Datasheets - 光耦合器/光耦合器

小节: "光耦合器/光耦合器"
搜索结果: 572 输出量: 1-20

视图: 清单 / 图片

  1. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  2. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  1. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  2. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  3. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  4. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  5. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  6. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  7. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  8. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  9. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  10. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  11. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  12. 高速光电耦合器,1 MBd,带晶体管输出的光电二极管 6N135 和 6N136 是带有 GaAIAs 红外发射二极管的光电耦合器,与集成光电探测器进行光学耦合,该光电探测器由采用 DIP-8 塑料封装的光电二极管和高速晶体管组成。
  13. 高速光电耦合器,1 MBd,带晶体管输出的光电二极管 6N135 和 6N136 是带有 GaAIAs 红外发射二极管的光电耦合器,与集成光电探测器进行光学耦合,该光电探测器由采用 DIP-8 塑料封装的光电二极管和高速晶体管组成。
  14. 高速光电耦合器,1 MBd,带晶体管输出的光电二极管 6N135 和 6N136 是带有 GaAIAs 红外发射二极管的光电耦合器,与集成光电探测器进行光学耦合,该光电探测器由采用 DIP-8 塑料封装的光电二极管和高速晶体管组成。
  15. 高速光电耦合器,1 MBd,带晶体管输出的光电二极管 6N135 和 6N136 是带有 GaAIAs 红外发射二极管的光电耦合器,与集成光电探测器进行光学耦合,该光电探测器由采用 DIP-8 塑料封装的光电二极管和高速晶体管组成。
  16. 高速光电耦合器,1 MBd,带晶体管输出的光电二极管 6N135 和 6N136 是带有 GaAIAs 红外发射二极管的光电耦合器,与集成光电探测器进行光学耦合,该光电探测器由采用 DIP-8 塑料封装的光电二极管和高速晶体管组成。
  17. 高速光电耦合器,1 MBd,带晶体管输出的光电二极管 6N135 和 6N136 是带有 GaAIAs 红外发射二极管的光电耦合器,与集成光电探测器进行光学耦合,该光电探测器由采用 DIP-8 塑料封装的光电二极管和高速晶体管组成。
  18. 高速光电耦合器,1 MBd,带晶体管输出的光电二极管 6N135 和 6N136 是带有 GaAIAs 红外发射二极管的光电耦合器,与集成光电探测器进行光学耦合,该光电探测器由采用 DIP-8 塑料封装的光电二极管和高速晶体管组成。