Datasheets - 光耦合器/光耦合器

小节: "光耦合器/光耦合器"
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  1. 1-通道晶体管输出型光电耦合器
  2. Datasheet Everlight PT334-6C
    5mm光电晶体管T-1 3/4
  1. SMT 封装的硅 NPN 光电晶体管
  2. 6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
  3. 6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
  4. 6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
  5. 6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
  6. Datasheet Toshiba TLP5814H
    光电耦合器 TLP5814H 是一款高度集成的栅极驱动光电耦合器,采用 8 引脚 SO8L 封装,爬电距离和电气间隙均为 8 mm。该栅极驱动光电耦合器提供 +6.8 / -4.8 A 的最大峰值输出电流,并支持轨到轨输出,从而实现系统稳定运行和更佳的开关性能。内置有源米勒箝位功能有助于避免功率器件的自导通现象,使 TLP5814H 非常适合驱动 SiC-MOSFET 和 IGBT。
  7. 硅NPN光电晶体管
  8. 塑料硅红外光电晶体管 QSE113/114 是一种硅光电晶体管,采用广角、红外透明、黑色塑料侧视封装。
  9. 塑料硅红外光电晶体管 QSE113/114 是一种硅光电晶体管,采用广角、红外透明、黑色塑料侧视封装。
  10. 交流输入光电耦合器
  11. 光耦合器
  12. NPN 硅光电晶体管芯片
  13. 东芝光电耦合器
  14. 东芝光电耦合器
  15. 东芝光电耦合器
  16. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  17. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  18. 高速光电耦合器,1 MBd,带晶体管输出的光电二极管 6N135 和 6N136 是带有 GaAIAs 红外发射二极管的光电耦合器,与集成光电探测器进行光学耦合,该光电探测器由采用 DIP-8 塑料封装的光电二极管和高速晶体管组成。