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MOC3032M — Datasheet ON Semiconductor
三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器
ON Semiconductor
MOC3032M
Triac 驱动器输出光耦合器,6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成,该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器,执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
MOC3031M — Datasheet ON Semiconductor
三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器
ON Semiconductor
MOC3031M
Triac 驱动器输出光耦合器,6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成,该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器,执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
MOC3031SR2M — Datasheet ON Semiconductor
三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器
ON Semiconductor
MOC3031M
MOC3031SR2M
Triac 驱动器输出光耦合器,6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成,该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器,执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
MOC3031SM — Datasheet ON Semiconductor
三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器
ON Semiconductor
MOC3031M
MOC3031SM
Triac 驱动器输出光耦合器,6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成,该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器,执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
MOC3031M — Datasheet ON Semiconductor
三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器
ON Semiconductor
MOC3031M
Triac 驱动器输出光耦合器,6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成,该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器,执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
MOC3033M — Datasheet ON Semiconductor
三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器
ON Semiconductor
MOC3033M
Triac 驱动器输出光耦合器,6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成,该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器,执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
MOC3033SVM — Datasheet ON Semiconductor
三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器
ON Semiconductor
MOC3033M
MOC3033SVM
Triac 驱动器输出光耦合器,6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成,该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器,执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
MOC3033SR2M — Datasheet ON Semiconductor
三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器
ON Semiconductor
MOC3033M
MOC3033SR2M
Triac 驱动器输出光耦合器,6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成,该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器,执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
MOC3033SM — Datasheet ON Semiconductor
三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器
ON Semiconductor
MOC3033M
MOC3033SM
Triac 驱动器输出光耦合器,6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成,该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器,执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
MOC3033M — Datasheet ON Semiconductor
三端双向可控硅和SCR输出光电耦合器
ON Semiconductor
MOC3033M
Triac 驱动器输出光耦合器,6 引脚 DIP 250V 过零 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个 AlGaAs 红外发射二极管组成,该二极管通过光学方式耦合到单片硅探测器,执行零电压交叉双边双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。它们设计用于逻辑系统与 115VAC 供电设备接口中的三端双向可控硅开关元件,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
SiHFU9310 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFU9310
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFU9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFU9310-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFU9310
SiHFU9310-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFU9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310TRR-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310TRR-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310TR-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310TR-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310TRL-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310TRL-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
IRFU9310 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFU9310
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFU9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
IRFU9310PbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFU9310
IRFU9310PbF
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFU9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
IRFR9310 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFR9310
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
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