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光耦合器/光耦合器
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光耦合器/光耦合器
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MOC8204M — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
ON Semiconductor
MOC8204M
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
MOC8204SM — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
ON Semiconductor
MOC8204M
MOC8204SM
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
MOC8204SR2M — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
ON Semiconductor
MOC8204M
MOC8204SR2M
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
MOC8204M — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
ON Semiconductor
MOC8204M
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
H11D3M — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
ON Semiconductor
H11D3M
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
H11D3SM — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
ON Semiconductor
H11D3M
H11D3SM
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
H11D3SR2M — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
ON Semiconductor
H11D3M
H11D3SR2M
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
H11D3M — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
ON Semiconductor
H11D3M
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
4N38M — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
ON Semiconductor
4N38M
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
4N38SM — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
ON Semiconductor
4N38M
4N38SM
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
4N38SR2M — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
ON Semiconductor
4N38M
4N38SR2M
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
4N38TVM — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
ON Semiconductor
4N38M
4N38TVM
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
4N38VM — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
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4N38M
4N38VM
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
4N38M — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
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4N38M
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
H11D1M — Datasheet ON Semiconductor
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H11D1M
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
H11D1SM — Datasheet ON Semiconductor
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H11D1M
H11D1SM
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
H11D1SR2M — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
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H11D1M
H11D1SR2M
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
H11D1SR2VM — Datasheet ON Semiconductor
光耦合器/光耦合器
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H11D1M
H11D1SR2VM
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
H11D1VM — Datasheet ON Semiconductor
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H11D1M
H11D1VM
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H11D1M — Datasheet ON Semiconductor
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H11D1M
6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
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