夹子粘合的低热阻 封装符合RoHS（2002/95 / EC）- 25A无缓冲三端双向可控硅 BTA24，BTB24，BTA25，BTA26，BTB26和T25三端双向可控硅开关元件有通孔或表面贴装两种封装，适用于通用市电交流开关。 特征： BTA系列获得UL1557认证（文件编号：81734） 高换向（4象限）或超高换向（3象限）功能 高电流双向可控硅 夹子粘合的低热阻 封装符合RoHS（2002/95 / EC）
采用 DO-201AD 封装的肖特基势垒整流器- 采用 DO-201AD 封装的肖特基势垒整流器