Datasheets - 光耦合器/光耦合器

• 半导体类
• 光电子学
• 光耦合器/光耦合器
• 三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器
• 光电断路器
• 光电隔离放大器
• 反射光子
• 晶体管输出光电耦合器
• 栅极驱动光耦合器

视图: 清单 / 图片

1. TLP521-4 — Datasheet Toshiba
   光耦合器/光耦合器 Toshiba TLP521-4
   L-MOS LVP系列
2. TLP521-4 — Datasheet Toshiba
   光耦合器/光耦合器 Toshiba TLP521-4
   东芝光电耦合器

3. TLP521-2 — Datasheet Toshiba
   光耦合器/光耦合器 Toshiba TLP521-2
   东芝光电耦合器
4. TLP521-1 — Datasheet Toshiba
   光耦合器/光耦合器 Toshiba TLP521-1
   东芝光电耦合器
5. H11F1SM — Datasheet ON Semiconductor
   光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F1M H11F1SM
   6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
6. H11F1TVM — Datasheet ON Semiconductor
   光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F1M H11F1TVM
   6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
7. H11F1SR2M — Datasheet ON Semiconductor
   光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F1M H11F1SR2M
   6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
8. H11F1VM — Datasheet ON Semiconductor
   光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F1M H11F1VM
   6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
9. H11F1M — Datasheet ON Semiconductor
   光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F1M
   6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
10. H11F1M — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F1M
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
11. H11F3SR2M — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F3M H11F3SR2M
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
12. H11F3SM — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F3M H11F3SM
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
13. H11F3SVM — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F3M H11F3SVM
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
14. H11F3SR2VM — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F3M H11F3SR2VM
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
15. H11F3VM — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F3M H11F3VM
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
16. H11F3M — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F3M
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
17. H11F3M — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F3M
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
18. 6N135 — Datasheet Vishay
    光耦合器/光耦合器 Vishay 6N135
    光电二极管 Vishay 6N135
    高速光电耦合器，1 MBd，带晶体管输出的光电二极管 6N135 和 6N136 是带有 GaAIAs 红外发射二极管的光电耦合器，与集成光电探测器进行光学耦合，该光电探测器由采用 DIP-8 塑料封装的光电二极管和高速晶体管组成。
19. 6N135-X007T — Datasheet Vishay
    光耦合器/光耦合器 Vishay 6N135 6N135-X007T
    光电二极管 Vishay 6N135
    高速光电耦合器，1 MBd，带晶体管输出的光电二极管 6N135 和 6N136 是带有 GaAIAs 红外发射二极管的光电耦合器，与集成光电探测器进行光学耦合，该光电探测器由采用 DIP-8 塑料封装的光电二极管和高速晶体管组成。
20. 6N135-X017T — Datasheet Vishay
    光耦合器/光耦合器 Vishay 6N135 6N135-X017T
    光电二极管 Vishay 6N135
    高速光电耦合器，1 MBd，带晶体管输出的光电二极管 6N135 和 6N136 是带有 GaAIAs 红外发射二极管的光电耦合器，与集成光电探测器进行光学耦合，该光电探测器由采用 DIP-8 塑料封装的光电二极管和高速晶体管组成。